申请/专利权人:厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日:2020-07-20
公开(公告)日:2020-11-27
公开(公告)号:CN112002801A
主分类号:H01L45/00(20060101)
分类号:H01L45/00(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.09.07#授权;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开
摘要:本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法,该半导体器件包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层,所述阻变层的横向宽度大于所述底部电极金属层和或顶部电极金属层的横向宽度,所述阻变层具有可变电阻;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻氧层,所述阻氧层位于所述阻变层之上;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的抓氧层,所述抓氧层的横向宽度小于所述阻变层的横向宽度,所述抓氧层位于所述阻氧层之上。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:位于半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层,所述阻变层的横向宽度大于所述底部电极金属层和或顶部电极金属层的横向宽度,所述阻变层具有可变电阻;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻氧层,所述阻氧层位于所述阻变层之上;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的抓氧层,所述抓氧层的横向宽度小于所述阻变层的横向宽度,所述抓氧层位于所述阻氧层之上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 厦门半导体工业技术研发有限公司 半导体器件和半导体器件的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。