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【发明授权】基板处理设备_细美事有限公司_201610929572.7 

申请/专利权人:细美事有限公司

申请日:2016-10-31

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN107017182B

主分类号:H01L21/67(20060101)

分类号:H01L21/67(20060101)

优先权:["20151029 KR 10-2015-0151105"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.11.24#授权;2017.08.29#实质审查的生效;2017.08.04#公开

摘要:本发明涉及一种基板处理设备。根据本发明的基板处理设备包括:沿着第一方向顺序放置的处理模块、缓冲模块和转位模块。转位模块包括:装载端口,基板收纳容器放置在装载端口上;和转位机器人,该转位机器人被构造成在装载端口和缓冲模块之间传送基板。缓冲模块包括当从顶侧看时沿着垂直于第一方向的第二方向布置的第一缓冲单元和第二缓冲单元。处理模块包括第一处理单元、第二处理单元、第一传送室和第二传送室,其中,第一传送室设置有被构造成在第一缓冲单元和第一处理单元之间传送基板的第一传送机器人,第二传送室设置有被构造成在第二缓冲单元和第二处理单元之间传送基板的第二传送机器人。第一传送室和第二传送室沿着第二方向布置。

主权项:1.一种基板处理设备,包括:沿着第一方向依次放置的转位模块、缓冲模块和处理模块,其中,所述转位模块包括:装载端口,基板收纳容器放置在所述装载端口处;和转位机器人,所述转位机器人被构造成在所述装载端口和所述缓冲模块之间传送所述基板;其中,所述缓冲模块包括当从顶侧看时沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置的第一缓冲单元和第二缓冲单元,其中,所述处理模块包括第一处理单元、第二处理单元、第一传送室和第二传送室,所述第一传送室设置有被构造成在所述第一缓冲单元和所述第一处理单元之间传送所述基板的第一传送机器人,所述第二传送室设置有被构造成在所述第二缓冲单元和所述第二处理单元之间传送所述基板的第二传送机器人,其中,所述第一传送室和所述第二传送室沿着所述第二方向布置,其中,所述第一传送机器人包括:固定地安装在地面上的基座;以及竖直轴,所述竖直轴安装在所述基座上,并且被设置成能够从所述基座旋转并沿着与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向竖直地移动,其中,所述第一处理单元包括:被构造成利用热来处理所述基板的第一热处理室;以及被构造成利用溶液处理所述基板的第一溶液处理室;其中,所述第二处理单元包括:被构造成利用热来处理所述基板的第二热处理室;以及被构造成利用溶液处理所述基板的第二溶液处理室,其中,所述装载端口、所述转位机器人、所述第一传送室和所述第一溶液处理室沿着所述第一方向依次放置;并且其中,所述第一热处理室、所述第一传送室、所述第二传送室和所述第二热处理室沿着所述第二方向依次放置。

全文数据:基板处理设备技术领域[0001]这里公开的本发明涉及一种用于处理基板的设备。背景技术[0002]在半导体器件和平板显示面板的制造过程中执行各种工艺,诸如图像工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、膜沉积工艺和清洁工艺。在膜沉积工艺中,执行在旋转的基板上沉积化学品的旋涂硬掩模Spin-on-Hardmask,S0H工艺。[0003]图1是执行传统S0H工艺的基板处理设备的示例。在传送室300内设有一个传送机器人350。该传送机器人350沿着室400的布置方向X2移动以将基板传送到每个室400。因此,工艺时间由于传送机器人350的广范围移动而变长。此外,由于传送机器人350沿着X2方向移动,因此在基板处理设备的X2方向的两端之间产生了涡流。这种涡流导致工艺缺陷。此夕卜,由于每个部件的布局和布置,在使基板处理设备小型化方面存在问题。发明内容[0004]本发明提供了一种可以缩短工艺时间的基板处理设备。[0005]此外,本发明提供了可以减少传送机器人的移动距离和移动时间的基板处理设备。[0006]此外,本发明提供了一种可以使从内侧产生的涡流最小化的基板处理设备。[0007]此外,本发明提供了一种可以使装备小型化的基板处理设备。[0008]本发明构思的目的不限于下文所述,并且本领域技术人员从如下描述将可理解本发明构思的其它目的。[0009]本发明提供了一种基板处理设备。[0010]根据本发明的一实施方式,该基板处理设备包括沿着第一方向依次放置的转位模块、缓冲模块和处理模块。所述转位模块包括:装载端口,基板收纳容器放置在所述装载端口上;和转位机器人,所述转位机器人被构造成在所述装载端口和所述缓冲模块之间传送所述基板。所述缓冲模块包括当从顶侧看时沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置的第一缓冲单元和第二缓冲单元。所述处理模块包括第一处理单元、第二处理单元、第一传送室和第二传送室,其中所述第一传送室设置有被构造成在所述第一缓冲单元和所述第一处理单元之间传送所述基板的第一传送机器人,所述第二传送室设置有被构造成在所述第二缓冲单元和所述第二处理单元之间传送所述基板的第二传送机器人。所述第一传送室和所述第二传送室沿着所述第二方向布置。[0011]根据一实施方式,所述第一缓冲单元包括:第一缓冲室,所述基板暂时停留在所述第一缓冲室中;以及第一冷却室,所述第一冷却室被构造成冷却所述基板并与所述第一缓冲室堆叠。[0012]根据一实施方式,所述第一冷却室包括一个或多个载入冷却室和一个或多个载出冷却室,其中,当从所述容器载入到所述第一传送室时设置所述载入冷却室,在将所述第一传送室的基板载出到所述容器时设置所述载出冷却室。[0013]根据一实施方式,所述第一处理单元包括:被构造成利用热处理所述基板的第一热处理室;以及被构造成利用溶液处理所述基板的第一溶液处理室。[0014]根据一实施方式,所述第一热处理室包括壳体、冷却单元、加热单元和传送单元,其中在所述壳体内部设置处理空间,其中所述冷却单元被构造成在所述壳体内部冷却所述基板,其中所述加热单元被构造成在所述壳体内部加热所述基板,并且其中所述传送单元被构造成在所述冷却单元和所述加热单元之间传送所述基板。[0015]根据一实施方式,所述第一传送室、所述冷却单元和所述加热单元沿着所述第二方向依次放置。[0016]根据一实施方式,所述第一热处理室设置为彼此堆叠的多个热处理室,并且所述第一溶液处理室设置为彼此堆叠的多个溶液处理室。[0017]根据一实施方式,所述第二处理单元包括:被构造成利用热处理所述基板的第二热处理室;以及被构造成利用溶液处理所述基板的第二溶液处理室,其中所述装载端口、所述转位机器人、所述第一传送室和所述第一溶液处理室沿着所述第一方向依次放置;并且其中所述第一热处理室、所述第一传送室、所述第二传送室和所述第二热处理室沿着所述第二方向依次放置。[0018]根据一实施方式,所述第一溶液处理室包括通过提供溶液而在旋转的基板上形成膜的室。[0019]根据一实施方式,所述第一热处理室、所述第一溶液处理室和所述第一缓冲单元放置在所述第一传送室的彼此不同的侧。[0020]根据一实施方式,所述第一传送机器人包括:固定地安装在地面上的基座;竖直轴,该竖直轴被设置成旋转和竖直移动;以及手部,该手部安装在所述竖直轴上并且被设置成前后移动。[0021]根据一实施方式,所述第一传送室和所述第二传送室相邻地放置。[0022]根据一实施方式,所述第一处理单元包括:利用热处理基板的第一热处理室;以及利用溶液处理基板的溶液处理室,其中所述第一热处理室设置为彼此堆叠的多个热处理室,其中所述第一溶液处理室设置为彼此堆叠的多个溶液处理室并且包括通过提供溶液而在旋转的基板上形成膜的室。所述装载端口、所述转位机器人、所述第一传送室和所述第一溶液处理室沿着所述第一方向依次放置。所述第一热处理室、所述第一传送室、所述第二传送室和所述第二热处理室沿着所述第二方向依次放置,其中第一传送室和所述第二传送室彼此相邻地放置。[0023]根据一实施方式,所述第一处理单元和所述第一传送室基于平行于所述第一方向的线对称地设置。[0024]根据一实施方式,基板处理设备包括沿着第一方向依次放置的转位模块、缓冲模块和处理模块。所述转位模块包括:装载端口,基板收纳容器放置在所述装载端口上;和转位机器人,所述转位机器人被构造成在所述装载端口和所述缓冲模块之间传送所述基板。所述缓冲模块包括当从顶侧看时沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置的第一缓冲单元和第二缓冲单元。