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【发明公布】阵列基板及其制备方法_TCL华星光电技术有限公司_202010816696.0 

申请/专利权人:TCL华星光电技术有限公司

申请日:2020-08-14

公开(公告)日:2020-11-27

公开(公告)号:CN112002711A

主分类号:H01L27/12(20060101)

分类号:H01L27/12(20060101);H01L21/77(20170101);G02F1/1368(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.04.25#发明专利申请公布后的驳回;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要:本发明提供一种阵列基板及其制备方法,所述阵列基板包括:基板、第一氧化物有源层、第二氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极、钝化层以及源漏电极层,通过设置两层具有高迁移率的有源层进行膜层叠加,可以提高阵列基板的迁移率。并且将所述的第一氧化物有源层设置为连续的金属块结构,第一氧化物有源层与第二氧化物有源层的垂直交叉区域起着导体的作用,该区域做为载流子的传输路径,进而可以在提高迁移率的同时,降低电流效应,用以解决Vth负漂的问题。

主权项:1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;第一氧化物有源层,设于所述基板上;第二氧化物有源层,设于所述基板上且包覆所述第一氧化物有源层;栅极绝缘层,设于所述第二氧化物有源层;栅极,设于所述栅极绝缘层上;钝化层,设于所述基板上且包覆所述栅极绝缘层、所述第一氧化物有源层以及所述第二氧化物有源层;源漏电极层,设于所述钝化层上且连接所述第二氧化物有源层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TCL华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法

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