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【发明公布】隔离结构的制作方法、DAC器件及其制作方法_晶芯成(北京)科技有限公司_202011159556.7 

申请/专利权人:晶芯成(北京)科技有限公司

申请日:2020-10-27

公开(公告)日:2020-11-27

公开(公告)号:CN112002673A

主分类号:H01L21/762(20060101)

分类号:H01L21/762(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.02.12#授权;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要:本发明提供一种隔离结构的制作方法、DAC器件及其制作方法。所述隔离结构的制作方法包括:采用干法刻蚀工艺在基底上形成第一沟槽;采用湿法刻蚀工艺,继续刻蚀基底,使第一沟槽在基底表面以下的范围增大而得到第二沟槽,第二沟槽的底面宽度大于开口宽度;再在第二沟槽中填充隔离介质以形成多个隔离结构,隔离结构的上表面宽度小于下表面宽度。由于隔离结构的上表面宽度小于下表面宽度,可以增大隔离结构间有源区的有效长度,有助于提高器件的集成密度和相邻有源区间的隔离效果。所述DAC器件及其制作方法中,DAC器件的基底中形成有多个隔离结构,部分隔离结构隔离高压区和低压区,所述隔离结构采用了上述隔离结构的制作方法形成。

主权项:1.一种隔离结构的制作方法,其特征在于,包括:提供一基底,在所述基底上形成图形化的硬掩模层;执行干法刻蚀工艺,以所述图形化的硬掩模层为掩模,刻蚀所述基底,在所述基底中形成多个第一沟槽,所述第一沟槽的底面宽度小于开口宽度;执行湿法刻蚀工艺,继续刻蚀所述基底,使所述第一沟槽在基底表面以下的范围增大而得到第二沟槽,所述第二沟槽的底面宽度大于开口宽度;以及在所述第二沟槽内填充隔离介质,以在所述基底中形成多个隔离结构,所述隔离结构的上表面宽度小于下表面宽度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 晶芯成(北京)科技有限公司 隔离结构的制作方法、DAC器件及其制作方法

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