申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-04-08

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987159A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/49(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权：["20190524 US 62/852,626","20191121 US 16/690,645"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.12#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本文所述的实施例针对用于制造具有与基于铝的n型功函层相反的无铝n型功函层的晶体管的方法。该方法包括：形成设置在间隔开的源极漏极外延层之间的沟道部分，以及在沟道部分上形成栅极堆叠件，其中，形成栅极堆叠件包括在沟道部分上沉积高k介电层并在介电层上沉积p型功函层。在沉积p型功函层之后，在没有真空破坏的情况下，在p型功函层上形成无铝n型功函层，并且在无铝n型功函层上沉积金属。该方法还包括沉积围绕间隔开的源极漏极外延层和栅极堆叠件的绝缘层。本发明的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。

主权项：1.一种半导体结构，包括：鳍结构，位于衬底上；两个间隔开的源极漏极外延堆叠件，形成在所述鳍结构的顶面上；纳米片层，设置在所述两个间隔开的源极漏极外延堆叠件之间，其中，所述纳米片层间隔开；以及栅极结构，围绕所述纳米片层，其中，所述栅极结构包括：介电堆叠件，形成为围绕所述纳米片层；功函堆叠件，形成为围绕所述介电堆叠件；无铝功函层，形成为围绕所述功函堆叠件；和金属层，形成为围绕所述无铝功函层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构和形成半导体结构的方法

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