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【实用新型】一种提高高电子迁移率晶体管功率输出的器件结构_成都大学_202021148341.0 

申请/专利权人:成都大学

申请日:2020-06-19

公开(公告)日:2020-11-20

公开(公告)号:CN211980621U

主分类号:H01L29/778(20060101)

分类号:H01L29/778(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/08(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.11.20#授权

摘要:本实用新型公开了一种提高高电子迁移率晶体管功率输出的器件结构,提供了一种新的结构来提高高电子迁移率晶体管的功率输出,本实用新型包括Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、SiN钝化层、栅极、源极和漏极,所述Si衬底上外延生长有GaN缓冲层,所述GaN缓冲层上外延生长有AlGaN势垒层,栅极、源极及漏极分别位于AlGaN势垒层上,栅极与源极之间及栅极与漏极之间设置有SiN钝化层,所述SiN钝化层沉积在所述AlGaN势垒层上,所述SiN钝化层中具有张应力。本实用新型具有2DEG密度高,功率输出大等优点。

主权项:1.一种提高高电子迁移率晶体管功率输出的器件结构,其特征在于,包括Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、SiN钝化层、栅极、源极和漏极,所述Si衬底上外延生长有GaN缓冲层,所述GaN缓冲层上外延生长有AlGaN势垒层,栅极、源极及漏极分别位于AlGaN势垒层上,栅极与源极之间及栅极与漏极之间设置有SiN钝化层,所述SiN钝化层沉积在所述AlGaN势垒层上,所述SiN钝化层中具有张应力。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都大学 一种提高高电子迁移率晶体管功率输出的器件结构

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