申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
申请日:2019-05-21
公开(公告)日:2020-11-24
公开(公告)号:CN111987061A
主分类号:H01L23/48(20060101)
分类号:H01L23/48(20060101);H01L23/64(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.28#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开
摘要:本申请提供半导体装置。一基底位于一第一互连结构之上。一无源元件位于基底内。一第二互连结构位于基底之上。第一凸块与第二凸块位于第一互连结构的下方。每一第一硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第一端,而每一第一硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第一凸块。每一第二硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第二端,而第二硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第二凸块。
主权项:1.一种半导体装置,其特征在于,包括:一第一互连结构;一基底,位于上述第一互连结构之上;一无源元件,位于上述基底内;一第二互连结构,位于上述基底之上;一第一凸块与一第二凸块,位于上述第一互连结构的下方;多个第一硅通孔,贯穿上述基底,其中每一上述第一硅通孔的第一端是经由上述第二互连结构而耦接于上述无源元件的第一端,而每一上述第一硅通孔的第二端是经由上述第一互连结构而耦接于上述第一凸块;以及多个第二硅通孔,贯穿上述基底,其中每一上述第二硅通孔的第一端是经由上述第二互连结构而耦接于上述无源元件的第二端,而每一上述第二硅通孔的第二端是经由上述第一互连结构而耦接于上述第二凸块。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置
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