申请/专利权人：精工爱普生株式会社

申请日：2016-01-15

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN105811988B

主分类号：H03M1/66(20060101)

分类号：H03M1/66(20060101)

优先权：["20150119 JP 2015-007934"]

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2022.12.23#未缴年费专利权终止;2018.01.30#实质审查的生效;2016.07.27#公开

摘要：本发明提供一种DA转换电路、振荡器、电子设备以及移动体。在DA转换电路中，具有：多个电阻，被串联连接；多个MOS晶体管，以与多个接头对应的方式而被连接；多个虚设电极，在俯视观察半导体基板时，隔着电阻体而被配置在与多个MOS晶体管中的各个MOS晶体管相反的一侧。虚设电极各自在隔着电阻体而被配置在相反侧的MOS晶体管的栅电极为第一电位时成为第二电位，而在该MOS晶体管的栅电极为第二电位时成为第一电位。

主权项：1.一种DA转换电路，其为电阻分压型DA转换电路，并且，包括被形成在半导体基板上的多个电阻、多个金属氧化物半导体晶体管和多个虚设电极，多个所述电阻利用电阻体和被设置在该电阻体上的多个接头而构成，并串联连接，多个所述金属氧化物半导体晶体管与多个所述接头中的各个所述接头分别连接，多个所述虚设电极在俯视观察所述半导体基板时隔着所述电阻体而被配置在与多个所述金属氧化物半导体晶体管中的各个所述金属氧化物半导体晶体管相反的一侧，并且与多个所述金属氧化物半导体晶体管的电极不同，多个所述虚设电极中的各个所述虚设电极在隔着所述电阻体而被配置在相反侧的所述金属氧化物半导体晶体管的栅电极为第一电位时成为第二电位，而在该金属氧化物半导体晶体管的栅电极为第二电位时成为第一电位，所述第一电位和第二电位中的一个为使所述金属氧化物半导体晶体管导通的电位，而另一个为不使所述金属氧化物半导体晶体管导通的电位，在俯视观察所述半导体基板时，多个所述虚设电极中的各个所述虚设电极与所述电阻体之间的间隔同隔着所述电阻体而被配置在相反侧的所述金属氧化物半导体晶体管的栅电极与所述电阻体之间的间隔相等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 精工爱普生株式会社 D/A转换电路、振荡器、电子设备以及移动体

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD