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【发明授权】一种高增益放大电路_深圳云天励飞技术有限公司_201811654773.6 

申请/专利权人:深圳云天励飞技术有限公司

申请日:2018-12-29

公开(公告)日:2020-11-24

公开(公告)号:CN109831168B

主分类号:H03F3/45(20060101)

分类号:H03F3/45(20060101);H03F1/48(20060101);H03G3/30(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.11.24#授权;2019.06.25#实质审查的生效;2019.05.31#公开

摘要:本发明提供了一种高增益放大电路。该放大电路包括:主放大器、第一辅助放大器、第二辅助放大器。主放大器分别与上述第一辅助放大器和第二辅助放大器相连接。第一辅助放大器的一端和第二辅助放大器的一端相连接并作为放大电路的输出端。主放大器用于对放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号。第一辅助放大器用于对第一放大信号进行第二级放大并输出第二放大信号。第二辅助放大器用于对上述第一放大信号进行第二级放大并输出第三放大信号。第一放大信号、第二放大信号和第三放大信号叠加后的信号为放大电路的输出端输出的信号。采用本发明实施例,可提升放大电路的增益。

主权项:1.一种高增益放大电路,其特征在于,所述放大电路包括:主放大器、第一辅助放大器、第二辅助放大器、共模反馈电路和第三辅助电路;所述主放大器分别与所述第一辅助放大器和所述第二辅助放大器相连接,所述第一辅助放大器的一端和所述第二辅助放大器的一端相连接并作为所述放大电路的输出端;所述主放大器用于对所述放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号,所述第一辅助放大器用于对所述第一放大信号进行第二级放大并输出第二放大信号,第二辅助放大器用于对所述第一放大信号进行第二级放大并输出第三放大信号,所述第一放大信号、所述第二放大信号和所述第三放大信号叠加后的信号为所述放大电路的输出端输出的信号;其中,所述第一辅助放大器的第一输出端和所述第二辅助放大器的第一输出端相连接并作为所述放大电路的第一输出端,所述第一辅助放大器的第二输出端和所述第二辅助放大器的第二输出端相连接并作为所述放大电路的第二输出端;所述共模反馈电路用于抑制所述放大电路的第一输出端和所述放大电路的第二输出端的输出信号中的直流电压偏移,所述第三辅助电路用于驱动所述主放大器正常工作;所述共模反馈电路包括第七MOS管07、第八MOS管08以及第一隔离电路和第二隔离电路,所述第一隔离电路包括第九MOS管09、第十MOS管10、第一直流源、第二直流源,所述第二隔离电路包括第十一MOS管11、第十二MOS管12、第三直流源、第四直流源;所述第七MOS管07和所述第八MOS管08的漏极同时与所述第三辅助电路一端相连接,所述第七MOS管07和所述第八MOS管08的源极同时接入正电源VDD,所述第七MOS管07的栅极与所述放大电路的第一输出端相连接,所述第八MOS管08的栅极与所述放大电路的第二输出端相连接,所述第三辅助电路的另一端与所述主放大器的一端相连接;所述第一直流源的输入端和所述第十MOS管10的漏极同时接入正电源VDD,所述第一直流源的输出端与所述第九MOS管09的源极相连接,所述第九MOS管09的栅极与所述放大电路的第一输出端相连接,所述第九MOS管09的漏极与所述第二直流源的输出端同时接入负电源VSS,所述第二直流源的输入端和所述第十MOS管10的源极同时与所述第七MOS管07的栅极相连接,所述第十MOS管10的栅极与所述第九MOS管09的源极相连接;所述第三直流源的输入端和所述第十二MOS管12的漏极同时接入所述正电源VDD,所述第三直流源的输出端与所述第十一MOS管11的源极相连接,所述第十一MOS管11的栅极与所述放大电路的第二输出端相连接,所述第十一MOS管11的漏极与所述第四直流源的输出端同时接所述负电源VSS,所述第四直流源的输入端和所述第十二MOS管12的源极同时与所述第八MOS管08的栅极相连接,所述第十二MOS管12的栅极与所述第十一MOS管11的源极相连接。

全文数据:一种高增益放大电路技术领域本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种高增益放大电路。背景技术随着科学技术的不断发展,各种各样的电子装置层出不穷。这些具备多样功能的电子装置,基本都是由很多个具备不同功能的模拟电路或者数字电路组成。放大电路作为基本电路之一,其在各式各样的电子装置中所起的作用不容忽视。因此,高性能的放大电路成为当前的一个研究热点。现有技术中,模拟电路的一级放大器其增益一般只有60dB,无法应用于一些高增益要求的环境。为了得到更高的增益,会将一级放大器级联成多级放大器。虽然多级放大器其增益变大,但是电路结构会变得更加复杂,并且也会对整个放大电路的性能造成影响,使得放大电路的稳定性差,实用性低。发明内容本发明实施例提供一种高增益放大电路。该电路增益高,实用性强。本发明实施例提供的高增益放大电路包括:主放大器、第一辅助放大器、第二辅助放大器。上述主放大器分别与上述第一辅助放大器和上述第二辅助放大器相连接,上述第一辅助放大器的一端和上述第二辅助放大器的一端相连接并作为上述放大电路的输出端。上述主放大器用于对上述放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号。上述第一辅助放大器用于对上述第一放大信号进行第二级放大并输出第二放大信号。第二辅助放大器用于对上述第一放大信号进行第二级放大并输出第三放大信号,上述第一放大信号、上述第二放大信号和上述第三放大信号叠加后的信号为上述放大电路的输出端输出的信号。在本发明实施例中,通过主放大器、第一辅助放大器和第二辅助放大器进行两级放大,使得放大后叠加的信号相对于放大电路输入端的输入信号来说有较高增益,实现了高增益放大的效果。在一些可行的实施方式中,上述放大电路的输入端输入的信号包括第一信号和第二信号,上述放大电路还包括:第一辅助电路、第二辅助电路、第三辅助电路;上述主放大器的第一输入端作为上述放大电路的第一输入端接入上述第一信号,上述主放大器的第二输入端作为上述放大电路的第二输入端接入上述第二信号,上述主放大器的第一输出端与上述第一辅助放大器的第一输入端和上述第一辅助电路的一端相连接,上述主放大器的第二输出端与上述第一辅助放大器的第二输入端和上述第一辅助电路的另一端相连接;上述第一辅助放大器的第一输出端和上述第二辅助放大器的第一输出端相连接并作为上述放大电路的第一输出端,上述第一辅助放大器的第二输出端和上述第二辅助放大器的第二输出端相连接并作为上述放大电路的第二输出端,上述第二辅助放大器的第一输入端与上述第二辅助电路的一端相连接,上述第二辅助放大器的第二输入端与上述第二辅助电路的另一端相连接;上述第一辅助电路的一端接入第二偏置电压,上述第一辅助电路的另一端接入负电源VSS,上述第二辅助电路和上述第三辅助电路的一端同时接入正电源VDD,上述第三辅助电路的另一端与上述主放大器的一端相连接,上述第二辅助电路的另一端接入第一偏置电压,上述第一辅助电路和上述第二辅助电路共同用于驱动上述第一辅助放大器和上述第二辅助放大器正常工作,第三辅助放大器用于驱动上述主放大器正常工作。在一些可行的实施方式中,上述主放大器包括MOS管01和MOS管02。上述MOS管01和上述MOS管02的源极同时与上述第三辅助电路的一端相连接,上述MOS管01的栅极接入上述第一信号,上述MOS管02的栅极接入上述第二信号,上述MOS管01的漏极与上述第一辅助放大器的第一输入端相连接,上述MOS管02的漏极与上述第一放大器的第二输入端相连接。在一些可行的实施方式中,上述第一辅助电路包括MOS管03和MOS管04,上述第二辅助电路包括MOS管05和MOS管06;上述MOS管03的漏极与上述MOS管01的漏极相连接,上述MOS管04的漏极和上述MOS管02的漏极相连接,上述MOS管03和上述MOS管04的栅极同时接入上述第二偏置电压,上述MOS管03和上述MOS管04的源极同时接入上述负电源VSS;上述MOS管05的漏极与上述第二辅助放大器的第一输入端相连接,上述MOS管06的漏极与上述第二辅助放大器的第二输入端相连接,上述MOS管05和上述MOS管06的栅极同时接入上述第一偏置电压,上述MOS管05和上述MOS管06的源极同时接入上述正电源VDD。在一些可行的实施方式中,上述放大电路还包括共模反馈电路,上述共模反馈电路的输出端与上述第三辅助电路的一端相连接,上述共模反馈电路的第一输入端与上述放大电路第一输出端相连接,上述共模反馈电路的第二输入端与上述放大电路第二输出端相连接。上述共模反馈电路用于抑制上述放大电路的第一输出端和上述放大电路的第二输出端的输出信号中的直流电压偏移。在一些可行的实施方式中,上述共模反馈电路包括MOS管07、MOS管08。上述MOS管07和上述MOS管08的漏极同时与上述第三辅助电路一端相连接,上述MOS管07和上述MOS管08的源极同时接入上述正电源VDD,上述MOS管07的栅极与上述放大电路的第一输出端相连接,上述MOS管08的栅极与上述放大电路的第二输出端相连接。在一些可行的实施方式中,上述共模反馈电路还包括:第一隔离电路和第二隔离电路。上述MOS管07的栅极通过上述第一隔离电路与上述放大电路的第一输出端相连接。上述MOS管08的栅极通过上述第二隔离电路与上述放大电路第二输出端相连接。在一些可行的实施方式中,上述第一隔离电路包括MOS管09、MOS管10、第一直流源、第二直流源,上述第二隔离电路包括MOS管11、MOS管12、第三直流源、第四直流源;上述第一直流源的输入端和上述MOS管10的漏极同时接入上述正电源VDD,上述第一直流源的输出端与上述MOS管09的源极相连接,上述MOS管09的栅极与上述放大电路的第一输出端相连接,上述MOS管09的漏极与上述第二直流源的输出端同时接入上述负电源VSS,上述第二直流源的输入端和上述MOS管10的源极同时与上述MOS管07的栅极相连接,上述MOS管10的栅极与上述MOS管09的源极相连接;上述第三直流源的输入端和上述MOS管12的漏极同时接入上述正电源VDD,上述第三直流源的输出端与上述MOS管11的源极相连接,上述MOS管11的栅极与上述放大电路的第二输出端相连接,上述MOS管11的漏极与上述第四直流源的输出端同时接上述负电源VSS,上述第四直流源的输入端和上述MOS管12的源极同时与上述MOS管08的栅极相连接,上述MOS管12的栅极与上述MOS管11的源极相连接。在一些可行的实施方式中,上述第三辅助电路包括:MOS管13和MOS管14。述MOS管13的源极同时与上述MOS管07和上述MOS管08的漏极相连接,上述MOS管13的栅极接入第三偏置电压,上述MOS管13的漏极与上述MOS管14的源极相连接,上述MOS管14的栅极接入第四偏置电压,上述MOS管14的漏极与上述MOS管01和上述MOS管02的源极相连接。在一些可行的实施方式中,上述第一辅助放大器包括:第一主辅助放大器和第一次辅助放大器。述第一主辅助放大器的第一输入端和上述第一次辅助放大器的一端同时与上述MOS管01的漏极相连接,上述第一主辅助放大器的第二输入端和上述第一次辅助放大器的另一端同时与上述MOS管02的漏极相连接,上述第一主辅助放大器的第一输出端与上述第一次辅助放大器的第一输入端相连接,上述第一主辅助放大器的第二输出端与上述第一次辅助放大器的第二输入端相连接,上述第一次辅助放大器的第一输出端与上述放大电路第一输出端相连接,上述第一次辅助放大器的第二输出端与上述放大电路第二输出端相连接。在一些可行的实施方式中,上述第一主辅助放大器包括:MOS管15、MOS管16、MOS管17、MOS管18、MOS管19、MOS管20、MOS管21、MOS管22、MOS管23、MOS管24、MOS管25和MOS管26;上述MOS管15的栅极与上述MOS管01的漏极相连接,上述MOS管16的栅极与上述MOS管02的漏极相连接,上述MOS管15和上述MOS管16的源极同时与上述MOS管17的漏极相连接,上述MOS管17的栅极接入第六偏置电压,上述MOS管17的源极与上述MOS管18的漏极相连接,上述MOS管18的栅极接入第五偏置电压,上述MOS管18的源极与上述MOS管19的源极、上述MOS管20的源极同时接入上述正电源VDD,上述MOS管19和上述MOS管20的栅极同时接入上述第五偏置电压,上述MOS管19的漏极与上述MOS管21的源极相连接,上述MOS管20的漏极与上述MOS管22的源极相连接,上述MOS管21和上述MOS管22的栅极同时接入上述第六偏置电压,上述MOS管21和上述MOS管23的漏极同时与上述第一次辅助放大器的第一输入端相连接,上述MOS管22和上述MOS管24的漏极同时与上述第一次辅助放大器的第二输入端相连接相连接,上述MOS管23和上述MOS管24的栅极同时接入第七偏置电压,上述MOS管23的源极同时与上述MOS管15和上述MOS管25的漏极相连接,上述MOS管24的源极同时与上述MOS管16和上述MOS管26的漏极相连接,上述MOS管25和上述MOS管26的栅极同时接入第八偏置电压,上述MOS管25和上述MOS管26的源极同时接入上述负电源VSS。在一些可行的实施方式中,上述第一次辅助放大器包括:MOS管27和MOS管28。述MOS管27的源极同时与上述MOS管15的栅极和上述MOS管01的漏极相连接,上述MOS管27的漏极与上述放大电路第一输出端相连接,上述MOS管28源极同时与上述MOS管16的栅极和上述MOS管02的漏极相连接,上述MOS管28漏极与上述放大电路第二输出端相连接,上述MOS管27的栅极与上述第一主辅助放大电路的第一输出端相连接,上述MOS管28的栅极与上述第一主辅助放大电路的第二输出端相连接。在一些可行的实施方式中,上述第二辅助放大器包括:第二主辅助放大器和第二次辅助放大器。上述第二主辅助放大器的第一输入端同时与上述第二辅助电路的一端和第二次辅助放大器的一端相连接,上述第二主辅助放大器的第二输入端同时与上述第二辅助电路的另一端和上述第二次辅助放大器的另一端相连接,上述第二主辅助放大器的第一输出端与上述第二次辅助放大器的第一输入端相连接,上述第二主辅助放大器的第二输出端与上述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,上述第二次辅助放大器的第一输出端与上述放大电路第一输出端相连接上述第二次辅助放大器的第二输出端与上述放大电路第二输出端相连接。在一些可行的实施方式中,上述第二主辅助放大器包括:MOS管29、MOS管30、MOS管31、MOS管32、MOS管33、MOS管34、MOS管35、MOS管36、MOS管37、MOS管38、MOS管39和MOS管40。上述MOS管29的栅极与同时与上述第二辅助电路的一端和上述第二次辅助放大器的一端相连接,上述MOS管30的栅极同时与上述第二辅助电路的另一端和上述第二次辅助放大器的另一端相连接,上述MOS管29和上述MOS管30的源极同时与上述MOS管31的漏极相连接,上述MOS管31的栅极接入第九偏置电压,上述MOS管31的源极与上述MOS管32的漏极相连接,上述MOS管32的栅极接入第十偏置电压,上述MOS管32的源极与上述MOS管33的源极、上述MOS管34的源极同时接入上述负电源VSS,上述MOS管33和上述MOS管34的栅极同时接入上述第十偏置电压,上述MOS管33的漏极与上述MOS管35的源极相连接,上述MOS管34的漏极与上述MOS管36的源极相连接,上述MOS管35和上述MOS管36的栅极同时接入上述第九偏置电压,上述MOS管35和上述MOS管37的漏极同时与上述第二次辅助放大器的第一输入端相连接相连接,上述MOS管36和上述MOS管38的漏极同时与上述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,上述MOS管37和上述MOS管38的栅极同时接入第十二偏置电压,上述MOS管37的源极同时与上述MOS管39和上述MOS管29的漏极相连接,上述MOS管38的源极同时与上述MOS管40和上述MOS管30的漏极相连接,上述MOS管39和上述MOS管40的栅极同时接入第十一偏置电压,上述MOS管39和上述MOS管40的源极同时接入上述正电源VDD。在一些可行的实施方式中,上述第二次辅助放大器包括:MOS管41和MOS管42。上述MOS管41的源极与上述第二次辅助放大器的第一输入端相连接,上述MOS管42的源极与上述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,上述MOS管41漏极与上述放大电路第一输出端相连接,上述MOS管42的漏极与上述放大电路第二输出端相连接,上述MOS管41的栅极与上述第二主辅助放大器的第一输出端相连接,上述MOS管42的栅极与上述第二主辅助放大器的第二输出端相连接。在本发明实施例提供的高增益放大电路中,通过主放大器、第一辅助放大器和第二辅助放大器进行两级放大,使得放大后叠加的信号相对于放大电路输入端的输入信号来说有较高增益,实现了高增益放大的效果。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本发明实施例提供的一种高增益放大电路一结构示意图图2是本发明实施例提供的一种高增益放大电路另一结构示意图;图3是本发明实施例提供的一种高增益放大电路又一结构电路图;图4是本发明实施例提供的一种高增益放大电路一电路图;图5是本发明实施例提供的一种高增益放大电路另一电路图;图6是本发明实施例提供的一种高增益放大电路又一电路图;图7是本发明实施例提供的一种第一辅助放大器的电路图;图8是本发明实施例提供的一种第二辅助放大器的电路图。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。请参见图1,图1是本发明实施例提供的一种高增益放大电路一结构示意图。由图1可知,该放大电路主要包括:主放大器、第一辅助放大器、第二辅助放大器。上述主放大器分别与上述第一辅助放大器和上述第二辅助放大器相连接,上述第一辅助放大器的一端和上述第二辅助放大器的一端相连接并作为上述放大电路的输出端。上述主放大器用于对上述放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号,上述第一辅助放大器用于对上述第一放大信号进行第二级放大并输出第二放大信号,第二辅助放大器用于对上述第一放大信号进行第二级放大并输出第三放大信号,上述第一放大信号、上述第二放大信号和上述第三放大信号叠加后的信号为上述放大电路的输出端输出的信号。