申请/专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司

申请日：2018-05-14

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN108598092B

主分类号：H01L27/12(20060101)

分类号：H01L27/12(20060101);H01L21/77(20170101);G02F1/1362(20060101);G02F1/1368(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.24#授权;2018.10.26#实质审查的生效;2018.09.28#公开

摘要：一种阵列基板制造方法及阵列基板，阵列基板制造方法包括：在基板上依次形成第一金属层、栅极绝缘层和半导体层；依次形成第一绝缘层、保护层、第二绝缘层和第一导电层，其中，在保护层、第二绝缘层和第一导电层上形成位置对应的过孔，并先后对保护层和第一导电层退火，或者在保护层上方形成辅助导电部，辅助导电部穿过保护层的过孔与第一绝缘层接触；依次形成第三绝缘层和第二导电层。该阵列基板制造方法及阵列基板，由于在第二绝缘层上形成过孔，二次退火中可使保护层的气体充分释放并通过过孔排出，或者设置辅助导电部将保护层封闭，将气体封闭在辅助导电部下方，从而避免保护层的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。

主权项：1.一种阵列基板制造方法，包括以下步骤：在基板100上形成第一金属层110，在该基板100上形成栅极绝缘层120，并覆盖该第一金属层110，在该栅极绝缘层120上形成半导体层130，在该栅极绝缘层120上形成第二金属层140，该第二金属层140包括源极142、漏极144以及数据线，源极142和漏极144彼此分隔并分别与该半导体层130直接接触而覆盖部分的半导体层130；依次形成第一绝缘层150、保护层160、第二绝缘层170和第一导电层180；该第一绝缘层150覆盖该栅极绝缘层120，并覆盖该第二金属层140以及覆盖从该源极142和该漏极144之间暴露出来的半导体层130，该保护层160覆盖该第一绝缘层150上，该第二绝缘层170覆盖于该保护层160，该第一导电层180形成于该第二绝缘层170上；其特征在于，在该第一导电层180上形成第三绝缘层190，使该第三绝缘层190覆盖该第一导电层180，并在该第三绝缘层190上形成第二导电层200，该第二导电层200穿过该第三绝缘层190、该第一导电层180、该第二绝缘层170、该保护层160和该第一绝缘层150与该第二金属层140的漏极144导电连接；其中，在所述阵列基板制造方法中，在形成该保护层160、该第二绝缘层170和该第一导电层180时，分别在该保护层160、该第二绝缘层170和该第一导电层180上形成位置对应的过孔，先后对该保护层160和该第一导电层180退火；或者，在形成该保护层160、该第二绝缘层170和该第一导电层180时，在该保护层160上方形成辅助导电部，且在该保护层160上形成过孔，并对该第一导电层180退火，该辅助导电部覆盖该保护层160上方的一部分，并穿过该保护层160的过孔与该第一绝缘层150接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置。

全文数据：阵列基板制造方法及阵列基板技术领域[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板制造方法及阵列基板。背景技术[0002]目前显不面板尺寸及液晶显不屏像素密度PPI越来越大，使阵列基板设计时很难降低数据线及扫描线的负载，为了降低TFT金属层与ITO层中的电容，目前普遍采用在金属层与导电层ITO层中间增加一道树脂材料的保护层〇c层）。[0003]^然而，树脂材料内容易残留气体，在后续制程中，特别是在特定的条件下，例如高温或者高湿条件下，树脂材料内的残留气体释放出来，很容易在液晶层内产生液晶气泡，液晶气泡的产生严重影响产品质量。发明内容[0004]本发明的目的是提供一种避免产生液晶气泡的阵列基板制造方法及阵列基板。[0005]本发明实施例提供一种阵列基板制造方法，包括以下步骤：[0006]在基板上形成第一金属层，在该基板上形成栅极绝缘层，并覆盖该第一金属层，在该栅极绝缘层上形成半导体层，在该栅极绝缘层上形成第二金属层，该第二金属层包括源极、漏极以及数据线，源极和漏极彼此分隔并分别与该半导体层直接接触而覆盖部分的半导体层;依次形成第一绝缘层、保护层、第二绝缘层和第一导电层;该第一绝缘层覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的半导体层，该保护层覆盖该第一绝缘层上，该第二绝缘层覆盖于该保护层，该第一导电层形成于该第二绝缘层上;其中，[0007]分别在该保护层、该第二绝缘层和该第一导电层上形成位置对应的过孔，先后对该保护层和该第一导电层退火，或者在该保护层上方形成辅助导电部，且在该保护层上形成过孔，并对该第一导电层退火，该辅助导电部覆盖该保护层上方的一部分，并穿过该保护层的过孔与该弟绝缘层接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置；~[00M]在该第一导电层上形成第三绝缘层，使该第三绝缘层覆盖该第一导电层，并在该第二绝缘层上形成第二导电层，该第二导电层穿过该第三绝缘层、该第一导电层、该第二绝缘层、该保护层和该第一绝缘层与该第二金属层的漏极导电连接。、一[0009]优选地，依次形成该第一绝缘层、该保护层、该第二绝缘层和该第一导电层，该第绝缘层覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第一金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层，该第二绝缘层覆盖于该保护层，该第一导电层形成于该第二绝缘层上.其中，分别在该保护层、该第二绝缘层和该第一导电层上形成位置对应的过孔3后对该保^层和该第一导电层退火的步骤具体为：[0010]在该栅极绝缘层上形成该第一绝缘层，覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层；[0011]在该第一绝缘层上形成该保护层，对该保护层和该第一绝缘层曝光显影，并对该保护层进行退火；'[0012]在该保护层上形成该第二绝缘层，对该第二绝缘层进行曝光蚀刻并形成第三过孔；[0013]在该第二绝缘层上形成该第一导电层，并对该第一导电层曝光显影，且对该第一导电层进行蚀刻，然后对该第一导电层退火。[0014]优选地，依次形成该第一绝缘层、该保护层、该第二绝缘层和该第一导电层，该第一绝缘层覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层，该第二绝缘层覆盖于该保护层，该第一导电层形成于该第二绝缘层上;其中，分别在该保护层、该第二绝缘层和该第一导电层上形成位置对应的过孔，先后对该保护层和该第一导电层退火的步骤具体为：[0015]在该栅极绝缘层上形成该第一绝缘层，覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层；[0016]在该第一绝缘层上形成该保护层，对该保护层和该第一绝缘层曝光显影，并对该保护层进行退火；[0017]在该保护层上形成该第二绝缘层；[0018]在该第二绝缘层上形成该第一导电层，对该第一导电层曝光显影，且同时对该第一导电层和该第二绝缘层进行蚀刻，然后对该第一导电层退火。[0019]优选地，依次形成该第一绝缘层、该保护层、该第二绝缘层和该第一导电层，该第一绝缘层覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层，该弟一绝缘层覆盖于该保护层，该第一导电层形成于该第二绝缘层上;其中，分别在该保护层、该第二绝缘层和该第一导电层上形成位置对应的过孔，先后对该保护层和该第一导电层退火的步骤具体为：[0020]在该栅极绝缘层上形成该第一绝缘层，覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层；[0021]在该第一绝缘层上形成该保护层，并对该保护层进行退火；[0022]在该保护层上形成该第二绝缘层，并对该保护层进行曝光蚀刻，在该保护层和该第二绝缘层上分别形成第一过孔和第三过孔；[0023]在该第二绝缘层上形成该第一导电层，并对该第一导电层曝光显影，且对该第一导电层进行蚀刻和退火。[0024]优选地，该在保护层上方形成辅助导电部，且在保护层上形成过孔，并对该第一导电层退火，该辅助导电部覆盖保护层上方的一部分，并穿过该保护层的过孔与该第一绝缘层接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置的步骤具体为：[0025]在该栅极绝缘层上形成该第一绝缘层，覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层，并对该第一绝缘层进行成孔，形成第二过孔；[0026]在该第一绝缘层上形成该保护层，并对该保护层进行曝光显影形成第一过孔，并对该保护层进行退火；[0027]在该保护层上形成辅助导电层，该辅助导电层还穿过该第二过孔并覆盖于该第一绝缘层上，同时对该辅助导电层进行曝光显影蚀刻以形成该辅助导电部；[0028]在该辅助导电层上形成该第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖于该辅助导电层上，且覆盖该保护层没有辅助导电层的部分；[0029]在该第二绝缘层上形成该第一导电层，并对该第一导电层曝光显影，且对该第一导电层进行蚀刻和退火，该第一导电层蚀刻后露出该第二绝缘层的位置对应该辅助导电层的位置。[0030]优选地，在该保护层上方形成辅助导电部，且在该保护层上形成过孔，并对该第一导电层退火，该辅助导电部覆盖该保护层上方的一部分，并穿过该保护层的过孔与该第一绝缘层接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置的步骤具体为：[0031]在该栅极绝缘层上形成该第一绝缘层，覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的该半导体层；[0032]在该第一绝缘层上形成该保护层，并对该保护层进行曝光显影形成第一过孔，并进行退火；[0033]在该保护层上形成该第二绝缘层，并在该第二绝缘层上进行成孔，形成第三过孔；[0034]在该第二绝缘层上形成该第一导电层，该第一导电层穿过该第三过孔和该第一过孔且覆盖于该第一绝缘层上，对该第一导电层曝光显影，且对该第一导电层进行蚀刻和退火，该第一导电层蚀刻后形成第一部分和第二部分，该第一部分形成阵列基板的公共电极，该第二部分穿过该第三过孔和该第一过孔且覆盖于该第一绝缘层上，以形成该辅助导电部。