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【发明公布】半导体器件制备方法及半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_201910431035.3 

申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司

申请日:2019-05-22

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111987040A

主分类号:H01L21/768(20060101)

分类号:H01L21/768(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态:2022.07.01#发明专利申请公布后的撤回;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本申请涉及一种半导体器件制备方法及一种半导体器件,该制备方法包括:提供衬底,在衬底上形成缓冲氧化层和氮化硅掩膜;开设刻蚀窗口并刻蚀衬底,形成沟槽;在沟槽的内壁依次形成隔离氧化层和隔离氮化硅层;向沟槽内填满牺牲层;对牺牲层进行回刻,去除部分牺牲层,使牺牲层的高度低于衬底的上表面以暴露部分隔离氮化硅层,并对隔离氮化硅层进行刻蚀;去除剩余的牺牲层,并形成覆盖氮化硅掩膜和填满沟槽的介质氧化层;对介质氧化层进行研磨;去除氮化硅掩膜和缓冲氧化层,且不暴露隔离氮化硅层;在衬底表面形成栅氧层,并在栅氧层上形成多晶硅层。在上述过程中,隔离氮化硅层不会形成尖角,因此不会影响栅氧层的TDDB测试。

主权项:1.一种半导体器件制备方法,其特征在于,包括:提供衬底,并在所述衬底上依次形成缓冲氧化层和氮化硅掩膜;图形化所述氮化硅掩膜和所述缓冲氧化层,形成刻蚀窗口,通过所述刻蚀窗口刻蚀所述衬底,形成沟槽;在所述沟槽的内壁形成隔离氧化层并在所述隔离氧化层上形成隔离氮化硅层,所述隔离氮化硅层未填满所述沟槽;向所述沟槽内填入牺牲层,所述牺牲层填满所述沟槽;对所述牺牲层进行回刻,刻蚀掉部分所述牺牲层,使所述牺牲层的高度低于所述衬底的上表面以暴露部分所述隔离氮化硅层,并对所述隔离氮化硅层进行刻蚀;去除剩余的所述牺牲层,并形成覆盖所述氮化硅掩膜和填满所述沟槽的介质氧化层;对所述介质氧化层进行研磨并停止于所述氮化硅掩膜;去除所述氮化硅掩膜和所述缓冲氧化层,且不暴露所述隔离氮化硅层;在所述衬底表面形成栅氧层,并在所述栅氧层上形成多晶硅层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡华润上华科技有限公司 半导体器件制备方法及半导体器件

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