上述放大电路先通过主放大器对该放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号,再通过第一辅助放大器和第二辅助放大器对上述第一放大信号进行放大,得到第二放大信号和第三放大信号,最后将上述第一放大信号、第二放大信号和第三放大信号叠加并作为放大电路输出端输出的信号。通过对输入信号进行多次放大和叠加,可使得该放大电路具备高增益。请参见图2,图1是本发明实施例提供的一种高增益放大电路另一结构示意图。由图2可知,该放大电路还包括第一辅助电路、第二辅助电路、第三辅助电路。这里,需要说明的是,方便理解和描述。上述第一偏置电压下文以偏置电压vb1代替描述,第二偏置电压下文以偏置电压vb2代替描述,依次类推,第十二偏置电压以偏置电压vb12代替描述。具体实现中,上述主放大器的第一输入端作为放大电路的第一输入端接入第一信号,上述主放大器的第二输入端作为放大电路的第二输入端接入第二信号。上述主放大器的第一输出端与上述第一辅助放大器的第一输入端和上述第一辅助电路的一端相连接,主放大器的第二输出端与上述第一辅助放大器的第二输入端和上述第一辅助电路的另一端相连接。上述主放大器可用于对上述第一信号和上述第二信号进行第一级放大,以得到第一级放大后的第一信号和第二信号。上述第一辅助放大器的第一输出端和上述第二辅助放大器的第一输出端同时与放大电路第一输出端相连接。上述第一辅助放大器的第二输出端和上述第二辅助放大器的第二输出端同时与放大电路第二输出端相连接。上述第二辅助放大器的第一输入端与上述第二辅助电路的一端相连接,上述第二辅助放大器的第二输入端与上述第二辅助电路的另一端相连接。上述第一辅助放大器用于对主放大器第一输出端和第二输出端输出的信号进行放大。上述第二辅助放大器也用于对主放大器第一输出端和第二输出端输出的信号进行放大,最后主放大器的第一输出端、第一辅助放大器的第一输出端和第二辅助放大器的第一输出端这三个端口输出的信号叠加为上述放大电路的第一输出端输出的信号。最后主放大器的第二输出端、第一辅助放大器的第二输出端和第二辅助放大器的第二输出端这三个端口输出的信号叠加为上述放大电路的第二输出端输出的信号。上述第一辅助电路的一端接入偏置电压vb2,上述第一辅助电路的另一端接入负电源VSS。上述第二辅助电路和上述第三辅助电路的一端同时接入正电源VDD,上述第二辅助电路一端接入偏置电压vb1。上述第一辅助电路和上述第二辅助电路共同用于驱动上述第一辅助放大器和上述第二辅助放大器正常工作。上述第三辅助放大器用于驱动上述主放大器正常工作。其中,上述第一信号和第二信号均为由固定的直流分量和交流分量叠加后的信号。在一些可行的实施方式中,请参见图3,图3是本发明实施例提供的一种高增益放大电路另一结构示意图。由图3可知,上述高增益放大电路还可包括共模反馈电路。上述共模反馈电路的输出端与上述第三辅助电路的一端相连接。上述共模反馈电路的第一输入端与上述放大电路第一输出端相连接。上述共模反馈电路的第二输入端与上述放大电路第二输出端相连接。上述共模反馈电路用于抑制上述放大电路第一输出端和上述放大电路第二输出端的直流电压偏移。具体实现中,当放大电路第一输出端和放大电路第二输出端输出的放大后的第一信号和放大后的第二信号中的直流分量产生偏移时,共模反馈电路可将该偏移量反馈至主放大器,从而影响后续电路中的电流,使得放大电路的第一输出端和放大电路的第二输出端输出的信号中的直流分量反向偏移,从而实现直流分量偏移的抑制。可选的,具体实现中,请一并参见图4,图4是本发明实施例提供的一种高增益放大电路一电路图。由图4可知,上述主放大器包括MOS管01和MOS管02。上述MOS管01和上述MOS管02的源极同时与上述第三辅助电路的一端相连接。上述MOS管01的栅极接入上述第一信号即Vin+。上述MOS管02的栅极接入上述第二信号即Vin-。上述MOS管01的漏极与上述第一辅助放大器的第一输入端相连接。上述MOS管02的漏极与上述第一放大器的第二输入端相连接。可选的,上述第一辅助电路包括MOS管03和MOS管04。上述MOS管03的漏极与上述MOS管01的漏极相连接。上述MOS管04的漏极和上述MOS管02的漏极相连接。上述MOS管03和上述MOS管04的栅极同时接入上述偏置电压vb2。上述MOS管03和上述MOS管04的源极同时接入上述负电源VSS。上述第二辅助电路包括MOS管05和MOS管06。上述MOS管05的漏极与上述第二辅助放大器的第一输入端相连接。上述MOS管06的漏极与上述第二辅助放大器的第二输入端相连接。上述MOS管05和上述MOS管06的栅极同时接入上述偏置电压vb1。上述MOS管05和上述MOS管06的源极同时接入上述正电源VDD。使用MOS管构成辅助电路,结构简单,易于实现,并且还便于电路的集成。可选的,上述第三辅助电路包括:MOS管13和MOS管14。上述MOS管13的源极同时与上述MOS管07和上述MOS管08的漏极相连接。上述MOS管13的栅极接入偏置电压vb3。上述MOS管13的漏极与上述MOS管14的源极相连接。上述MOS管14的栅极接入偏置电压vb4。上述MOS管14的漏极与上述MOS管01和上述MOS管02的源极相连接。在一些可行的实施方式中,请一并参见图5,图5是本发明实施例提供的一种高增益放大电路另一电路图。由图5可知,具体实现中,上述共模反馈电路可包括MOS管07、MOS管08。上述MOS管07和上述MOS管08的漏极同时与上述第三辅助电路一端相连接。上述MOS管07和上述MOS管08的源极同时接入上述正电源VDD。上述MOS管07的栅极与上述放大电路第一输出端相连接,上述MOS管08的栅极与上述放大电路第二输出端相连接。使用两个MOS管构成共模反馈电路,方法简答,易于实现,且可将降低放大电路的成本。可选的,请一并参见图6,图6是本发明实施例提供的一种高增益放大电路又一电路图。由图6可知,上述共模反馈电路还可同时包括MOS管07、MOS管08、第一隔离电路和第二隔离电路。上述MOS管07的栅极通过上述第一隔离电路与上述放大电路的第一输出端相连接。上述MOS管08的栅极通过上述第二隔离电路与上述放大电路第二输出端相连接。上述第一隔离电路用于在放大电路第一输出端和MOS管07之间形成隔离,以减少放大电路的第一输出端和MOS管07之间的寄生电容对放大电路第一输出端输出的信号即Vout和放大电路第二输出端输出的信号即Vout-产生干扰,从而对整个放大电路的增益带宽产生的影响。