申请/专利权人：三星电子株式会社;弗罗里达州大学研究基金会(有限)公司

申请日：2020-05-22

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111977626A

主分类号：C01B25/45(20060101)

分类号：C01B25/45(20060101);C01B25/455(20060101);C01B33/20(20060101);C01D15/04(20060101);C01G35/00(20060101);H01M10/052(20100101);H01M10/0565(20100101)

优先权：["20200521 KR 10-2020-0060768","20190524 US 62/852,552"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.05.31#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明涉及固体导体、其制备方法、包括固体导体的固体电解质和包括固体导体的电化学装置。固体导体，包括：由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，其中，在式1和2中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y1，且0≤z≤2，除了以下情况之外：ix和y和z同时为0，iiM为Hf，X为F，x为1，y为0，且z为1，iiiM为Hf，X为Cl，x为2，y为0，且z为2，和ivM为Hf，X为F，x为2，y为0，且z为2。式1Li1+x+y‑zTa2‑xMxP1‑yQyO8‑zXz式2Li1+x+y‑zTa2‑xMxP1‑yQyO8·zLiX

主权项：1.固体导体，包括：由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，式1Li1+x+y-zTa2-xMxP1-yQyO8-zXz其中，在式1中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y1，和0≤z≤2，除了以下情况之外：ix和y和z同时为0，iiM为Hf，X为F，x为1，y为0，且z为1，iiiM为Hf，X为Cl，x为2，y为0，且z为2，和ivM为Hf，X为F，x为2，y为0，且z为2，式2Li1+x+y-zTa2-xMxP1-yQyO8·zLiX其中，在式2中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y1，和0≤z≤2，除了以下情况之外：ix和y和z同时为0，iiM为Hf，X为F，x为1，y为0，且z为1，iiiM为Hf，X为Cl，x为2，y为0，且z为2，和ivM为Hf，X为F，x为2，y为0，且z为2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社;弗罗里达州大学研究基金会(有限)公司 固体导体、其制备方法、包括固体导体的固体电解质和包括固体导体的电化学装置

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