[0035]本发明实施例还提供一种阵列基板，包括基板、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、保护层、辅助导电层、第二绝缘层、第一导电层、第三绝缘层和第二导电层，该第一金属层形成于该基板上，并形成栅极，该栅极绝缘层覆盖于该第一金属层，该半导体层形成于该栅极绝缘层上，并使该半导体层位于该栅极的正上方，该第二金属层形成于该栅极绝缘层上，该第二金属层包括彼此分隔的源极、漏极和数据线，该源极和该漏极分别与该半导体层接触而覆盖部分的该半导体层，该第一绝缘层覆盖该栅极绝缘层，并覆盖该第二金属层以及覆盖从该源极和该漏极之间暴露出来的半导体层，该保护层形成于该弟一绝缘层上，该弟一绝缘层覆盖该保护层，该第一导电层形成于该第二绝缘层上，该第三绝缘层覆盖该第一导电层，该第二导电层形成于该第三绝缘层上，该第一导电层和该第一导电层分别形成公共电极和像素电极，该阵列基板上形成有呈阵列排布的多个像素单元个像素单元内设有一个像素电极，每个像素单元内的像素电极通过接触孔与本像素单元内对应的漏极导电连接，其特征在于，该保护层未覆盖于每个像素单元内像素电极与对应该漏极导电连接的对应位置，并且，同一行的两个像素单元之间设置辅助电极部，且该辅助电极部设于该保护层上方并穿过该保护层与该第一绝缘层接触。[0036]优选地，该辅助导电部为设于该保护层上并穿过该保护层与该第一绝缘层接触的辅助电极层。W037]优选地，该第一导电层包括相互分隔的第一部分和第二部分，该第一部分和该第二导电层分别形成公共电极和像素电极，该第二部分穿过该第二绝缘层、该保护层与该第一'绝缘层接触以形成该辅助导电部。[0038]本发明提供的阵列基板制造方法及阵列基板，由于在第二绝缘层上形成过孔，并对保护层进行二次退火，或者设置辅助导电部将保护层封闭，使保护层的气体充分释放并通过过孔排出，或者将气体封闭在辅助导电部下方避免其进入液晶，从而避免在后续的制造过程中保护层的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。附图说明[0039]图1为本发明第一、第二、第三实施例的阵列基板制造方法所制造的阵列基板结构不意图；[0040]图2a-图2i为本发明第一实施例的阵列基板制造方法示意图；[0041]图3a-图M为本发明第二实施例的阵列基板制造方法示意图；[0042]图4a_图4f为本发明第三实施例的阵列基板制造方法示意图；[0043]图图5c为本发明第四实施例的阵列基板制造方法所制造的阵列基板结构示意图；[0044]图6a_图6j为本发明第四实施例的阵列基板制造方法示意图；[0045]图7a_7c为本发明第五实施例的阵列基板制造方法所制造的阵列基板结构示意图；[0046]图如-Sg为本发明第五实施例的阵列基板制造方法示意图。具体实施方式[0047]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对f发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。[0048]如图1^示，本发明的阵列基板制造方法的第一实施例、第二实施例和第三实施例用于制造图1所示的阵列基板，该阵列基板包括基板100、第一金属层110、栅极绝缘层120、半导体^13〇、第二金属层140、第一绝缘层150、保护层160、第二绝缘层170、第一导电层1S0、第三绝缘层19〇和第二导电层2〇〇。第一金属层110形成于基板100上，并形成栅极，栅极绝缘层120覆盖第一金属层110,半导体层13〇形成于栅极绝缘层12〇上，并使半导体层13〇位于栅极的正上方。半导体层130例如是非晶硅a-Si半导体层，但并不以此为限。第二金属层140形成于栅极绝缘层120上，第二金属层140包括彼此分隔的源极142、漏极144和数据线，源极142和漏极144分别与半导体层130接触而覆盖部分的半导体层13〇，换句话说，部分半导体层130从源极142和漏极144之间暴露出来。本实施例中，源极142与数据线（图未示）连接、，但并不以此为限。第一绝缘层150覆盖栅极绝缘层12〇,并覆盖第二金属层14〇以及覆^从源极142和漏极144之间暴露出来的半导体层13〇。保护层16〇形成于第一绝缘层15〇上，第二绝缘层170覆盖保护层160,第一导电层18〇形成于第二绝缘层17〇上，第三绝缘层19〇覆盖第一导电层180,第二导电层2〇〇形成于第三绝缘层19〇上。第一导电层18〇和第二导电层200可分另^形成公共电极和像素电极。该阵列基板上形成有呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元内设有一个像素电极，每个像素单元内的像素电极通过接触孔与本像素单元内对应的漏极144导电连接。[0049]第一实施例[0050]本实施例的阵列基板制造方法包括以下步骤：[0051]S11，如图2a所示，在基板100上形成第一金属层110,在基板100上形成栅极绝缘层120，并覆盖第一金属层110，在栅极绝缘层120上形成半导体层130，在栅极绝缘层120上形成第二金属层140。基板100例如是透明玻璃基板，第一金属层110例如是栅极。半导体层130例如是非晶硅a-Si半导体层，但并不以此为限。第二金属层140例如是源极142、漏极144以及数据线，源极142和漏极144彼此分隔并分别与半导体层130直接接触而覆盖部分的半导体层130。换句话说，部分半导体层130从源极142和漏极144之间暴露出来。在此步骤中，第一金属层110、半导体层130和第二金属层140均需曝光蚀刻形成。[0052]具体地，步骤S11可包括：[0053]步骤S112:利用第一道光罩制程在基板100上形成第一金属层110。[0054]步骤S114:在基板100上形成栅极绝缘层120,并覆盖第一金属层110。[0055]步骤S116:利用第二道光罩制程在栅极绝缘层120上形成半导体层130,并使半导体层130位于第一金属层110栅极的正上方。[0056]步骤S118:在半导体层130形成之后，利用第三道光罩制程在栅极绝缘层120上形成第二金属层140。[0057]S12,如图2b所示，在栅极绝缘层120上形成第一绝缘层150,覆盖栅极绝缘层120，并覆盖第二金属层140以及覆盖从源极142和漏极144之间暴露出来的半导体层130。具体地，第一绝缘层150为膜层，以成膜方式形成。[0058]S13,如图k所示，在第一绝缘层150上形成保护层160,如图2d所示，对保护层160和第一绝缘层150曝光显影，在保护层160上形成图案，并对保护层160进行退火。保护层160由树脂材料制成，其设于第二金属层140和第一导电层之间以降低其间的电容，降低数据线和扫描线的负载。对保护层160和第一绝缘层150曝光显影可在保护层160和第一绝缘层150上分别形成第一过孔162和第二过孔152。对保护层160进行退火的温度约为23TC，时间约为60分钟。[0059]S14,如图2e所示，在保护层160上形成第二绝缘层170,如图2f所示，对第二绝缘层170进行曝光蚀刻，并形成第三过孔172。具体地，第二绝缘层170为膜层，以成膜方式形成。[0060]S15,如图2g所示，在第二绝缘层170上形成第一导电层180,如图2h所示，并对第一导电层180曝光显影，且对第一导电层180进行蚀刻，然后对第一导电层180退火。对其中，第一导电层180为IT0层，可由氧化铟锡材料制成。对第一导电层180进行蚀刻可在第一导电层18〇上形成第四过孔I82。在对第一导电层180进行退火的温度约为25CTC，时间约为72分钟。对第二绝缘层17〇曝光蚀刻的光罩和对第一导电层180蚀刻的光罩为同一光罩。[0061]S16,如图2i所示，在第一导电层180上形成第三绝缘层19〇,使第三绝缘层190覆盖第一导电层18〇,并在第三绝缘层19〇上形成第二导电层2〇〇。在此步骤中，第二导电层2〇〇需要通过曝光蚀刻的方法或其他方法形成多个阵列排布的像素电极，在此不再赘述。在第二导电层200的形成过程中，第二导电层200穿过第三绝缘层19〇、第一导电层18〇的第四过孔182、第二绝缘层170的第三过孔172、保护层160的第一过孔162和第一绝缘层150的第二过孔152与第一金属层140的漏极144导电连接。第二导电层200例如是由氧化铟锡（ITO，IndiumTinOxide等透明导电材料制成，但并不以此为限。[0062]本阵列基板制造方法中，由于在第二绝缘层uo上形成了第三过孔172,并在第三过孔I72形成后在对第一导电层180的退火过程中，对保护层160进行了二次退火，可使保护层160的气体充分释放并通过第四过孔182排出，避免在后续的制造过程中保护层16〇的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。[0063]第二实施例[0064]本实施例的阵列基板制造步骤S21至S23与实施例一的阵列基板制造步骤S11至S13所述相同，如图2a至图2d所示，在此不在详细叙述。本实施例的阵列基板制造步骤与实施列一的阵列基板制造步骤相比，其区别在于：[0065]S24,如图3a所不，在保护层16〇上形成第二绝缘层170。具体地，第二绝缘层170为膜层，以成膜方式形成。[0066]S25,如图3b所示，在第二绝缘层170上形成第一导电层180,如图3c所示，对第一导电层180曝光显影，且同时对第一导电层180和第二绝缘层17〇进行蚀刻，然后对第一导电层180退火。第一导电层180为IT0层，可由氧化铟锡材料制成。对第一导电层18〇和第二绝缘层170进行蚀刻可在第一导电层180和第二绝缘层170上分别形成第四过孔182和第三过孔172。在对第一导电层180进行退火的温度约为250°C，时间约为72分钟。[0067]S26，如图3d所示，与实施例一的阵列基板制造步骤S16相同，不在详细叙述。[0068]本阵列基板制造方法中，同时对第一导电层180和第二绝缘层170进行蚀刻，可在第一导电层18〇和第二绝缘层170上分别形成第四过孔182和第三过孔172,然后对第一导电层180退火。在对第一导电层180的退火过程中，对保护层160进行了二次退火，可使保护层的气体充分释放并通过第四过孔182排出，避免在后续的制造过程中保护层160的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。[0069]第三实施例[0070]本实施例的阵列基板制造步骤S31至S32与实施例一的阵列基板制造步骤S11至S12所述相同，如图也和图％所示，在此不在详细叙述。本实施例与实施列一相比，其区别在于：[0071]S33,如图4a所示，在第一绝缘层丨5〇上形成保护层160,并对保护层160进行退火。保护层160由树脂材料制成，其设于第二金属层140和第一导电层之间以降低其间的电容，降低数据线和扫描线的负载。对保护层160进行退火的温度约为230。：，时间约为60分钟。[0072]"S34,如图4b所示，在保护层160上形成第二绝缘层170,如图4c所示，并对保护层160和第一绝缘层170进行曝光蚀刻，在保护层16〇和第二绝缘层170上分别形成第一过孔I62和第三过孔1了2。具体地，第二绝缘层no为膜层，以成膜方式形成。[0073]S35,如图4d所示，在第二绝缘层170上形成第一导电层18〇,如图4e所示，并对第一导电层180曝光显影，且对第一导电层180进行蚀刻和退火。对其中，第一导电层18〇*IT〇层，可由氧化铟锡材料制成。对第一导电层180进行蚀刻可在第一导电层18〇上形成第四过孔182。在对第一导电层iso进行退火的温度约为25rc，时间约为72分钟。[0074]S36，所示，与实施例一的阵列基板制造步骤sie相比，其区别在于:形成第一导电层2〇〇之前需蚀刻第一绝缘层15〇以供后续第二导电层2〇〇穿过第一绝缘层，在此不再赘述。[0075]本阵列^板制造方法中，对保护层ie〇和第二绝缘层170进行曝光蚀刻分别形成第一过孔I62和第三过孔I72。然后对第一导电层180进行曝光显影、蚀刻形成第四过孔182且对第一导电层180进行退火。由于在第二绝缘层170上形成了第三过孔172,并在第三过孔172形成后在对第一导电层18〇的退火过程中，对保护层160进行了二次退火，可使保护层的气体充分释放并通过第四过孔182排出，避免在后续的制造过程中保护层160的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。[0076]本实施例中，由于在第一导电层180形成后，第一绝缘层150上并没有开孔，因此可在形成第二导电层2〇0之前形成第三导电层，相比之下，第一实施例和第二实施例中就不能形成第三导电层了。[0077]第四实施例的阵列基板制造方法用于制造如图5a至图5c所示的阵列基板，该阵列基板与实施一的阵列基板相比，其区别在于:第二金属层140包括彼此分隔的源极142、漏极144和数据线146,源极142和漏极144分别与半导体层130接触而覆盖部分的半导体层130，换句话说，部分半导体层130从源极142和漏极144之间暴露出来。本实施例中，源极142与数据线146连接，漏极144与扫描线112连接，但并不以此为限。该阵列基板上形成有呈阵列排布的多个像素单元PX，每个像素单元PX内设有一个像素电极，每个像素单元PX内的像素电极通过接触孔147与本像素单元PX内对应的漏极144导电连接，且保护层160未覆盖于每个像素单元PX内像素电极与对应漏极144导电连接的位置。并且，同一行的两个像素单元PX之间设置辅助电极层161，且辅助电极层161设于保护层160上并穿过保护层160与第一绝缘层150接触以封闭保护层160的开口。[0078]本阵列基板中，由于对应第一导电层180被蚀刻掉的位置设有覆盖保护层160的辅助导电层161，使辅助导电层161和第一导电层180形成一个整面的导电层，可防止保护层160内的气体穿过第二绝缘层170进入液晶，而后续第二导电层200穿过各层与漏极144导电连接的位置没有保护层160,因此避免在后续的制造过程中保护层160的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。[0079]第四实施例[0080]本实施例的阵列基板制造步骤S41与实施例一的阵列基板制造步骤S11所述相同，如图2a所示，在此不在详细叙述。本实施例的阵列基板制造步骤与实施列一的阵列基板制造步骤相比，其区别在于：[0081]S42,如图6a所示，在栅极绝缘层120上形成第一绝缘层150,覆盖栅极绝缘层120，并覆盖第二金属层140以及覆盖从源极142和漏极144之间暴露出来的半导体层130,如图6b所示，对第一绝缘层150进行成孔，形成第二过孔图未示）。具体地，第一绝缘层150为膜层，以成膜方式形成。[0082]S43,如图6c所示，在第一绝缘层150上形成保护层160,如图6d所示，并对保护层160进行曝光显影形成第一过孔162,在保护层160上形成图案，并对保护层160进行退火。保护层160由树脂材料制成，其设于第二金属层140和第一导电层之间以降低其间的电容，降低数据线和扫描线的负载。对保护层160进行退火的温度约为230°C，时间约为60分钟。[0083]S44,如图6e所示，在保护层160上形成辅助导电层161，辅助导电层161还穿过第一过孔162并覆盖于第一绝缘层150上，如图6f所示，同时对辅助导电层161进行曝光显影蚀亥IJ，形成图案。[0084]S45,如图6§所示，在辅助导电层161上形成第二绝缘层170,第二绝缘层170覆盖于辅助导电层161上以及保护层160上。具体地，第二绝缘层170为膜层，以成膜方式形成。L〇〇85」S46,如图6h所示，在第二绝缘层170上形成第一导电层丨洲，如图6i所示，并对第一导电层18〇曝光显影，且对第一导电层180进行蚀刻和退火，第一导电层180蚀刻后露出第二绝缘层170对应辅助导电层161的位置，具体地说，第一导电层〖洲蚀刻后露出第二绝缘层170的位置为阵列基板的两个像素单元之间未设置第一导电层丨⑻的位置。其中，第一导电层180为H0层，可由氧化铟锡材料制成。在对第一导电层18〇进行退火的温度约为25rc，时间约为72分钟。[0086]S47,如图6j所示，在第一导电层丨洲上形成第三绝缘层190,使第三绝缘层19〇覆盖第一导电层180,并在第三绝缘层190上形成第二导电层2〇〇。在此步骤中，第二导电层2〇〇需要通过曝光蚀刻的方法或其他方法形成多个阵列排布的像素电极，在此不再赘述。