同理,上述第二隔离电路是用于减少放大电路的第二输出端和MOS管08之间的寄生电容对整个放大电路的增益带宽产生的影响。进一步的,上述第一隔离电路可包括MOS管09、MOS管10、第一直流源、第二直流源,上述第二隔离电路包括MOS管11、MOS管12、第三直流源、第四直流源。上述第一直流源的输入端和上述MOS管10的漏极同时接入上述正电源VDD。上述第一直流源的输出端与上述MOS管09的源极相连接。上述MOS管09的栅极与上述放大电路第一输出端相连接。上述MOS管09的漏极与上述第二直流源的输出端同时接入上述负电源VDD。上述第二直流源的输入端和上述MOS管10的源极同时与上述MOS管07的栅极相连接。上述MOS管10的栅极与上述MOS管09的源极相连接。上述第三直流源的输入端和上述MOS管12的漏极同时接入上述正电源VDD。上述第三直流源的输出端与上述MOS管11的源极相连接。上述MOS管11的栅极与上述放大电路第二输出端相连接。上述MOS管11的漏极与上述第四直流源的输出端同时接上述负电源VDD。上述第四直流源的输入端和上述MOS管12的源极同时与上述MOS管08的栅极相连接。上述MOS管12的栅极与上述MOS管11的源极相连接。具体实现中,上述MOS管09、MOS管10、MOS管11和MOS管12均为尺寸较小的MOS管,这样其寄生电容较小,对放大电路的带宽产生的影响很小。并且在第一隔离电路中,第一直流源可给MOS管07的源极提供一个稳定的直流,使得MOS管08的漏源电流和MOS管07的漏源电流相同,从而使得MOS管08的栅源电压和MOS管07的栅源电压相同,这样就可使得放大电路第一输出端输出vout+可以在不受MOS管11的寄生电容干扰的情况下,传输至反馈电路的第一输入端,从而避免了MOS管11的寄生电容对带宽产生的影响。第二隔离电路的工作原理同上,此处便不再赘述。这里,使用MOS管和直流源构成第一隔离电路和第二隔离电路,结构稳定,且易于实现。在一些可行的实施方式中,请一并参见图7,图7是本发明实施例提供的一种第一辅助放大器的电路图,由图7可知,上述第一辅助放大器包括:第一主辅助放大器即图中的AUX1和第一次辅助放大器。上述第一主辅助放大器的第一输入端和上述第一次辅助放大器的一端同时与上述MOS管01的漏极相连接。上述第一次辅助放大器的第二输入端和上述第一次辅助放大器的另一端同时与上述MOS管02的漏极相连接。上述第一主辅助放大器的第一输出端与上述第一次辅助放大器的第一输入端相连接。上述第一主辅助放大器的第二输出端与上述第一次辅助放大器的第二输入端相连接。上述第一次辅助放大器的第一输出端与上述放大电路第一输出端相连接。上述第一次辅助放大器的第二输出端与上述放大电路第二输出端相连接。通过第一主辅助放大器和第二次辅助放大器可对主放大器放大后的第一信号进行两级放大,提升了整个电路的放大增益,同时,当第一次辅助放大器的电容较大时,可降低第一辅助放大器对输出信号的增益带宽产生的影响,保证了放大电路的增益带宽。可选的,具体实现中,上述第一主辅助放大器包括:MOS管15、MOS管16、MOS管17、MOS管18、MOS管19、MOS管20、MOS管21、MOS管22、MOS管23、MOS管24、MOS管25和MOS管26。上述MOS管15的栅极与上述MOS管01的漏极相连接。上述MOS管16的栅极与上述MOS管02的漏极相连接。上述MOS管15和上述MOS管16的源极同时与上述MOS管17的漏极相连接。上述MOS管17的栅极接入偏置电压vb6。上述MOS管17的源极与上述MOS管18的漏极相连接。上述MOS管18的栅极接入偏置电压vb5。上述MOS管18的源极与上述MOS管19的源极、上述MOS管20的源极同时接入上述正电源VDD。上述MOS管19和上述MOS管20的栅极同时接入上述偏置电压vb5。上述MOS管19的漏极与上述MOS管21的源极相连接,上述MOS管20的漏极与上述MOS管22的源极相连接。上述MOS管21和上述MOS管22的栅极同时接入上述偏置电压vb6。上述MOS管21和上述MOS管23的漏极同时与上述第一次辅助放大器的第一输入端相连接。上述MOS管22和上述MOS管24的漏极同时与上述第一次辅助放大器的第二输入端相连接相连接。上述MOS管23和上述MOS管24的栅极同时接入偏置电压vb7。上述MOS管23的源极同时与上述MOS管15和上述MOS管25的漏极相连接。上述MOS管24的源极同时与上述MOS管16和上述MOS管26的漏极相连接。上述MOS管25和上述MOS管26的栅极同时接入偏置电压vb8,上述MOS管25和上述MOS管26的源极同时接入上述负电源VDD。这里,采用共源共栅结构,通过多个MOS管构成第一主辅助放大器,可使得第一主辅助放大器的放大性能稳定,体积小,便于集成。可选的,具体实现中,上述第一从辅助放大器包括:MOS管27和MOS管28。上述MOS管27的源极同时与上述MOS管15的栅极和上述MOS管01的漏极相连接,上述MOS管27的漏极与上述放大电路第一输出端相连接。上述MOS管28源极同时与上述MOS管16的栅极和上述MOS管02的漏极相连接。上述MOS管28漏极与上述放大电路第二输出端相连接。上述MOS管27的栅极与上述第一主辅助放大电路的第一输出端相连接,上述MOS管28的栅极与上述第一主辅助放大电路的第二输出端相连接。这里,由于MOS管27和MOS管28的电容较大,这就使得放电电路内部包含的对输出信号的增益带宽有影响的电容减少,使得输出信号中对带宽增益有影响的极点数减少,从而使得放大电路具备高增益的同时也具备高增益带宽。在一些可行的实施方式中,请一并参见图8,图8是本发明实施例提供的一种第二辅助放大器的电路图。由图8可知,上述第二辅助放大器包括:第二主辅助放大器即图中的AUX2和第二次辅助放大器。上述第二主辅助放大器的第一输入端同时与上述第二辅助电路的一端和第二次辅助放大器的一端相连接。上述第二主辅助放大器的第二输入端同时与上述第二辅助电路的另一端和上述第二次辅助放大器的另一端相连接。上述第二主辅助放大器的第一输出端与上述第二次辅助放大器的第一输入端相连接。上述第二主辅助放大器的第二输出端与上述第二次辅助放大器的第二输入端相连接。上述第二次辅助放大器的第一输出端与上述放大电路第一输出端相连接上述第二次辅助放大器的第二输出端与上述放大电路第二输出端相连接。这里,通过第二主辅助放大器和第二次辅助放大器可对主放大器放大后的第一信号进行两级放大,提升了整个电路的放大增益,同时,当第二次辅助放大器的电容较大时,可降低第二辅助放大器对放大电路的增益带宽产生的影响,保证了输出信号的增益带宽。可选的,具体实现中,上述第二主辅助放大器包括:MOS管29、MOS管30、MOS管31、MOS管32、MOS管33、MOS管34、MOS管35、MOS管36、MOS管37、MOS管38、MOS管39和MOS管40。上述MOS管29的栅极与同时与上述第二辅助电路的一端和上述第二次辅助放大器的一端相连接,上述MOS管30的栅极同时与上述第二辅助电路的另一端和上述第二次辅助放大器的另一端相连接,上述MOS管29和上述MOS管30的源极同时与上述MOS管31的漏极相连接,上述MOS管31的栅极接入偏置电压vb9,上述MOS管31的源极与上述MOS管32的漏极相连接,上述MOS管32的栅极接入偏置电压vb10,上述MOS管32的源极与上述MOS管33的源极、上述MOS管34的源极同时接入上述负电源VDD,上述MOS管33和上述MOS管34的栅极同时接入上述偏置电压vb10,上述MOS管33的漏极与上述MOS管35的源极相连接,上述MOS管34的漏极与上述MOS管36的源极相连接,上述MOS管35和上述MOS管36的栅极同时接入上述偏置电压vb9,上述MOS管35和上述MOS管37的漏极同时与上述第二次辅助放大器的第一输入端相连接相连接,上述MOS管36和上述MOS管38的漏极同时与上述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,上述MOS管37和上述MOS管38的栅极同时接入偏置电压vb12,上述MOS管37的源极同时与上述MOS管39和上述MOS管29的漏极相连接,上述MOS管38的源极同时与上述MOS管40和上述MOS管30的漏极相连接,上述MOS管39和上述MOS管40的栅极同时接入偏置电压vb11,上述MOS管39和上述MOS管40的源极同时接入上述正电源VDD。可选的,具体实现中,上述第二次辅助放大器包括:MOS管41和MOS管42。上述MOS管41的源极与上述第二次辅助放大器的第一输入端相连接,上述MOS管42的源极与上述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,上述MOS管41漏极与上述放大电路第一输出端相连接,上述MOS管42的漏极与上述放大电路第二输出端相连接,上述MOS管41的栅极与上述第二主辅助放大器的第一输出端相连接,上述MOS管42的栅极与上述第二主辅助放大器的第二输出端相连接。具体工作原理可参见第一次辅助放大电路的工作原理,此处便不再赘述。采用共源共栅结构,通过多个MOS管构成第二主辅助放大器,也能使得第二主辅助放大器的放大性能稳定,体积小,便于集成。下面基于图6、图7和图8的电路图对本发明提供的高增益放大电路的工作原理进行叙述。在第三辅助电路给MOS管01和MOS管02的源极提供了一个稳定的直流的情况下,第三辅助电路与MOS管01和MOS管02的连接处相当于接模拟地。在放大电路上电瞬间,第一信号和第二信号中的固定直流分量可分别使得MOS管01和MOS管02导通。当主放大器第一输入端输入的信号中的交流分量变大时,使得MOS管01的栅源电压变大,由MOS在导通状态下的工作原理可知,MOS管01的漏源电流也会随之变大。由电路图可知,MOS管05的漏源电流等于MOS管01的漏源电流与MOS管03的漏源电流之和,因为MOS管03的栅极存在一个稳定的偏置电压vb2,因此MOS管03的漏源电流并不会改变。所以,MOS管01的漏源电流变大是因为MOS管05的漏源电流变大。由于MOS管03和MOS管09的辅助作用,使得由正电源VDD流经MOS管09、MOS管07、MOS管05和MOS管03到负电源VSS的直流不会产生变化,因此,MOS管05的漏源电流变大只能是放大电路第一输出端处的寄生电容放电产生,这就会导致放大电路第一输出端的电压Vout+变小。同理,当Vin-中的交流分量变小时,会最终导致放大电路第二输出端的电压Vout-变大此电压为负电压。由于整个放大电路的输出电压为|Vout+-Vout-|,即为-[Vout--Vout+],因此,当Vout-变大,Vout+变小时,整个放大电路输出电压变大。同理,当Vin+中的交流分量变小,Vin-中的交流分量变大时,整个放大电路输出电压也会变大。这因此,上述主放大器可对输入的第一信号和第二信号进行第一级放大。与此同时,在Vin+中的交流分量变大时,MOS管03的漏极与MOS管01的漏极之间的寄生电容会产生放电现象,这就会导致该寄生电容的电压值变小,从而使得第一主辅助放大电路的第一输入端的电压变小。同理,在Vin-中的交流分量变大时,会导致第一主辅助放大电路的第二输入端的电压变大。由电路图可知,第一主辅助放大电路主要依赖共栅共源的MOS管15和MOS管15实现电压放大,原理和主放大器原理相同,因此,第一主辅助放大器的第一输入端的电压变小,第一主辅助放大器的第二输入端的电压变大时,第一主辅助放大器的第一输出端电压会变大,第一主辅助放大器的第二输出端电压变小。当第一主辅助放大器的第一输出端电压变大时,使得MOS管27的栅源电流变大,从而使得放大电路第一输出端的寄生电容产生放电现象,放大电路第一输出端的电压变小。当第一主辅助放大器的第二输出端电压变小时,使得MOS管28的栅源电流变小,从而使得放大电路第一输出端的寄生电容产生充电现象,放大电路第二输出端的电压变大。这样最终可使得整个电路输出的电压|Vout+-Vout-|变大,从而实现了对第一信号和第二信号的二级放大。需要说明的是,第二辅助放大电路和第一辅助放大电路互为镜像电路,工作原理相同,此处便不再赘述。共模反馈模块的工作原理参见如上,此处便不再赘述。本发明实施例提供的高增益放大电路,先通过主放大器对该放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号,再通过第一辅助放大器和第二辅助放大器对上述第一放大信号进行放大,得到第二放大信号和第三放大信号,最后将上述第一放大信号、第二放大信号和第三放大信号叠加并作为放大电路输出端输出的信号。通过对输入信号进行多次放大和叠加,可使得该放大电路具备高增益。以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。

