申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-08-20

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111986717A

主分类号：G11C11/16(20060101)

分类号：G11C11/16(20060101);G11C5/02(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：一种无外磁场定向自旋翻转的SOT‑MRAM及阵列。SOT‑MRAM自上往下依次包括：选通器1，在外加电压的作用下接通或断开SOT‑MRAM；磁隧道结2，自上往下依次包括铁磁参考层201、隧穿层202和铁磁自由层203；自旋轨道耦合层3，由重金属、掺杂重金属、重金属合金、双重金属层、半导体材料、二维半金属材料、反铁磁材料中的一种及以上组成，利用层间交换耦合效应在铁磁自由层203中产生平面内有效场，并利用自旋霍尔效应产生自旋轨道矩，以在磁隧道结2中进行数据确定性存储。本公开利用铁磁层的垂直各向异性，在无外加磁场辅助下，通过层间交换耦合和自旋转移矩联合效应，实现SOT驱动磁隧道结铁磁自由层定向自旋翻转，并实现三维阵列结构。

主权项：1.一种无外磁场定向自旋翻转的SOT-MRAM，其特征在于，所述SOT-MRAM自上往下依次包括：选通器1，在外加电压的作用下接通或断开所述SOT-MRAM；磁隧道结2，自上往下依次包括铁磁参考层201、隧穿层202和铁磁自由层203；自旋轨道耦合层3，由重金属、掺杂重金属、重金属合金、金属氧化物、双重金属层、半导体材料、二维半金属材料、反铁磁材料中的一种及以上组成，利用层间交换耦合效应在所述铁磁自由层203中产生平面内有效场，并利用自旋霍尔效应产生自旋轨道矩，以在所述磁隧道结2中进行数据确定性存储。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 无外磁场定向自旋翻转的SOT-MRAM及阵列

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