申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2019-05-13

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112018032A

主分类号：H01L21/77(20170101)

分类号：H01L21/77(20170101);H01L27/12(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示面板，包括：在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。在形成第一薄膜晶体管的有源层时，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅硅基纳米线的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体，使硅成核生长成为硅基纳米线。并且硅基纳米线在生长过程中，非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向结构线性生长，从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外，通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。从而实现尺度均一可控的硅基纳米线薄膜晶体管的制备。

主权项：1.一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中形成所述第一薄膜晶体管包括：在衬底基板上形成第一栅电极的图形、第一有源层的图形、第一源电极和第一漏电极的图形；形成所述第二薄膜晶体管包括：在衬底基板上形成第二栅电极的图形、第二有源层的图形、第二源电极和第二漏电极的图形；其特征在于：所述第一有源层的材料与所述第二有源层的材料不相同；且在形成所述第一有源层的图形之前，还包括：形成导向结构；在所述导向结构至少一侧形成至少一个催化剂颗粒的图形；其中，所述催化剂颗粒与硅具有温度范围在200℃～1000℃共熔点；形成所述第一有源层的图形，具体包括：形成覆盖所述催化剂颗粒和所述导向结构的非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜进行退火，使非晶硅由所述催化剂颗粒开始沿所述导向结构的延伸方向生长形成硅基纳米线；去除所述催化剂颗粒，并保留第一预设区域内的所述非晶硅薄膜和所述硅基纳米线，形成所述第一有源层的图形，其中，所述催化剂颗粒位于所述第一预设区域外。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示面板

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD