申请/专利权人:宁波飞芯电子科技有限公司
申请日:2019-05-31
公开(公告)日:2020-12-01
公开(公告)号:CN112018133A
主分类号:H01L27/146(20060101)
分类号:H01L27/146(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.06.06#授权;2021.07.13#实质审查的生效;2020.12.01#公开
摘要:本发明涉及一种半导体元件、半导体元件制备方法以及固态成像装置,该半导体元件包括:一组第一调制栅极、一组第二调制栅极、半导体区域、第一存储区域和第二存储区域,一组第一调制栅极与一组第二调制栅极分别设置不同的电压,改变半导体区域中信号电荷转移路径的电位,控制信号电荷沿第二方向移动,第一存储区域与第一调制栅极直接连接,以使在第一存储区域的电压高于第一调制栅极的电压时,第一存储区域吸引第一调制栅极中存留的第一信号电荷;避免在第一调制栅极或第二调制栅极存留的信号电荷转移回半导体区域中,进而提高下一次输出信号电荷精确度。
主权项:1.一种半导体元件,其特征在于,包括:一组第一调制栅极、一组第二调制栅极、半导体区域、第一存储区域和第二存储区域,所述一组第一调制栅极至少包括两个第一调制栅极,所述一组第二调制栅极至少包括两个第二调制栅极;所述一组第一调制栅极与所述一组第二调制栅极分别设置在所述半导体区域的两侧,以使在所述一组第一调制栅极设置的电压与在所述一组第二调制栅极设置的电压不同时,改变所述半导体区域中所述两侧的电位,同时控制所述信号电荷沿第二方向移动,所述第二方向包括所述信号电荷在所述半导体区域中的移动方向;所述第一存储区域与所述第一调制栅极直接连接,以使在所述第一存储区域的电压高于所述第一调制栅极的电压时,所述第一存储区域吸引所述第一调制栅极中存留的第一信号电荷到自身进行存储;所述第二存储区域与所述第二调制栅极直接连接,以使在所述第二存储区域的电压高于所述第二调制栅极的电压时,所述第二存储区域吸引所述第二调制栅极中存留的第二信号电荷到自身进行存储。
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