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【发明公布】功率半导体结构的制造方法、芯片载体及功率半导体结构_杰群电子科技(东莞)有限公司_202010686213.X 

申请/专利权人:杰群电子科技(东莞)有限公司

申请日:2020-07-16

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111987001A

主分类号:H01L21/48(20060101)

分类号:H01L21/48(20060101);H01L21/60(20060101);H01L23/373(20060101);H01L23/473(20060101);H01L23/495(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.10.31#发明专利申请公布后的驳回;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本发明公开了功率半导体结构的制造方法、芯片载体及功率半导体结构,该功率半导体结构的制造方法,包括载体本体准备、金属盖板准备、凹槽加工、芯片焊接、封装、金属盖板焊接和开口加工步骤;该芯片载体包括载体本体和金属盖板,金属盖板的顶部焊接于载体本体的底部,以封盖凹槽,以在金属盖板与载体本体之间夹合形成空腔,空腔用于给冷却介质提供过流空间,芯片载体设有与空腔连通的介质进口和介质出口;该功率半导体结构包括上述的芯片载体,还包括芯片、引脚和封装体;本发明的制造方法能够制造出散热性能良好的功率半导体结构,该芯片载体具有良好的散热性能,该功率半导体采用具有散热结构的芯片载体,散热良好,能使芯片性能更好地发挥。

主权项:1.一种功率半导体结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:载体本体110准备步骤:准备载体本体110;金属盖板120准备步骤:准备金属盖板120;凹槽130加工步骤:在所述载体本体110的底部和或所述金属盖板120的顶部加工凹槽130;芯片200焊接步骤:将芯片200焊接于所述载体本体110的顶部的焊片区,并通过金属导线500将所述芯片200与引脚300的电连接端电连接;封装步骤:采用封装材料包覆所述芯片200、所述焊片区和所述引脚300的电连接端,所述封装材料固化后形成封装体400,所述引脚300的引出端由所述封装体400伸出;金属盖板120焊接步骤:将所述金属盖板120的顶部通过焊接材料焊接固定于所述载体本体110的底部,以封盖所述凹槽130,从而在所述载体本体110与所述金属盖板120之间形成空腔140;所述载体本体110与所述金属盖板120焊接形成芯片载体100;所述金属盖板120焊接步骤在所述封装步骤之前进行或在所述封装步骤之后进行;开口加工步骤:在所述芯片载体100加工介质进口151和介质出口152,所述介质进口151和所述介质出口152由所述封装体400露出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 杰群电子科技(东莞)有限公司 功率半导体结构的制造方法、芯片载体及功率半导体结构

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