申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-04-17

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987045A

主分类号：H01L21/8242(20060101)

分类号：H01L21/8242(20060101);H01L27/108(20060101)

优先权：["20190522 US 16/419,730"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.02.11#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本公开描述与对存储节点材料进行整形有关的方法、设备和系统。实例方法包含形成具有材料图案的导柱。所述方法进一步包含在所述导柱的一侧沉积存储节点材料。所述方法进一步包含蚀刻所述导柱内的牺牲材料。所述方法进一步包含在从所述导柱到所述存储节点中的方向上蚀刻所述存储节点材料。

主权项：1.一种对存储节点材料214，336，615，721进行整形的方法，其包括：形成具有材料图案的导柱209，309，409，609；在所述导柱109，209，309，409，609，709的一侧上沉积存储节点材料214，336，615，721；蚀刻所述导柱109，209，309，409，609，709内的牺牲材料122，222，422，522，622；以及在从所述导柱109，209，309，409，609，709到所述存储节点材料214，336，615，721的方向上蚀刻所述存储节点材料214，336，615，721。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 用于存储节点整形的方法

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