权利要求:1.一种高增益放大电路,其特征在于,所述放大电路包括:主放大器、第一辅助放大器、第二辅助放大器;所述主放大器分别与所述第一辅助放大器和所述第二辅助放大器相连接,所述第一辅助放大器的一端和所述第二辅助放大器的一端相连接并作为所述放大电路的输出端;所述主放大器用于对所述放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号,所述第一辅助放大器用于对所述第一放大信号进行第二级放大并输出第二放大信号,第二辅助放大器用于对所述第一放大信号进行第二级放大并输出第三放大信号,所述第一放大信号、所述第二放大信号和所述第三放大信号叠加后的信号为所述放大电路的输出端输出的信号。2.根据权利要求1所述的放大电路,其特征在于,所述放大电路的输入端输入的信号包括第一信号和第二信号,所述放大电路还包括:第一辅助电路、第二辅助电路、第三辅助电路;所述主放大器的第一输入端作为所述放大电路的第一输入端接入所述第一信号,所述主放大器的第二输入端作为所述放大电路的第二输入端接入所述第二信号,所述主放大器的第一输出端与所述第一辅助放大器的第一输入端和所述第一辅助电路的一端相连接,所述主放大器的第二输出端与所述第一辅助放大器的第二输入端和所述第一辅助电路的另一端相连接;所述第一辅助放大器的第一输出端和所述第二辅助放大器的第一输出端相连接并作为所述放大电路的第一输出端,所述第一辅助放大器的第二输出端和所述第二辅助放大器的第二输出端相连接并作为所述放大电路的第二输出端,所述第二辅助放大器的第一输入端与所述第二辅助电路的一端相连接,所述第二辅助放大器的第二输入端与所述第二辅助电路的另一端相连接;所述第一辅助电路的一端接入第二偏置电压,所述第一辅助电路的另一端接入负电源VSS,所述第二辅助电路和所述第三辅助电路的一端同时接入正电源VDD,所述第三辅助电路的另一端与所述主放大器的一端相连接,所述第二辅助电路的另一端接入第一偏置电压,所述第一辅助电路和所述第二辅助电路共同用于驱动所述第一辅助放大器和所述第二辅助放大器正常工作,第三辅助放大器用于驱动所述主放大器正常工作。3.根据权利要求1或2所述的放大电路,其特征在于,所述主放大器包括MOS管01和MOS管02;所述MOS管01和所述MOS管02的源极同时与所述第三辅助电路的一端相连接,所述MOS管01的栅极接入所述第一信号,所述MOS管02的栅极接入所述第二信号,所述MOS管01的漏极与所述第一辅助放大器的第一输入端相连接,所述MOS管02的漏极与所述第一放大器的第二输入端相连接。4.根据权利要求2或3所述的放大电路,其特征在于,所述第一辅助电路包括MOS管03和MOS管04,所述第二辅助电路包括MOS管05和MOS管06;所述MOS管03的漏极与所述MOS管01的漏极相连接,所述MOS管04的漏极和所述MOS管02的漏极相连接,所述MOS管03和所述MOS管04的栅极同时接入所述第二偏置电压,所述MOS管03和所述MOS管04的源极同时接入所述负电源VSS;所述MOS管05的漏极与所述第二辅助放大器的第一输入端相连接,所述MOS管06的漏极与所述第二辅助放大器的第二输入端相连接,所述MOS管05和所述MOS管06的栅极同时接入所述第一偏置电压,所述MOS管05和所述MOS管06的源极同时接入所述正电源VDD。5.根据权利要求1-4任一项所述的放大电路,其特征在于,所述放大电路还包括共模反馈电路,所述共模反馈电路的输出端与所述第三辅助电路的一端相连接,所述共模反馈电路的第一输入端与所述放大电路第一输出端相连接,所述共模反馈电路的第二输入端与所述放大电路第二输出端相连接;所述共模反馈电路用于抑制所述放大电路的第一输出端和所述放大电路的第二输出端的输出信号中的直流电压偏移。6.根据权利要求5所述的放大电路,其特征在于,所述共模反馈电路包括MOS管07、MOS管08;所述MOS管07和所述MOS管08的漏极同时与所述第三辅助电路一端相连接,所述MOS管07和所述MOS管08的源极同时接入所述正电源VDD,所述MOS管07的栅极与所述放大电路的第一输出端相连接,所述MOS管08的栅极与所述放大电路的第二输出端相连接。7.根据权利要求6所述的放大电路,其特征在于,所述共模反馈电路还包括:第一隔离电路和第二隔离电路;所述MOS管07的栅极通过所述第一隔离电路与所述放大电路的第一输出端相连接;所述MOS管08的栅极通过所述第二隔离电路与所述放大电路第二输出端相连接。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一隔离电路包括MOS管09、MOS管10、第一直流源、第二直流源,所述第二隔离电路包括MOS管11、MOS管12、第三直流源、第四直流源;所述第一直流源的输入端和所述MOS管10的漏极同时接入所述正电源VDD,所述第一直流源的输出端与所述MOS管09的源极相连接,所述MOS管09的栅极与所述放大电路的第一输出端相连接,所述MOS管09的漏极与所述第二直流源的输出端同时接入所述负电源VSS,所述第二直流源的输入端和所述MOS管10的源极同时与所述MOS管07的栅极相连接,所述MOS管10的栅极与所述MOS管09的源极相连接;所述第三直流源的输入端和所述MOS管12的漏极同时接入所述正电源VDD,所述第三直流源的输出端与所述MOS管11的源极相连接,所述MOS管11的栅极与所述放大电路的第二输出端相连接,所述MOS管11的漏极与所述第四直流源的输出端同时接所述负电源VSS,所述第四直流源的输入端和所述MOS管12的源极同时与所述MOS管08的栅极相连接,所述MOS管12的栅极与所述MOS管11的源极相连接。9.根据权利要求2-8任一项所述的方法,其特征在于,所述第三辅助电路包括:MOS管13和MOS管14;所述MOS管13的源极同时与所述MOS管07和所述MOS管08的漏极相连接,所述MOS管13的栅极接入第三偏置电压,所述MOS管13的漏极与所述MOS管14的源极相连接,所述MOS管14的栅极接入第四偏置电压,所述MOS管14的漏极与所述MOS管01和所述MOS管02的源极相连接。