申请/专利权人：日产自动车株式会社

申请日：2018-04-19

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN112005349A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要：具备：基板1；配置在基板1的主面上的第一导电型的漂移区域4；从漂移区域4的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板1内的底部的第二导电型的第一阱区域21；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板1内的第二导电型的第二阱区域22；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域21的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域22的第一导电型的源极区域3。在与第二主面平行且从源极电极15朝向漏极电极16的方向上，第二阱区域22与栅极绝缘膜6相接触的距离比第一阱区域21与栅极绝缘膜6相接触的距离短。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；第一导电型的漂移区域，其配置在所述基板的主面上；第二导电型的第一阱区域，其从所述漂移区域的与所述基板的所述主面相接触的第一主面相对的第二主面向所述第二主面的垂直方向延伸设置，且具有到达所述基板内的底部；第二导电型的第二阱区域，其与所述底部相接触，且配置在所述底部的下方的基板内；第一导电型的源极区域，其从所述第二主面中的形成有所述第一阱区域的区域向所述垂直方向延伸设置，且到达所述第二阱区域；第一导电型的漏极区域，其在所述漂移区域内，与所述第一阱区域以及所述第二阱区域隔开，从所述第二主面向所述垂直方向延伸设置；栅极绝缘膜，其与具有使所述第一阱区域、所述第二阱区域、所述源极区域以及所述漂移区域露出的侧面的栅极槽的至少所述侧面相接触；栅极电极，其经由所述栅极绝缘膜而配置在所述栅极槽的内部；源极电极，其与所述源极区域以及所述第一阱区域电连接；漏极电极，其与所述漏极区域电连接，在与所述第二主面平行且从所述源极电极朝向所述漏极电极的方向上，所述第二阱区域与所述栅极绝缘膜相接触的距离比所述第一阱区域与所述栅极绝缘膜相接触的距离更短。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日产自动车株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法

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