所述处理模块包括第一热处理室和第二热处理室、第一溶液处理室和第二溶液处理室、第一传送室、以及第二传送室,其中所述第一热处理室和所述第二热处理室利用热处理所述基板,所述第一溶液处理室和所述第二溶液处理室利用溶液处理所述基板,所述第一传送室设置有在所述第一热处理室、所述第一溶液处理室和所述第一缓冲单元之间传送所述基板的第一传送机器人,并且所述第二传送室设置有在所述第二热处理室、所述第二溶液处理室和所述第二缓冲单元之间传送所述基板的第二传送机器人。所述第一传送室和所述第二传送室沿着所述第二方向相邻地放置。[0025]根据一实施方式,所述装载端口、所述转位机器人、所述第一传送室和所述第一溶液处理室沿着所述第一方向依次放置。所述第一热处理室、所述第一传送室、所述第二传送室和所述第二热处理室沿着所述第二方向依次放置。[0026]根据一实施方式,所述第一热处理室、所述第一溶液处理室和所述第一缓冲单元放置在所述第一传送室的彼此不同的侧。[0027]根据一实施方式,所述第一传送室和所述第二传送室彼此相邻地放置。[0028]根据本发明的一实施方式,可以缩短处理时间。[0029]此外,根据本发明的一实施方式,可以减少传送机器人的移动距离和时间。[0030]此外,根据本发明的一实施方式,可以将基板处理设备最小化。[0031]此外,根据本发明的一实施方式,可以使从基板处理设备的内部产生的不必要的涡流最小化。[0032]本发明构思的目的不限于以上提及的效果。本领域技术人员可从如下描述和本申请理解本发明构思的其它目的。附图说明[0033]图1是传统基板处理设备的平面图。[0034]图2是根据本申请的实施方式的基板处理设备的平面图。[0035]图3是沿着图2的A-A’线截取的基板处理设备的剖视图。[0036]图4是沿着图2的B-B’线截取的基板处理设备的剖视图。[0037]图5是图2的基板处理设备的第一热处理室的立体图。[0038]图6是图5的第一热处理室的平面图。[0039]图7是图5的第一热处理室的剖视图。具体实施方式_[0040]下面将参照附图更全面地描述各种示例实施方式,在附图中示出了一些示例实施方式。然而,本发明可以以不同形式来实施并且不应该解释为限于本文中阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式使得该公开将是彻底的且完整的,并且向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。因此,夸大附图的特征以强调明确说明。[0041]在示例性实施方式中,作为基板的示例说明了半导体晶片。然而,除了晶片外,该基板还可以是各种类型的基板,例如平板显示面板、光掩模等。[0042]图2是根据本申请的实施方式的基板处理设备的平面图。图3是沿着图2的A-A’线截取的基板处理设备的剖视图,且图4是沿着图2的B-B’线截取的基板处理设备的剖视图。[0043]参照图2至图4,基板处理设备10包括转位模块1〇〇和工艺处理模块2〇〇。[0044]转位模块100和工艺处理模块200沿着第一方向成行放置。当从顶侧观看时,将垂直于第一方向的方向称为第二方向,并且将垂直于第一方向和第二方向二者的方向称为第三方向。[0045]转位模块100安装在工艺处理模块200的前部中。转位模块100沿着第一方向n放置在工艺处理模块200的一侧。转位模块100是在工艺处理模块200和储存多个晶片w的储存盒C之间传送晶片W的转位装置。转位模块100包括装载端口110和传送单元120。装载端口110沿着第二方向X2成行放置,而传送单元120放置在装载端口110和工艺处理模块200之间。容纳基板的储存盒C通过传送装置未示出放置在装载端口上,传送装置诸如高架传送器、高架输送器或自动引导车。储存盒C可以用作密封容器,像前开式晶圆传送盒F0UP。[0046]传送单元120在工艺处理模块200和安置在装载端口110上的储存盒C之间传送晶片W。传送单元120具有转位机器人122和传送通道124,其中该传送通道被设置为供转位机器人122沿着第二方向X2移动的通路。[0047]在工艺过程期间,转位机器人122沿着传送通道124移动并将在储存盒C和工艺处理模块200之间传送晶片W。这里,在转位模块100和工艺处理模块200之间传送晶片W是通过形成在工艺处理模块200和转位模块100之间的入口(gateway进行的。[0048]工艺处理模块200包括处理模块400和缓冲模块500。[0049]处理模块400包括第一处理单元410、第二处理单元420、第一传送室430和第二传送室440。第一处理单元410和第二处理单元420执行特定半导体制造工艺。例如,第一处理单元410和第二处理单元420可以执行将溶液涂覆在晶片W上的涂覆工艺或者加热或冷却基板的烘焙工艺。[0050]下面说明第一处理单元410。[0051]第一处理单元410包括第一热处理室412、第一溶液处理室414和第一溶液提供室416。第一热处理室412利用热对基板进行处理。例如,第一热处理室412执行诸如预烘焙工艺、软烘焙工艺和或冷却工艺的工艺。预烘焙工艺通过在基板W上涂覆溶液之前利用一定温度加热基板W而去除基板W的表面上的水分或有机物质。软烘焙工艺在基板W上涂覆处理溶液之后进行,并且在每次加热工艺之后冷却工艺都对基板W进行冷却。[0052]第一热处理室412包括壳体1100、传送单元1200、加热单元1300和冷却单元1400。[0053]壳体1100在内部提供用于进行例如烘焙工艺的工艺的处理空间。壳体1100可以设置为矩形形式。该壳体包括第一侧壁mi、第二侧壁1112、第三侧壁1113和第四侧壁1114。[0054]第一侧壁1111设置在壳体1100的一侧中。基板W进入的入口1116形成在第一侧壁1111中。入口1116提供基板W的通道。[0055]第二侧壁1112形成在第一侧壁1111的相反侧。第二侧壁1112平行于第一侧壁1111设置。第三侧壁1113设置在第一侧壁1111和第二侧壁1112之间。第三侧壁1113垂直于第一侧壁1111和第二侧壁1112中的每一者设置。第四侧壁1114设置在第一侧壁1111和第二侧壁1112之间。第四侧壁1114垂直于第一侧壁1111和第二侧壁1112中的每一者设置。第四侧壁1114平行于第三侧壁1113设置。[0056]传送单元1200在壳体1100内部在加热单元1300和冷却单元1400之间移动基板W。传送单元1200包括传送板1210、支撑臂1220、支撑环123〇和驱动构件1270。[0057]基板W被放置在传送板1210上。传送板1210被设置为圆形形式。传送板1210可以设置有与基板W相同的尺寸。传送板121〇可以设置为具有良好导热性的金属材料。导向孔125〇形成在传送板1210中。导向孔1250是用于容纳升降销1315的空间。导向孔1250被设置成从传送板1210的外侧延伸到传送板1210的内侧。导向孔1250防止在传送板1210移动时与升降销1315干涉或碰撞。[0058]支撑臂1220固定地连接至传送板1210。支撑臂1220设置在传送板1210和驱动构件之间。[0059]支撑环1230设置成包围传送板1210。支撑环1230支撑传送板1210的边缘。支撑环1230起到在基板W被放置在传送板1210上之后将基板W支撑成位于正确位置的作用。[0060]驱动构件1270可以传送或输送传送板1210。驱动构件1270被设置成线性地和或上下竖直地移动传送板1210。[0061]加热单元1300通过支撑基板而加热基板。加热单元1300包括板1311、销孔1312、加热器1313、升降销1315、罩1317和驱动器1319。[0062]板1311被设置成柱体形式。板1311可以设置成具有良好导热性的材料。例如,板1311可以设置为金属材料。用于容纳升降销1315的销孔1312形成在板1311的顶部上。[0063]加热器1313加热基板W。加热器1313设置在板1311的内侧。例如,加热器1313可以作为加热线圈安装在板1311内部。与此不同,板1311可以设置有加热模式。加热器1313设置在板1311的内部,并且因此在加热基板之前先加热该板1311。[0064]销孔1312设置为在升降销1315上下移动基板W时用于升降销131的通道。销孔1312设置在板1311的顶部上并且可以设置有多个。[0065]升降销1315通过升降装置未描述上下移动。升降销1315可以将基板W安置在板1311上。升降销1315可以将基板对是升至与板1311间隔开一定距离的位置。[0066]罩1317放置在板U11的顶部上。罩1317设置成柱体形式。罩1317在其内部提供加热空间。在基板W移动到板1311时,罩1317通过驱动器1319在板1311的顶部上移动。当基板W被板1311加热时,罩1317通过驱动器1319向下移动并且形成用于加热基板W的加热空间。[0067]驱动器1:319通过支撑部件1318与罩1317固定连接。在驱动器1319被传送或输送到板1311时,该驱动器1:319使罩1317升降。例如,驱动器1319可以设置为气缸驱动器。[0068]冷却单元1400起到在处理完成的情况下冷却板1311或基板W的作用。冷却单元1400放置在壳体1100的内侧。