申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司

申请日：2019-05-21

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987140A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明提供一种基底及其制造方法，其中基底包含陶瓷芯、第一黏着层、阻障层和第二黏着层。第一黏着层包覆陶瓷芯且包含硅的氮氧化物，其中第一黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第一比例。阻障层包覆第一黏着层且包含硅的氮氧化物，其中阻障层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第二比例，且第二比例与第一比例不同。第二黏着层包覆阻障层且包含硅的氮氧化物，其中第二黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第三比例，且第三比例与第二比例不同。

主权项：1.一种基底，其特征在于，包括：一陶瓷芯；一第一黏着层，包覆该陶瓷芯且包括硅的氮氧化物，其中该第一黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有一第一比例；一阻障层，包覆该第一黏着层且包括硅的氮氧化物，其中该阻障层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有一第二比例，且该第二比例与该第一比例不同；以及一第二黏着层，包覆该阻障层且包括硅的氮氧化物，其中该第二黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有一第三比例，且该第三比例与该第二比例不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 基底及其制造方法

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