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【发明公布】半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_201911365358.3 

申请/专利权人:爱思开海力士有限公司

申请日:2019-12-26

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111986714A

主分类号:G11C7/10(20060101)

分类号:G11C7/10(20060101);G11C7/06(20060101);G11C16/04(20060101);G11C16/08(20060101)

优先权:["20190522 KR 10-2019-0060193"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:高速缓存锁存器组,其包括彼此交替地布置的多个偶数锁存器级和多个奇数锁存器级;以及感测放大器组,其通过分别与所述多个偶数锁存器级对应的多条第一位输出线并且通过分别与所述多个奇数锁存器级对应的多条第二位输出线来联接到高速缓存锁存器组。

主权项:1.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:高速缓存锁存器组,该高速缓存锁存器组包括彼此交替地布置的多个偶数锁存器级和多个奇数锁存器级;以及感测放大器组,该感测放大器组通过分别与所述多个偶数锁存器级对应的多条第一位输出线并且通过分别与所述多个奇数锁存器级对应的多条第二位输出线来联接到所述高速缓存锁存器组。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 爱思开海力士有限公司 半导体存储器装置

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