申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-05-25

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112018110A

主分类号：H01L27/088(20060101)

分类号：H01L27/088(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/8234(20060101)

优先权：["20190530 KR 10-2019-0064022"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.11#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：提供了一种包括栅极结构和分隔结构的半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源区和第二有源区；绝缘层，位于第一有源区与第二有源区之间；第一栅极结构，位于第一有源区和绝缘层上，第一栅极结构在绝缘层上具有第一端部；第二栅极结构，位于第二有源区和绝缘层上，第二栅极结构具有在第一方向上面对第一端部的第二端部，第二端部位于绝缘层上；以及分隔结构，位于第一端部与第二端部之间并且延伸到绝缘层中。分隔结构包括下部、中间部分和上部，中间部分在第一方向上的最大宽度大于下部在第一方向上的最大宽度，并且中间部分在第一方向上的最大宽度大于上部在第一方向上的最大宽度。

主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源区和第二有源区；绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间；第一栅极结构，所述第一栅极结构设置在所述第一有源区和所述绝缘层上，所述第一栅极结构具有设置在所述绝缘层上的第一端部；第二栅极结构，所述第二栅极结构设置在所述第二有源区和所述绝缘层上，所述第二栅极结构具有在第一方向上面对所述第一栅极结构的所述第一端部的第二端部，所述第二端部设置在所述绝缘层上；以及分隔结构，所述分隔结构设置在所述第一栅极结构的所述第一端部与所述第二栅极结构的所述第二端部之间并且延伸到所述绝缘层中，其中，所述分隔结构包括下部、位于所述下部上的中间部分和位于所述中间部分上的上部，所述分隔结构的所述中间部分在所述第一方向上的最大宽度大于所述分隔结构的所述下部在所述第一方向上的最大宽度，并且所述分隔结构的所述中间部分在所述第一方向上的最大宽度大于所述分隔结构的所述上部在所述第一方向上的最大宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括栅极结构和分隔结构的半导体器件

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