申请/专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司

申请日：2020-08-06

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN112002691A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.25#授权;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要：公开了一种半导体器件，该半导体器件包括位于衬底上的阱区，阱区上表面包括沿横向方向间隔分布的源端注入区和漏端注入区，栅结构设置在阱区上，位于源端注入区和漏端注入区之间，其中，漏端注入区上设置有漏端接触孔和位于漏端接触孔与栅结构之间的开孔，本发明的半导体器件在漏端注入区上设置漏端接触孔和位于漏端接触孔与栅结构之间的开孔，可增加漏端注入区至栅结构之间的压舱电阻，调节改善漏端接触孔至栅结构的电流路径上的电流的均匀性，提高漏端接触孔至源端的电流释放能力。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；阱区，位于所述衬底上；源端注入区和漏端注入区，沿所述阱区上表面的横向方向间隔设置在所述阱区上表面；栅结构，设置在所述阱区上，位于所述源端注入区和所述漏端注入区之间，其中，所述漏端注入区上设置有漏端接触孔和位于所述漏端接触孔与所述栅结构之间的开孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杰华特微电子(杭州)有限公司 半导体器件

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