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【发明公布】存储器及其制作方法_维沃移动通信有限公司_202010859679.5 

申请/专利权人:维沃移动通信有限公司

申请日:2020-08-24

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111987106A

主分类号:H01L27/11568(20170101)

分类号:H01L27/11568(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本申请公开了一种存储器及其制作方法,属于半导体制造技术领域。其包括衬底、堆叠层及沟道,堆叠层设置于衬底上,堆叠层包括沿第一方向交替叠置的隔离层和第一存储栅极层;沟道设置于衬底上且贯穿于堆叠层,沟道的第一部分沿第二方向上依次叠置有第二存储栅极层、阻挡层、电子捕获层、电子遂穿层和导电沟道层,沟道包括第一功能层,沿第一方向上每两个第一功能层之间存在第一距离,第一功能层包括第二存储栅极层、阻挡层和电子捕获层;其中,堆叠层的第一存储栅极层与沟道的第二存储栅极层对应。本申请可以有效减少相邻的第二存储栅极层之间的电子逃逸现象,从而有效提高该存储器存储数据的可靠性。

主权项:1.一种存储器,其特征在于,包括:衬底101;堆叠层,所述堆叠层设置于所述衬底101上,所述堆叠层包括沿第一方向交替叠置的隔离层102和第一存储栅极层103;沟道,所述沟道设置于所述衬底101上且贯穿于所述堆叠层,所述沟道的第一部分沿第二方向上依次叠置有第二存储栅极层115、阻挡层107、电子捕获层108、电子遂穿层111和导电沟道层112,所述沟道包括第一功能层,沿所述第一方向上每两个所述第一功能层之间存在第一距离,所述第一功能层包括所述第二存储栅极层115、所述阻挡层107和所述电子捕获层108;其中,所述堆叠层的所述第一存储栅极层103与所述沟道的所述第二存储栅极层115对应。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 维沃移动通信有限公司 存储器及其制作方法

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