申请/专利权人:铠侠股份有限公司
申请日:2019-03-11
公开(公告)日:2020-11-24
公开(公告)号:CN111989776A
主分类号:H01L27/11582(20060101)
分类号:H01L27/11582(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/11524(20060101);H01L27/11556(20060101);H01L27/1157(20060101);H01L29/788(20060101);H01L29/792(20060101)
优先权:["20180320 JP 2018-052558"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.01.05#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开
摘要:半导体存储装置1具有:多个第一电极层SGS,WL1,沿第一方向Z层叠;多个第二电极层WL2,SGD,沿所述第一方向层叠;第一柱状体PB1,沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层;第二柱状体PB2,沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层;连接部JP,连接所述第一柱状体和所述第二柱状体;以及岛状的垫片膜20,包围所述连接部。所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置,所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。
主权项:1.一种半导体存储装置,其具有:多个第一电极层,沿第一方向进行层叠;多个第二电极层,沿所述第一方向进行层叠;第一柱状体,沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层;第二柱状体,沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层;连接部,连接所述第一柱状体和所述第二柱状体;以及岛状的垫片膜,包围所述连接部,所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置,所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。
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