相比于第二侧壁m2,冷却单元1400更邻近第一侧壁1111放置。冷却单元1400包括冷却板1410。[0069]冷却板1410冷却基板。冷却板1410可以设置为圆形形式。冷却板1410可以设置有与基板对应的尺寸。在冷却板1410内,可以设置冷却通道。在冷却通道中,可以提供冷却水来冷却基板W。传送板1210在基板保持在传送板1210中时放置在冷却板1410上,并且可以对基板进行冷却。[0070]第一溶液处理室414在基板上涂覆溶液。第一溶液处理室414可以通过提供溶液而在旋转的基板上形成膜。沿着第三方向X3可以堆叠多个第一溶液处理室414。[0071]第一溶液提供室416可以堆叠在第一溶液处理室414上。第一溶液提供室416和第一溶液处理室414可以沿着第三方向X3堆叠。第一溶液提供室416可以放置在第一溶液处理室414的下方。第一溶液提供室416设置到第一溶液处理室14并且储存处理溶液以利用溶液对基板进行处理。溶液提供室中的处理溶液被提供给第一溶液处理室414。[0072]第二处理单元420基于与第二方向X2平行的线与第一处理单元410对应地设置。而且,第二处理单元42〇与第一处理单元410相同地设置。第二处理单元420执行与第一处理单元410相同的功能。第二处理单元42〇包括第二热处理室422、第二溶液处理室424和第二溶液提供室426。第二热处理室422、第二溶液处理室424和第二溶液提供室426分别与第一热处理室412、第一溶液处理室414和第一溶液提供室416对应地设置。[0073]第一传送室430包括框架310和第一传送机器人350。[0074]在框架31〇内,设置第一传送机器人35〇移动的移动路线320。移动路线320沿着第三方向X3设置。在工艺过程期间,第一传送机器人350沿着移动路线320移动,并且在转位模块100和处理模块400之间传送晶片。[0075]第一传送机器人350包括基座352、竖直轴354和手部356。基座352固定地安装在地面上。竖直轴354设置成上下移动并可从基座352旋转。竖直轴354设置成沿着与第一方向XI和第二方向X2垂直的第三方向延伸。手部356设置成相对于竖直轴354前后移动。也就是说,手部356设置成向第一方向XI和第二方向X2移动。[0076]第二传送室440基于与第二方向X2平行的线与第一传送室430对应地设置。而且,第二传送室440与第一传送室430相同地设置。第二传送机器人执行与第一传送机器人350相同的功能。第二传送机器人与第一传送机器人35〇对应地设置。第二传送室440与第一传送室430邻近地设置。第二传送室440和第一传送室430沿着第一方向H布置。[0077]缓冲模块500为在工艺处理模块200和转位模块100之间传送的基板提供暂时停留的空间。缓冲模块500放置在工艺处理模块200和转位模块100之间。[0078]缓冲模块5〇0包括第一缓冲单元510和第二缓冲单元52〇。第一缓冲单元510和第二缓冲单元520沿着第二方向X2布置。当从顶侧观看时,第二方向X2为垂直于第一方向XI的方向。第一缓冲单元510和第一传送室430沿着第一方向XI布置。[0079]第一缓冲单元510包括第一缓冲室512和第一冷却室514。第一缓冲室512提供基板临时停留的空间。第一冷却室514与第一缓冲室512堆叠。第一冷却室514和第一缓冲室512沿着第三方向X3堆叠。第一冷却室514冷却基板。第一冷却室514包括载入冷却室516和载出冷却室518。载入冷却室516设置有一个或多个。多个载入冷却室516可以沿着第三方向堆叠。[OOSO]载入冷却室516对从容器例如储存盒C载入到第一传送室430的基板进行冷却。载出冷却室518设置有一个或多个。多个载出冷却室518可以沿着第三方向堆叠。载出冷却室518对从作为容器的第一传送室430载出的基板进行冷却。[0081]第二缓冲单元520与第一缓冲单元510相同地设置。第二缓冲单元520与第一缓冲单元510相邻地设置。第一缓冲单元510和第二缓冲单元520沿着第一方向XI布置。第二缓冲单元52〇和第二传送室440沿着第二方向X2布置。[0082]第一传送室430、冷却单元1400和加热单元1300可以沿着第二方向X2以该顺序布置。因此,基板从第一传送室430经过入口1116装载在冷却单元1400上,然后被传送到加热单元1300并可以利用热对该基板进行处理。[0083]第一缓冲单元510、第一热处理室412和第一溶液处理室414放置在第一传送室430的不同侧。例如,第一传送室430以矩形形式设置,并且第一缓冲单元f510、第一热处理室412和第一溶液处理室414均与第一传送室430的四侧当中的其他不同侧相邻地设置。而且,在第一传送室430的剩余侧中,第二传送室440被相邻地设置。[0084]例如,在第一传送室43〇中相邻于第二方向X2的一侧,设置第一热处理室412。在第一传送室430中相邻于第二方向X2的另一侧,相邻地设置第二传送室440。在第一传送室430中相邻于第一方向XI的一侧,设置第一缓冲单元510。在第一传送室430中相邻于第一方向n的另一侧,设置第一溶液处理室414。[0085]下面说明使用以上描述的基板处理设备处理基板的方法。[0086]第一处理单元410和第一传送室430基于与第一方向XI平行的线与第二处理单元420和第二传送室440对称地设置。因此,通过第一传送室430和第一处理单元410进行的工艺与通过第一传送室430和第一处理单元410进行的工艺相同。[0087]装载端口110、转位机器人I22、第一传送室430和第一溶液处理室414沿着第二方向X2依次放置。基板依次通过转位模块1〇〇和缓冲模块500而插入第一传送室430中。当从顶侧看时,第一传送机器人35〇移动到与第一方向XI和第二方向X2垂直的第三方向。详细地说,竖直轴354沿着第三方向竖直地移动。第一热处理室412和第一溶液处理室414与第一传送室430的不同侧相邻地放置,因此与传统设备相比,第一传送机器人350的竖直轴354不必移动到第一方向XI或第二方向X2。因此,通过缩短本发明的传送机器人的移动时间可以缩短处理时间。而且,通过使传送机器人的移动区段变窄而使不必要的涡流或流动最小可以防止工艺缺陷。[0088]当到达堆叠多个第一溶液处理室414或第一热处理室412的高度时,手部356水平移动到竖直轴354并将基板插入到第一溶液处理室414或第一热处理室412中。之后,执行基板处理工艺。[0089]此外,装载端口110、转位机器人122、第一传送室440和第二溶液处理室424沿着第二方向X2依次放置。第一热处理室412、第一传送室4:30、第二传送室440和第二热处理室422沿着第一方向XI依次放置。通过第二传送室440插入基板的处理工艺与通过所描述的第一传送室43〇插入基板的工艺相同地进行。因此,与传统设备相比,传送室由多个构成,从而缩短了传送基板的时间,由此可以缩短处理时间。[0090]前述实施方式是本发明的示例。另外,以上内容仅仅例示和描述了优选实施方式,并且这些实施方式可以包括各种组合、改变和环境。也就是说,本领域技术人员将认识到,在不脱离原理和精神的情况下可以对这些实施方式进行替换、修改和改变,这些原理和精神的范围在所附权利要求及其等同物中限定。另外,不意图将该申请的范围限制于这些具体实施方式或其具体特征或益处。相反,该申请的范围旨在唯一地由所附权利要求及其等同物来限定。

权利要求:1.一种基板处理设备,包括:沿着第一方向依次放置的转位模块、缓冲模块和处理模块,其中,所述转位模块包括:装载端口,基板收纳容器放置在所述装载端口处;和转位机器人,所述转位机器人被构造成在所述装载端口和所述缓冲模块之间传送所述基板;其中,所述缓冲模块包括当从顶侧看时沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置的第一缓冲单元和第二缓冲单元,其中,所述处理模块包括第一处理单元、第二处理单元、第一传送室和第二传送室,所述第一传送室设置有被构造成在所述第一缓冲单元和所述第一处理单元之间传送所述基板的第一传送机器人,所述第二传送室设置有被构造成在所述第二缓冲单元和所述第二处理单元之间传送所述基板的第二传送机器人,其中,所述第一传送室和所述第二传送室沿着所述第二方向布置。2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一缓冲单元包括:第一缓冲室,所述基板暂时停留在所述第一缓冲室中;以及第一冷却室,所述第一冷却室被构造成冷却所述基板并与所述第一缓冲室堆叠。3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述第一冷却室包括:当从所述容器载入到所述第一传送室时设置的一个或多个载入冷却室;以及在将所述第一传送室的基板载出到所述容器时设置的一个或多个载出冷却室。4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一处理单元包括:被构造成利用热来处理所述基板的第一热处理室;以及被构造成利用溶液处理所述基板的第一溶液处理室。5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述第一热处理室包括:壳体,在所述壳体内部设置处理空间;在所述壳体内部冷却所述基板的冷却单元;在所述壳体内部加热所述基板的加热单元;以及在所述冷却单元和所述加热单元之间传送所述基板的传送单元。6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述第一传送室、所述冷却单元和所述加热单元沿着所述第二方向依次放置。7.根据权利要求4所述的设备,其中,设置彼此堆叠的多个所述第一热处理室,并且设置彼此堆叠的多个所述第一溶液处理室。8.根据权利要求4所述的设备,其中,所述第二处理单元包括:被构造成利用热来处理所述基板的第二热处理室;以及被构造成利用溶液处理所述基板的第二溶液处理室,其中,所述装载端口、所述转位机器人、所述第一传送室和所述第一溶液处理室沿着所述第一方向依次放置;并且其中,所述第一热处理室、所述第一传送室、所述第二传送室和所述第二热处理室沿着所述第二方向依次放置。9.根据权利要求4所述的设备,其中,所述第一溶液处理室包括通过提供溶液而在旋转的基板上形成膜的室。10.根据权利要求4所述的设备,其中,所述第一热处理室、所述第一溶液处理室和所述第一缓冲单元放置在所述第一传送室的彼此不同的侧。11.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一传送机器人包括:固定地安装在地面上的基座;竖直轴,所述竖直轴安装在所述基座上并且被设置成旋转和竖直移动;以及手部,所述手部安装在所述竖直轴上并且被设置成前后移动。_、12.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一传送室和所述第二传送室相邻地放置。13.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一处理单元包括:利用热来处理基板的第一热处理室;以及利用溶液处理基板的第一溶液处理室,其中,所述第一热处理室设置为彼此堆叠的多个热处理室,、、、、其中,所述第一溶液处理室设置为彼此堆叠的多个溶液处理室并且包括通过提供溶液而在旋转的基板上形成膜的室,其中,所述装载端口、所述转位机器人、所述第一传送室和所述第一溶液处理室沿着所述第一方向依次放置,其中,所述第一热处理室、所述第一传送室、所述第二传送室和所述第二热处理室沿着所述第二方向依次放置;以及其中,所述第一传送室和所述第二传送室彼此相邻地放置。14.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一处理单元和所述第一传送室基于平行于所述第一方向的线而对称设置。15.—种基板处理设备,包括:沿着第一方向依次放置的转位模块、缓冲模块和处理模块,其中,所述转位模块包括:装载端口,基板收纳容器放置在所述装载端口处;和转位机器人,所述转位机器人被构造成在所述装载端口和所述缓冲模块之间传送所述基板;其中,所述缓冲模块包括当从顶侧看时沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置的第一缓冲单元和第二缓冲单元,其中,所述处理模块包括第一热处理室和第二热处理室、第一溶液处理室和第二溶液处理室、第一传送室、以及第二传送室,其中,所述第一热处理室和所述第二热处理室利用热来处理所述基板,所述第一溶液处理室和所述第二溶液处理室利用溶液处理所述基板,所述第一传送室设置有在所述第一热处理室、所述第一溶液处理室和所述第一缓冲单元之间传送所述基板的第一传送机器人,并且所述第二传送室设置有在所述第二热处理室、所述第二溶液处理室和所述第二缓冲单元之间传送所述基板的第二传送机器人;以及其中,所述第一传送室和所述第二传送室沿着所述第二方向相邻地放置。16.根据权利要求15所述的设备,其中,所述装载端口、所述转位机器人、所述第一传送室和所述第一溶液处理室沿着所述第一方向依次放置;以及其中,所述第一热处理室、所述第一传送室、所述第二传送室和所述第二热处理室沿着所述第二方向依次放置。17.根据权利要求15所述的设备,其中,所述第一热处理室、所述第一溶液处理室和所述第一缓冲单元放置在所述第一传送室的彼此不同的侧。18.根据权利要求15所述的设备,其中,所述第一传送室和所述第二传送室彼此相邻地放置。

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