[0087]在第二导电层200的形成过程中，第二导电层2〇〇穿过第三绝缘层190、第一导电层180、第二绝缘层170和第一绝缘层150的第二过孔与第二金属层14〇的漏极144导电连接，也就是说，第二导电层200与漏极144导电连接的位置未覆盖有保护层160见图5b，在此不再赘述。[0088]本阵列基板制造方法中，由于对应第一导电层180被蚀刻掉的位置设有覆盖保护层160的辅助导电层161，使辅助导电层161和第一导电层180形成一个整面的导电层，可防止保护层160内的气体穿过第二绝缘层17〇进入液晶，而后续第二导电层2〇〇穿过各层与漏极144导电连接的位置没有保护层16〇,因此避免在后续的制造过程中保护层16〇的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。[0089]第五实施例的阵列基板制造方法用于制造如图7a至图7c所示的阵列基板，该阵列基板与实施例四的阵列基板相比，区别在于:第一导电层180包括相互分隔的第一部分185和第二部分186,第一部分185和第二导电层200可分别形成公共电极和像素电极。该阵列基板上形成有呈阵列排布的多个像素单元PX，每个像素单元PX内设有一个像素电极，每个像素单元PX内的像素电极通过接触孔147与本像素单元PX内对应的漏极144导电连接，且保护层16〇未覆盖于每个像素单元PX内像素电极与对应漏极144导电连接的对应位置。并且，第二导电层200同一行的两个像素单元PX之间设置第二部分186,第二部分186穿过第二绝缘层170、保护层160与第一绝缘层150接触以封闭保护层160的开口。[0090]本阵列基板中，由于对应两个像素单元PX之间的位置被第一导电层18〇的第二部分186覆盖，将保护层160的第一过孔I62覆盖，可防止保护层160内的气体穿过第二绝缘层170进入液晶，而后续第二导电层200穿过各层与漏极144导电连接的位置没有保护层160，因此避免在后续的制造过程中保护层160的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。[0091]第五实施例[0092]阵列基板的制造步骤S51至S52与实施例一的步骤S11至S12所述相同，在此不在详细叙述。如图2a和图2b所示，本实施例与实施列一相比，其区别在于：[0093]S53,如图8a所示，在第一绝缘层150上形成保护层160,如图8b所示，并对保护层160进行曝光显影形成第一过孔162,在保护层160上形成图案，并对保护层W0进行退火。保护层160由树脂材料制成，其设于第二金属层140和第一导电层之间以降低其间的电容，降低数据线和扫描线的负载。对保护层160进行退火的温度约为23TC，时间约为60分钟。[0094]S54,如图8c所示，在保护层160上形成第二绝缘层170,如图8d所示，并在第二绝缘层170上进行成孔，形成第三过孔i72。具体地，第二绝缘层i70为膜层，以成膜方式形成。[^95]S55,如图8e所示，在第二绝缘层170上形成第一导电层180,第一导电层18〇穿过第三过孔172和第一过孔162且覆盖于第一绝缘层150上，如图8f所示，对第一导电层18〇曝光显影，且对第一导电层180进行蚀刻和退火，第一导电层180蚀刻后形成第一部分185和第二部分186,第一部分185为阵列基板的公共电极，第二部分I86穿过第三过孔172和第一过孔162且覆盖于第一绝缘层150上，具体地说，第一导电层180蚀刻后形成的第二部分186的位置对应阵列基板的两个像素单元之间的区域。其中，第一导电层18〇为IT0层，可由氧化铟锡材料制成。在对第一导电层ISO进行退火的温度约为25〇°C，时间约为72分钟。[0096]S56,如图8g所示，在第一导电层180上形成第三绝缘层190,使第三绝缘层190覆盖第一导电层180,并在第三绝缘层190上形成第二导电层200。在此步骤中，第二导电层2〇〇需要通过曝光蚀刻的方法或其他方法形成多个阵列排布的像素电极，在此不再赘述。在第二导电层200的形成过程中，第二导电层200穿过第三绝缘层190、第一导电层180、第二绝缘层170和第一绝缘层150与第二金属层140的漏极144导电连接，也就是说，第二导电层200与漏极144导电连接的位置未覆盖有保护层160见图7b，在此不再赘述。第二导电层200例如是由氧化铟锡（ITO,IndiumTinOxide等透明导电材料制成，但并不以此为限。[0097]本阵列基板制造方法中，由于对应两个像素单元之间的位置被第一导电层180的第二部分186覆盖，将保护层160的第一过孔162覆盖，可防止保护层160内的气体穿过第二绝缘层170进入液晶，而后续第二导电层200穿过各层与漏极144导电连接的位置没有保护层160,因此避免在后续的制造过程中保护层160的气体进入液晶层而造成液晶气泡，提高了液晶显示装置的质量。[0098]以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

