申请/专利权人:南昌凯迅光电有限公司
申请日:2020-04-08
公开(公告)日:2020-11-24
公开(公告)号:CN212011014U
主分类号:H01L33/10(20100101)
分类号:H01L33/10(20100101);H01L33/00(20100101);H01L33/30(20100101);H01L33/22(20100101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.11.24#授权
摘要:本实用新型公开了一种部分氧化布拉格反射层结构的LED芯片,该LED芯片结构从下往上依次设置n电极层、GaAs衬底、缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、GaP窗口层、p电极层。本实用新型通过采用上下两层复合布拉格反射层结构,其中下层设有氧化区域,经过对下层布拉格反射层进行部分氧化后,提高了出光效率,达到了提升芯片亮度的效果。
主权项:1.一种部分氧化布拉格反射层结构的LED芯片,其特征在于:包括GaAs衬底2,所述GaAs衬底2一侧依此从下往上设置缓冲层3、布拉格反射层4、n-AlGaInP限制层5、多量子阱有源层6、p-AlGaInP限制层7、GaP窗口层8、p电极层9,所述布拉格反射层4为上下两层组成的复合结构,所述GaAs衬底2另一侧设置n电极层1,所述GaP窗口层8在p电极层9正下方以外区域进行局部粗化处理。
全文数据:
权利要求:
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