10.根据权利要求2-9任一项所述的方法,其特征在于,所述第一辅助放大器包括:第一主辅助放大器和第一次辅助放大器;所述第一主辅助放大器的第一输入端和所述第一次辅助放大器的一端同时与所述MOS管01的漏极相连接,所述第一主辅助放大器的第二输入端和所述第一次辅助放大器的另一端同时与所述MOS管02的漏极相连接,所述第一主辅助放大器的第一输出端与所述第一次辅助放大器的第一输入端相连接,所述第一主辅助放大器的第二输出端与所述第一次辅助放大器的第二输入端相连接,所述第一次辅助放大器的第一输出端与所述放大电路第一输出端相连接,所述第一次辅助放大器的第二输出端与所述放大电路第二输出端相连接。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述第一主辅助放大器包括:MOS管15、MOS管16、MOS管17、MOS管18、MOS管19、MOS管20、MOS管21、MOS管22、MOS管23、MOS管24、MOS管25和MOS管26;所述MOS管15的栅极与所述MOS管01的漏极相连接,所述MOS管16的栅极与所述MOS管02的漏极相连接,所述MOS管15和所述MOS管16的源极同时与所述MOS管17的漏极相连接,所述MOS管17的栅极接入第六偏置电压,所述MOS管17的源极与所述MOS管18的漏极相连接,所述MOS管18的栅极接入第五偏置电压,所述MOS管18的源极与所述MOS管19的源极、所述MOS管20的源极同时接入所述正电源VDD,所述MOS管19和所述MOS管20的栅极同时接入所述第五偏置电压,所述MOS管19的漏极与所述MOS管21的源极相连接,所述MOS管20的漏极与所述MOS管22的源极相连接,所述MOS管21和所述MOS管22的栅极同时接入所述第六偏置电压,所述MOS管21和所述MOS管23的漏极同时与所述第一次辅助放大器的第一输入端相连接,所述MOS管22和所述MOS管24的漏极同时与所述第一次辅助放大器的第二输入端相连接相连接,所述MOS管23和所述MOS管24的栅极同时接入第七偏置电压,所述MOS管23的源极同时与所述MOS管15和所述MOS管25的漏极相连接,所述MOS管24的源极同时与所述MOS管16和所述MOS管26的漏极相连接,所述MOS管25和所述MOS管26的栅极同时接入第八偏置电压,所述MOS管25和所述MOS管26的源极同时接入所述负电源VSS。12.根据权利要求10或11所述的放大电路,其特征在于,所述第一次辅助放大器包括:MOS管27和MOS管28;所述MOS管27的源极同时与所述MOS管15的栅极和所述MOS管01的漏极相连接,所述MOS管27的漏极与所述放大电路第一输出端相连接,所述MOS管28源极同时与所述MOS管16的栅极和所述MOS管02的漏极相连接,所述MOS管28漏极与所述放大电路第二输出端相连接,所述MOS管27的栅极与所述第一主辅助放大电路的第一输出端相连接,所述MOS管28的栅极与所述第一主辅助放大电路的第二输出端相连接。13.根据权利要求2-12任一项所述的方法,其特征在于,所述第二辅助放大器包括:第二主辅助放大器和第二次辅助放大器;所述第二主辅助放大器的第一输入端同时与所述第二辅助电路的一端和第二次辅助放大器的一端相连接,所述第二主辅助放大器的第二输入端同时与所述第二辅助电路的另一端和所述第二次辅助放大器的另一端相连接,所述第二主辅助放大器的第一输出端与所述第二次辅助放大器的第一输入端相连接,所述第二主辅助放大器的第二输出端与所述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,所述第二次辅助放大器的第一输出端与所述放大电路第一输出端相连接所述第二次辅助放大器的第二输出端与所述放大电路第二输出端相连接。14.根据权利要求13所述的放大电路,其特征在于,所述第二主辅助放大器包括:MOS管29、MOS管30、MOS管31、MOS管32、MOS管33、MOS管34、MOS管35、MOS管36、MOS管37、MOS管38、MOS管39和MOS管40;所述MOS管29的栅极与同时与所述第二辅助电路的一端和所述第二次辅助放大器的一端相连接,所述MOS管30的栅极同时与所述第二辅助电路的另一端和所述第二次辅助放大器的另一端相连接,所述MOS管29和所述MOS管30的源极同时与所述MOS管31的漏极相连接,所述MOS管31的栅极接入第九偏置电压,所述MOS管31的源极与所述MOS管32的漏极相连接,所述MOS管32的栅极接入第十偏置电压,所述MOS管32的源极与所述MOS管33的源极、所述MOS管34的源极同时接入所述负电源VSS,所述MOS管33和所述MOS管34的栅极同时接入所述第十偏置电压,所述MOS管33的漏极与所述MOS管35的源极相连接,所述MOS管34的漏极与所述MOS管36的源极相连接,所述MOS管35和所述MOS管36的栅极同时接入所述第九偏置电压,所述MOS管35和所述MOS管37的漏极同时与所述第二次辅助放大器的第一输入端相连接相连接,所述MOS管36和所述MOS管38的漏极同时与所述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,所述MOS管37和所述MOS管38的栅极同时接入第十二偏置电压,所述MOS管37的源极同时与所述MOS管39和所述MOS管29的漏极相连接,所述MOS管38的源极同时与所述MOS管40和所述MOS管30的漏极相连接,所述MOS管39和所述MOS管40的栅极同时接入第十一偏置电压,所述MOS管39和所述MOS管40的源极同时接入所述正电源VDD。15.根据权利要求14所述的放大电路,其特征在于,所述第二次辅助放大器包括:MOS管41和MOS管42;所述MOS管41的源极与所述第二次辅助放大器的第一输入端相连接,所述MOS管42的源极与所述第二次辅助放大器的第二输入端相连接,所述MOS管41漏极与所述放大电路第一输出端相连接,所述MOS管42的漏极与所述放大电路第二输出端相连接,所述MOS管41的栅极与所述第二主辅助放大器的第一输出端相连接,所述MOS管42的栅极与所述第二主辅助放大器的第二输出端相连接。

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