申请/专利权人：李再光

申请日：2019-05-27

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN112002439A

主分类号：G21B1/11(20060101)

分类号：G21B1/11(20060101);G21B1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.21#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要：本发明属磁约束核聚变技术领域磁约束核聚变主要有两种。国际热核聚变实验堆，将等离子体密封在磁场存在径向梯度的环管内，离子容易跑到管壁上去。另一种是将等离子体密封在磁场分布轴对称的直的聚变管内，离子不能跑到管壁上去。采用磁塞，难阻离子从两端溢出。还要研究多年，才能实用。因此设计出附图示出的磁约束环状回流管和直的氘氚DT聚变管。它是由处在超导线圈17中的直的聚变管10，及其两端处在超导线圈5和18中的环状回流管7和20组成。左右两端分别注入氘离子、氚离子和电子。在磁场的约束下，离子和电子从聚变管两端流出，通过环状回流管，又流入聚变管。在直的聚变管内，运动方向相反的离子相互碰撞，每立方厘米产生几十万瓦的氘氚聚变功率。几年内可开始实用。

主权项：1.直的螺线管内磁场分布是轴对称的，能阻止离子跑到管壁上去，是很好的聚变管；两端不应堵塞，应让等离子体畅流进出，在聚变管内产生聚变；因此设计出两种新的聚变管，一种是磁约束环状回流管和直的聚变管，另一种是磁约束双跑道形回流管和直的聚变管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 李再光 磁约束环状回流管和直的聚变管

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