申请/专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第九研究所

申请日：2020-07-21

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111983530A

主分类号：G01R33/09(20060101)

分类号：G01R33/09(20060101);H01L43/02(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.17#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：一种基于磁性绝缘体的平面自旋阀磁电阻传感器，包括基底，形成于基底之上的硬磁绝缘体和软磁绝缘体，硬磁绝缘体和软磁绝缘体之间采用石墨烯作为自旋流传输通道，形成于硬磁绝缘体和软磁绝缘体之上的非磁性重金属电极。本发明引入非磁重金属石墨烯磁性绝缘体结构，避免了石墨烯与磁性金属材料之间的电导失配问题而导致注入电流自旋极化率降低，在磁性绝缘体的情况下，电荷流无法流动仅自旋流可传播，使得功耗降低，采用在硬磁绝缘体单元上通入直流电流，由自旋霍尔效应产生纯自旋流通过石墨烯输运，被相邻的软磁绝缘体上的非磁重金属电极收集，可测量得到自旋霍尔磁电阻大小并探测外磁场方向。

主权项：1.一种基于磁性绝缘体的平面自旋阀磁电阻传感器，其特征在于，所述平面自旋阀磁电阻传感器包括：基底；形成于基底之上的磁性绝缘体，所述磁性绝缘体包括硬磁绝缘体和软磁绝缘体，硬磁绝缘体和软磁绝缘体之间采用石墨烯作为自旋流传输通道，以实现自旋电子的输运；形成于硬磁绝缘体和软磁绝缘体之上的非磁性重金属电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学;中国电子科技集团公司第九研究所 一种基于磁性绝缘体的平面自旋阀磁电阻传感器及其制备方法

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