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【发明公布】阵列基板及其制备方法_武汉华星光电技术有限公司_202010959968.2 

申请/专利权人:武汉华星光电技术有限公司

申请日:2020-09-14

公开(公告)日:2020-11-27

公开(公告)号:CN112002714A

主分类号:H01L27/12(20060101)

分类号:H01L27/12(20060101);H01L21/77(20170101);G02F1/1333(20060101);G02F1/1343(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.07.29#授权;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要:本发明提供一种阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括同层设置的第一电极和第二电极、位于第一电极和第二电极的上方的第一介质层、位于第一介质层的上方的第一金属层、位于第一金属层上方的第二介质层以及位于第二介质层上方的第二金属层,其中,第二介质层延伸至第二电极表面,并设置有通孔,第二金属层通过通孔与第二电极电性连接,通孔未与第一介质层接触,第二电极上方无第一介质层,可彻底解决第一金属层在第一介质层的通孔内残留问题,可降低阵列基板制作时的困难,确保第一金属层不会与第二金属层发生电性连接的现象,避免第一金属层与第二金属层发生异常短路的风险,从而提高阵列基板的显示品质。

主权项:1.一种阵列基板,其特征在于,至少包括:衬底;同层设置的第一电极和第二电极,位于所述衬底的上方;第一介质层,位于所述第一电极和所述第二电极的上方,所述第一介质层对应所述第一电极的位置设置有过孔;第一金属层,位于所述第一介质层的上方,所述第一金属层通过所述过孔与所述第一电极电性连接;第二介质层,位于所述第一金属层的上方,所述第二介质层延伸至所述第二电极表面,并设置有通孔,所述通孔未与所述第一介质层接触;第二金属层,位于所述第二介质层的上方,所述第二金属层通过所述通孔与所述第二电极电性连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法

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