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【发明公布】MRAM电极及其制备方法_中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司_201910429948.1 

申请/专利权人:中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司

申请日:2019-05-22

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111987214A

主分类号:H01L43/02(20060101)

分类号:H01L43/02(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.04.07#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本发明提供一种MRAM电极,包括:堆叠设置的隔离层、电极层和覆盖层,其中,所述隔离层的一侧表面靠近MTJ自由层;所述电极层设置于所述隔离层远离所述MTJ自由层的一侧表面,且所述电极层具有面内各向异性磁化;所述覆盖层设置于所述电极层远离所述隔离层的一侧表面。本发明能够为MTJ自由层提供一个可控的磁矩,辅助MTJ自由层翻转。

主权项:1.一种MRAM电极,其特征在于,包括:堆叠设置的隔离层、电极层和覆盖层,其中,所述隔离层的一侧表面靠近MTJ自由层;所述电极层设置于所述隔离层远离所述MTJ自由层的一侧表面,且所述电极层具有面内各向异性磁化;所述覆盖层设置于所述电极层远离所述隔离层的一侧表面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 MRAM电极及其制备方法

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