申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-02-13

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111986720A

主分类号：G11C11/56(20060101)

分类号：G11C11/56(20060101)

优先权：["20190521 US 16/417,705"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.18#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：在部分实施方式中，本揭露涉及一种随机存取记忆体单元及电阻式随机存取记忆体单元的操作方法。操作电阻式随机存取记忆体RRAM单元的方法包含对RRAM单元进行重置操作。对RRAM单元施加第一电压偏压。第一电压偏压具有第一极性。第一电压偏压的施加诱使RRAM单元从低电阻变为中电阻。中电阻大于低电阻。然后，对RRAM单元施加第二电压偏压施。第二电压偏压具有与第一极性相反的第二极性。第二电压偏压的施加诱使RRAM单元具有高电阻。高电阻大于中电阻。

主权项：1.一种操作一电阻式随机存取记忆体单元的方法，其特征在于，包含：通过以下步骤对该电阻式随机存取记忆体单元进行一重置操作：对该电阻式随机存取记忆体单元施加一第一电压偏压，其中该第一电压偏压具有一第一极性，其中该第一电压偏压的施加诱使该电阻式随机存取记忆体单元从一低电阻变为一中间电阻，并且其中该中间电阻大于该低电阻；且对该电阻式随机存取记忆体单元施加一第二电压偏压，其中该第二电压偏压具有一第二极性，其中该第二极性与该第一极性相反，并且其中该第二电压偏压的施加诱使该电阻式随机存取记忆体单元具有一高电阻，其中该高电阻大于该中间电阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 随机存取记忆体单元及电阻式随机存取记忆体单元的操作方法

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