申请/专利权人：中山科立特光电科技有限公司

申请日：2020-08-31

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111983824A

主分类号：G02F1/01(20060101)

分类号：G02F1/01(20060101);G02F1/03(20060101);G02B5/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2021.06.22#发明专利申请公布后的撤回;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明提供了一种增强作用型克尔效应衬底，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞周期性排列，贵金属薄膜设置在孔洞的侧壁上。应用时，入射光倾斜照射磁性材料部，入射光耦合进入磁性材料部中的孔洞并被聚集在孔洞内，在孔洞内形成强电场，该强电场与磁性材料层产生作用，增强了克尔效应。由于本发明中，在磁性材料层内设置孔洞，增加了磁性材料层与光的作用距离，增强了衬底的克尔效应，在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。

主权项：1.一种增强作用型克尔效应衬底，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞设置在所述磁性材料层的表面，所述孔洞周期性排列，所述贵金属薄膜设置在所述孔洞的侧壁上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山科立特光电科技有限公司 一种增强作用型克尔效应衬底

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