申请/专利权人:株式会社理光
申请日:2019-03-13
公开(公告)日:2020-11-27
公开(公告)号:CN112005394A
主分类号:H01L51/44(20060101)
分类号:H01L51/44(20060101);H01L51/46(20060101)
优先权:["20180319 JP 2018-051312","20180329 JP 2018-065512","20190204 JP 2019-017705"]
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回
法律状态:2024.02.02#发明专利申请公布后的撤回;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开
摘要:提供的是光电转换元件,其包括第一电极、包括光敏化合物的电子传输层、空穴传输层和第二电极,其中空穴传输层包括p‑型半导体材料和碱性化合物,空穴传输层的电离电势大于p‑型半导体材料的电离电势,并小于p‑型半导体材料的电离电势的1.07倍,光敏化合物的电离电势大于空穴传输层的电离电势,并且碱性化合物的酸解离常数pKa是6或更高但是10或更低。
主权项:1.一种光电转换元件,其包括:第一电极;包括光敏化合物的电子传输层;空穴传输层;和第二电极,其中所述空穴传输层包括p-型半导体材料和碱性化合物,所述空穴传输层的电离电势大于所述p-型半导体材料的电离电势,并且小于所述p-型半导体材料的电离电势的1.07倍,所述光敏化合物的电离电势大于所述空穴传输层的电离电势,并且所述碱性化合物的酸解离常数pKa是6或更高但是10或更低。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 株式会社理光 光电转换元件和光电转换元件模块
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