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【发明公布】反熔丝存储器_株式会社佛罗迪亚_202010893535.1 

申请/专利权人:株式会社佛罗迪亚

申请日:2016-02-19

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN111987101A

主分类号:H01L27/112(20060101)

分类号:H01L27/112(20060101);H01L23/525(20060101);G11C17/16(20060101)

优先权:["20150225 JP 2015-035858"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本发明的一种反熔丝存储器42,其特征在于,包括:存储器电容44,包括存储器栅极G和扩散区域,所述存储器栅极的一部分与活性区域相对配置,在所述存储器栅极与所述活性区域的相对区域形成有存储器栅绝缘膜6;N型MOS晶体管,包括整流元件栅极G1、源区域和漏区域,其中,所述扩散区域与位线BL连接,所述存储器栅极与所述源区域连接,所述整流元件栅极和所述漏区域与字线WL连接。

主权项:1.一种反熔丝存储器,其特征在于,包括:存储器电容,包括存储器栅极和扩散区域,所述存储器栅极的一部分与活性区域相对配置,在所述存储器栅极与所述活性区域的相对区域形成有存储器栅绝缘膜;N型MOS晶体管,包括整流元件栅极、源区域和漏区域,其中,所述扩散区域与位线连接,所述存储器栅极与所述源区域连接,所述整流元件栅极和所述漏区域与字线连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社佛罗迪亚 反熔丝存储器

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