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【发明公布】TOPCon太阳能电池及其制造方法_上海理想万里晖薄膜设备有限公司_202010874903.8 

申请/专利权人:上海理想万里晖薄膜设备有限公司

申请日:2020-08-27

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111987182A

主分类号:H01L31/068(20120101)

分类号:H01L31/068(20120101);H01L31/028(20060101);H01L31/0368(20060101);H01L31/0376(20060101);H01L31/20(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本发明提供TOPCon太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤:a.提供用于TOPCon太阳能电池的N型硅片;b.将所述硅片进行制绒并在其第一面上进行扩散形成PN结;c.在所述硅片的与第一面相对的第二面上依次形成氧化硅层、微晶硅籽晶层、掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层;d.将所述硅片进行晶化退火处理使微晶硅和或非晶硅晶化成多晶硅;e.在硅片的第一面和第二面上分别形成第一减反钝化膜和第二减反钝化膜;以及f.在硅片的第一面和第二面上分别形成第一电极和第二电极。本发明能有效解决掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层达到一定厚度会爆膜的问题,能有效减少漏电流,并有利于提升TOPCon电池的开压、填充因子和转换效率。

主权项:1.一种TOPCon太阳能电池的制造方法,所述方法包括以下步骤:a.提供用于TOPCon太阳能电池的N型硅片;b.将所述硅片进行制绒并在其第一面上进行扩散形成PN结;c.在所述硅片与所述第一面相对的第二面上依次形成氧化硅层、微晶硅籽晶层以及掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层;d.将所述硅片进行晶化退火处理使微晶硅和或非晶硅晶化成多晶硅;e.在硅片的所述第一面和第二面上分别形成第一减反钝化膜和第二减反钝化膜;以及f.在硅片的所述第一面和第二面上分别形成第一电极和第二电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 TOPCon太阳能电池及其制造方法

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