申请/专利权人：晶元光电股份有限公司

申请日：2020-05-22

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987196A

主分类号：H01L33/12(20100101)

分类号：H01L33/12(20100101);H01L33/06(20100101)

优先权：["20190524 TW 108118017"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.06.14#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含一主动层、一第一半导体层、一第一应力缓冲结构位于该主动层及该第一半导体层之间、一中间层位于该第一应力缓冲结构及该主动层之间，其中，该第一应力缓冲结构包含多个第一子层以及多个第二子层彼此交叠，该第二子层的带隙小于该第一子层的带隙，该中间层包含一第一部分邻接该第一应力缓冲结构以及一第二部分邻接该主动层，该第二部分与该第二子层各包含一铟含量且该第二部分的铟含量小于该第二子层的铟含量。

主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含:主动层；第一半导体层；第一应力缓冲结构，位于该主动层及该第一半导体层之间，该第一应力缓冲结构包含多个第一子层以及多个第二子层彼此交叠，该第二子层的带隙小于该第一子层的带隙；中间层，位于该第一应力缓冲结构及该主动层之间，其中该中间层包含第一部分邻接该第一应力缓冲结构以及第二部分邻接该主动层，其中，该第二部分与该第二子层各包含铟含量且该第二部分的铟含量小于该第二子层的铟含量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶元光电股份有限公司 半导体元件

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