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【发明公布】半导体装置_株式会社半导体能源研究所_201980027125.4 

申请/专利权人:株式会社半导体能源研究所

申请日:2019-04-16

公开(公告)日:2020-11-27

公开(公告)号:CN112005350A

主分类号:H01L21/336(20060101)

分类号:H01L21/336(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/822(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L23/532(20060101);H01L27/04(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/108(20060101);H01L27/1156(20060101);H01L29/786(20060101);H01L29/788(20060101);H01L29/792(20060101)

优先权:["20180427 JP 2018-086578"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.05.07#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要:提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层,第一层及第二层各自包括晶体管,第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体,第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。

主权项:1.一种半导体装置,包括:第一层;以及所述第一层上的第二层,其中,所述第一层及所述第二层各自包括晶体管,所述第一层及所述第二层中的所述晶体管包括:第一氧化物;所述第一氧化物上的第一导电体及第二导电体;以覆盖所述第一导电体、所述第二导电体及所述第一氧化物的方式配置的第一绝缘体;所述第一绝缘体上的第二绝缘体;所述第一氧化物上的在所述第一导电体与所述第二导电体之间配置的第二氧化物;所述第二氧化物上的第三绝缘体;所述第三绝缘体上的第三导电体;以及与所述第二绝缘体的顶面、所述第二氧化物的顶面、所述第三绝缘体的顶面及所述第三导电体的顶面接触的第四绝缘体,并且,所述第一绝缘体及所述第四绝缘体与所述第二绝缘体相比不容易使氧透过。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社半导体能源研究所 半导体装置

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