权利要求：1.一种阵列基板制造方法，包括以下步骤：在基板（100上形成第一金属层（110，在该基板（100上形成栅极绝缘层（120，并覆盖该第一金属层（110，在该栅极绝缘层（120上形成半导体层（130，在该栅极绝缘层120上形成第二金属层（140，该第二金属层（140包括源极（142、漏极（144以及数据线，源极（142和漏极（144彼此分隔并分别与该半导体层（130直接接触而覆盖部分的半导体层（13〇;依次形成第一绝缘层（150、保护层Qeo、第二绝缘层（170和第一导电层180;该第一绝缘层（150覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的半导体层（130，该保护层160覆盖该第一绝缘层（15〇上，该第二绝缘层（170覆盖于该保护层（160，该第一导电层（180形成于该第二绝缘层170上;其特征在于，分别在该保护层（16〇、该第二绝缘层（170和该第一导电层（180上形成位置对应的过孔，先后对该保护层ie〇和该第一导电层180退火，或者在该保护层160上方形成辅助导电部，且在该保护层160上形成过孔，并对该第一导电层（180退火，该辅助导电部覆盖该保护层160上方的一部分，并穿过该保护层（160的过孔与该第一绝缘层150接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置；在该第一导电层（180上形成第三绝缘层（190，使该第三绝缘层（190覆盖该第一导电层（180，并在该第三绝缘层（190上形成第二导电层200，该第二导电层200穿过该第三绝缘层190、该第一导电层（180、该第二绝缘层170、该保护层160和该第一绝缘层150与该第二金属层140的漏极144导电连接。2.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，依次形成该第一绝缘层（150、该保护层（160、该第二绝缘层（170和该第一导电层（180，该第一绝缘层（150覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的该半导体层（13〇，该第二绝缘层（170覆盖于该保护层（160，该第一导电层180形成于该第二绝缘层（170上;其中，分别在该保护层（160、该第二绝缘层（170和该第一导电层（180上形成位置对应的过孔，先后对该保护层（160和该第一导电层（180退火的步骤具体为：在该栅极绝缘层（120上形成该第一绝缘层（150，覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的该半导体层130；在该第一绝缘层（150上形成该保护层（160，对该保护层160和该第一绝缘层（150曝光显影，并对该保护层（160进行退火；在该保护层（16〇上形成该第二绝缘层（no，对该第二绝缘层（170进行曝光蚀刻，并形成第三过孔172;在该第二绝缘层（170上形成该第一导电层（180，并对该第一导电层（180曝光显影，且对该第一导电层180进行蚀刻，然后对该第一导电层（180退火。3.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，依次形成该第一绝缘层（150、该保护层（160、该第二绝缘层（170和该第一导电层（180，该第一绝缘层（150覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层140以及覆盖从该源极（142和该漏极144之间暴露出来的该半导体层（13〇，该第二绝缘层（17〇覆盖于该保护层（160，该第一导电层180形成于该第一绝缘层（no上;其中，分别在该保护层（]_6〇、该第二绝缘层（丨7〇和该第一导电层（180上形成位置对应的过孔，先后对该保护层（160和该第一导电层（18〇退火的步骤具体为：在该栅极绝缘层（120上形成该第一绝缘层（150，覆盖该栅极绝缘层（12〇，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的该半导体层130；在该第一绝缘层（150上形成该保护层（160，对该保护层（160和该第一绝缘层（150曝光显影，并对该保护层160进行退火；在该保护层（160上形成该第二绝缘层（170;在该第二绝缘层（170上形成该第一导电层（180，对该第一导电层（180曝光显影，且同时对该第一导电层（ISO和该第二绝缘层（170进行蚀刻，然后对该第一导电层（180退火。4.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，依次形成该第一绝缘层（150、该保护层（160、该第二绝缘层（17〇和该第一导电层（180，该第一绝缘层（150覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的该半导体层（13〇，该第二绝缘层（170覆盖于该保护层（160，该第一导电层180形成于该第二绝缘层（170上;其中，分别在该保护层160、该第二绝缘层（170和该第一导电层（18〇上形成位置对应的过孔，先后对该保护层（160和该第一导电层（180退火的步骤具体为：在该栅极绝缘层（120上形成该第一绝缘层（150，覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的该半导体层130；在该第一绝缘层150上形成该保护层（160，并对该保护层（160进行退火；在该保护层（160上形成该第二绝缘层（170，并对该保护层（160进行曝光蚀刻，在该保护层160和该第二绝缘层（170上分别形成第一过孔162和第三过孔（172;在该第二绝缘层（170上形成该第一导电层（180，并对该第一导电层（180曝光显影，且对该第一导电层180进行蚀刻和退火。5.