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【发明公布】集成芯片、高电压器件及形成高电压晶体管器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_201910982784.5 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2019-10-16

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111987148A

主分类号:H01L29/40(20060101)

分类号:H01L29/40(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L27/088(20060101)

优先权:["20190521 US 16/417,735"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本公开的各种实施例涉及一种包括设置在漂移区之上的场板的集成芯片。第一栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。刻蚀终止层在侧向上从第一栅极电极的外侧壁延伸到漏极区。刻蚀终止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在上覆在衬底上的第一层间介电ILD层内。场板上覆在漂移区上。场板的顶表面与第一栅极电极的顶表面对准,且场板的底表面垂直地位于第一栅极电极的底表面上方。场板及第一栅极电极分别包含金属材料。

主权项:1.一种集成芯片,包括:第一栅极电极,上覆在衬底上且在源极区与漏极区之间;刻蚀终止层,在侧向上从所述第一栅极电极的外侧壁延伸到所述漏极区,其中所述刻蚀终止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂移区上;以及场板,设置在上覆在所述衬底上的第一层间介电层内,其中所述场板上覆在所述漂移区上,所述场板的顶表面与所述第一栅极电极的顶表面对准,且所述场板的底表面垂直地位于所述第一栅极电极的底表面上方,其中所述场板及所述第一栅极电极分别包含金属材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片、高电压器件及形成高电压晶体管器件的方法

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