申请/专利权人：富士电机株式会社

申请日：2015-12-07

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN105845713B

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：["20150129 JP 2015-015457"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.27#授权;2017.12.01#实质审查的生效;2016.08.10#公开

摘要：本发明提供具有超结型构造的半导体装置。本发明的第1方面提供了一种半导体装置，该半导体装置具有由第1导电型柱和第2导电型柱构成的超结型构造，其中包括PN比从超结型构造的第1面侧向第2面侧增加的超结型构造的第1区域，以及与第1区域相接并且与半导体装置的沟道区域相邻的超结型构造的第2区域，第2区域中的PN比小于第1区域的第2面侧端部中的PN比，并且，第2区域的厚度薄于第1区域的厚度。

主权项：1.一种半导体装置，具有由第1导电型柱和第2导电型柱构成的超结型构造，包括:所述超结型构造的第1区域，所述第1区域的PN比从所述超结型构造的第1面侧朝向第2面侧增加；所述超结型构造的第2区域，所述第2区域与所述第1区域相接，并且，与所述半导体装置的沟道区域相邻，所述第2区域中的PN比小于所述第1区域的所述第2面侧的端部中的PN比，并且所述第2区域的厚度薄于所述第1区域的厚度，所述第2区域的所述第2导电型柱的宽度小于所述第1区域的所述第2面侧的端部中的所述第2导电型柱的宽度，所述第2区域的所述第2导电型柱的杂质浓度高于所述第1区域的所述第2面侧的端部中的所述第2导电型柱的杂质浓度，所述PN比是指，所述超结型构造中的任意深度处的第2导电型杂质的总量与第1导电型杂质的总量的比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置

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