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，该在保护层（160上方形成辅助导电部，且在保护层（160上形成过孔，并对该第一导电层（180退火，该辅助导电部覆盖保护层160上方的一部分，并穿过该保护层160的过孔与该第一绝缘层150接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置的步骤具体为：在该栅极绝缘层（120上形成该第一绝缘层（150，覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的该半导体层130，并对该第一绝缘层（150进行成孔，形成第二过孔；在该第一绝缘层（150上形成该保护层（160，并对该保护层（160进行曝光显影形成第一过孔（162，并对该保护层（160进行退火；在该保护层（160上形成辅助导电层（161，该辅助导电层（161还穿过该第二过孔162并覆盖于该第一绝缘层（150上，同时对该辅助导电层（161进行曝光显影蚀刻以形成该辅助导电部；在该辅助导电层（161上形成该第二绝缘层（170，该第二绝缘层（170覆盖于该辅助导电层161上，且覆盖该保护层160没有辅助导电层161的部分；在该第二绝缘层（170上形成该第一导电层（180，并对该第一导电层（180曝光显影，且对该第一导电层（18〇进行蚀刻和退火，该第一导电层（iso蚀刻后露出该第二绝缘层170的位置对应该辅助导电层161的位置。6.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，在该保护层d60上方形成辅助导电部，且在该保护层（160上形成过孔，并对该第一导电层（180退火，该辅助导电部覆盖该保护层（160上方的一部分，并穿过该保护层（160的过孔与该第一绝缘层（150接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置的步骤具体为：在该栅极绝缘层（12〇上形成该第一绝缘层（150，覆盖该栅极绝缘层（120，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极（142和该漏极（144之间暴露出来的该半导体层130；在该第一绝缘层（150上形成该保护层（160，并对该保护层（160进行曝光显影形成第一过孔162，并进行退火；在该保护层（160上形成该第二绝缘层（170，并在该第二绝缘层（17〇上进行成孔，形成第三过孔172;在该第二绝缘层（170上形成该第一导电层（180，该第一导电层（180穿过该第三过孔（I72和该第一过孔（16¾且覆盖于该第一绝缘层（ISO上，对该第一导电层（180曝光显影，且对该第一导电层（180进行蚀刻和退火，该第一导电层（180蚀刻后形成第一部分185和第二部分（186，该第一部分（185形成阵列基板的公共电极，该第二部分186穿过该第三过孔（172和该第一过孔（162且覆盖于该第一绝缘层（150上，以形成该辅助导电部。7.—种阵列基板，包括基板（1〇〇、第一金属层（11〇、栅极绝缘层（120、半导体层130、第二金属层（140、第一绝缘层（150、保护层（160、辅助导电层（161、第二绝缘层170、第一导电层（180、第三绝缘层（190和第二导电层200，该第一金属层（110形成于该基板（100上，并形成栅极，该栅极绝缘层（120覆盖于该第一金属层（11〇，该半导体层（130形成于该栅极绝缘层（120上，并使该半导体层（130位于该栅极的正上方，该第二金属层（140形成于该栅极绝缘层（丨2〇上，该第二金属层（140包括彼此分隔的源极142、漏极（144和数据线（146，该源极（142和该漏极（144分别与该半导体层（130接触而覆盖部分的该半导体层（13〇，该第一绝缘层（150覆盖该栅极绝缘层12〇，并覆盖该第二金属层（140以及覆盖从该源极142和该漏极144之间暴露出来的半导体层130，该保护层（160形成于该第一绝缘层（150上，该第二绝缘层（170覆盖该保护层（160，该第一导电层（180形成于该第二绝缘层（170上，该第三绝缘层（190覆盖该第一导电层180，该第二导电层200形成于该第三绝缘层（190上，该第一导电层（180和该第二导电层200分别形成公共电极和像素电极，该阵列基板上形成有呈阵列排布的多个像素单元PX，每个像素单元PX内设有一个像素电极，每个像素单元PX内的像素电极通过接触孔与本像素^元PX内对应的漏极（144导电连接，其特征在于，该保护层（160未覆盖于每个像素单元PX内像素电极与对应该漏极（144导电连接的对应位置，并且，同一行的两个像素单元PX之间设置辅助电极部，且该辅助电极部设于该保护层（16〇上方并穿过该保护层（160与该第一绝缘层（150接触。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，该辅助导电部为设于该保护层（16〇上并穿过该保护层160与该第一绝缘层150接触的辅助电极层（161。9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，该第一导电层（180包括相互分隔的第一部分I85和第二部分（186，该第一部分（I85和该第二导电层200分别形成公共电极和像素电极，该第二部分（186穿过该第二绝缘层（170、该保护层（160与该第一绝缘层lf5〇接触以形成该辅助导电部。

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