申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-05-21

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987162A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：["20190522 KR 10-2019-0059798"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.06.10#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：具有环栅结构的半导体器件包括：由第一沟槽分隔并在第一方向上延伸的第一鳍图案和第二鳍图案；在第一鳍图案上的第一纳米片；在第二鳍图案上的第二纳米片；第一鳍衬层，沿着第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸；第一场绝缘层，设置在第一鳍衬层上并填充第一沟槽的一部分；以及第一栅极结构，与第一鳍图案的端部交叠并包括第一栅极间隔物。从第一沟槽的底表面到第一栅极间隔物的下表面的高度大于从第一沟槽的底表面到第一场绝缘层的上表面的高度。

主权项：1.一种半导体器件，包括：由第一沟槽分隔的第一鳍图案和第二鳍图案，所述第一鳍图案和所述第二鳍图案中的每个在第一方向上纵长地延伸；设置在所述第一鳍图案上的第一纳米片；设置在所述第二鳍图案上的第二纳米片；沿着所述第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸的第一鳍衬层；设置在所述第一鳍衬层上并填充所述第一沟槽的一部分的第一场绝缘层；以及与所述第一鳍图案的端部交叠并且包括第一栅极间隔物的第一栅极结构，其中，从所述第一沟槽的所述底表面到所述第一栅极间隔物的下表面的高度大于从所述第一沟槽的所述底表面到所述第一场绝缘层的上表面的高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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