申请/专利权人:华南理工大学
申请日:2020-04-27
公开(公告)日:2020-11-24
公开(公告)号:CN212010980U
主分类号:H01L29/778(20060101)
分类号:H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/45(20060101);H01L29/47(20060101);H01L21/335(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.11.24#授权
摘要:本实用新型公开了一种硅衬底上GaN二维AlN异质结整流器,属于整流器领域。该整流器包括依次层叠的硅衬底、GaN缓冲层、碳掺杂半绝缘化GaN层、二维AlN层、非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层和SiNx钝化层,还包括设置在一侧的台面隔离凹槽和肖特基接触电极,所述台面隔离凹槽与非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层、SiNx钝化层和肖特基接触电极接触,所述肖特基接触电极与台面隔离凹槽、非掺杂GaN层接触。本实用新型二维AlN的厚度仅有几个原子层,故受到的应力和极化强度相较AlGaN更大。因此,本实用新型GaN二维AlN的异质结构可产生超高浓度且迁移率超大的二维电子气,从而实现频率和效率的大幅提升。
主权项:1.一种硅衬底上GaN二维AlN异质结整流器,其特征在于,包括依次层叠的硅衬底(1)、GaN缓冲层(2)、碳掺杂半绝缘化GaN层(3)、二维AlN层(4)、非掺杂GaN层(5)、非掺杂InGaN层(6)和SiNx钝化层(7),还包括设置在非掺杂InGaN层(6)一侧的台面隔离凹槽(8)和肖特基接触电极(9),其中,所述台面隔离凹槽(8)与非掺杂GaN层(5)、非掺杂InGaN层(6)、SiNx钝化层(7)和肖特基接触电极(9)接触,所述肖特基接触电极(9)与台面隔离凹槽(8)、非掺杂GaN层(5)接触。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华南理工大学 一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器
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