申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-09-18

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111986998A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本申请公开了一种LDMOS器件及其制备方法，该器件包括：硅衬底；外延层，其形成于硅衬底上，其厚度大于30微米，其中形成有漂移区和沟道区，漂移区中形成有源区和体区，沟道区的一侧形成有漏区；栅氧层，其形成于外延层上；栅极，其形成于所述栅氧层上；第一金属硅化物层，其形成于栅极上；氧化物层，其形成于第一金属硅化物层和外延层上；第二金属硅化物层，其形成于氧化物层上；层间介质，其形成于氧化物层和第二金属硅化物层上；深接触孔，其形成于层间介质、外延层和硅衬底中，其底端与硅衬底接触。本申请不需要设置高电阻率衬底即可实现降低高频损耗的技术效果，因此不需要通过使用TSV工艺实现接触孔和高电阻率衬底的连接。

主权项：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成外延层，所述外延层的厚度大于30微米；在所述外延层上依次形成栅氧层、栅极和第一金属硅化物层；通过离子注入在所述外延层中形成漂移区；通过离子注入在所述外延层中形成沟道区；通过离子注入在所述沟道区中形成源区和体区，在所述外延层中所述漂移区的一侧形成漏区；在所述第一金属硅化物层和所述外延层上形成氧化物层，在所述氧化物层上形成第二金属硅化物层；在所述氧化物层和所述第二金属硅化物层上形成层间介质；在所述层间介质、所述外延层和所述硅衬底中形成深接触孔，所述深接触孔的底端与所述硅衬底接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 LDMOS器件及其制备方法

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