申请/专利权人:三菱电机株式会社
申请日:2018-04-16
公开(公告)日:2020-11-24
公开(公告)号:CN111989861A
主分类号:H03F3/185(20060101)
分类号:H03F3/185(20060101);H03F1/32(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.06.20#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开
摘要:本发明涉及在相同金属板上,主要将放大用GaN类芯片与形成有其预匹配电路的GaAs类芯片通过导线而连接的高频功率放大器。本发明涉及的高频功率放大器通过将呈现减极性互感的耦合器设置于GaAs类芯片,从而能够抵消相邻的导线间的互感,能够抑制从GaN类芯片的栅极端子观察信号源时的二次谐波阻抗的相对于频率的扩展,能够将所期望的基波频带处的功率放大器的效率保持得高。
主权项:1.一种高频功率放大器,其具有:场效应晶体管,其具有栅极端子、源极端子和漏极端子,该场效应晶体管用于对高频基波信号进行放大;第1半导体芯片,其形成有所述场效应晶体管;预匹配电路,其具有所述场效应晶体管的输入侧基波匹配用的第1输入端子和第1输出端子;二次谐波短路用电容器,其具有所述场效应晶体管的输入侧二次谐波短路用端子;耦合器,其具有第2输入端子、第3输入端子、第2输出端子、以及第3输出端子,该第2输入端子与所述第1输出端子连接,该第3输入端子与所述输入侧二次谐波短路用端子连接,该第2输出端子输出来自所述第2输入端子的信号,该第3输出端子输出来自所述第3输入端子的信号,在从所述第2输入端子和所述第3输入端子同时输入了信号的情况下,该耦合器呈现减极性互感;第2半导体芯片,其形成有所述预匹配电路、所述二次谐波短路用电容器和所述耦合器;第1导线,其将所述第2输出端子与所述栅极端子连接;以及第2导线,其将所述第3输出端子与所述栅极端子连接,该第2导线与第1导线之间呈现加极性互感。
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