申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2019-12-17

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987071A

主分类号：H01L23/528(20060101)

分类号：H01L23/528(20060101);H01L23/532(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：["20190524 US 16/422,608"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.12.01#发明专利申请公布后的驳回;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本公开提供一种在导电插塞上具有导电顶盖层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、配置在该半导体基底上的一第一字元线与一第二字元线，以及配置在该第一字元线与该第二字元线之间的一导电插塞。该导电元件亦具有配置在该导电插塞上的一导电顶盖层，其中该导电顶盖层覆盖该导电插塞的一顶表面与一侧壁表面的一部分。该半导体元件还具有配置在该导电顶盖层上的一位元线，其中该位元线电性连接该导电插塞。

主权项：1.一种半导体元件，包括：一半导体基底；一第一字元线与一第二字元线，配置在该半导体基底上；一导电插塞，配置在该第一字元线与该第二字元线之间；一导电顶盖层，配置在该导电插塞上，其中，该导电顶盖层覆盖该导电插塞的一顶表面以及一侧壁表面的一部分；以及一位元线，配置在该导电顶盖层上，其中，该位元线电性连接该导电插塞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 在导电插塞上具有导电顶盖层的半导体元件及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD