申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2019-05-09

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112020676A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101);G03F7/004(20060101);H01L21/033(20060101);H01L21/027(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：["20180511 US 62/670,644","20181220 US 62/782,578"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.01#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：用于在半导体衬底上制造薄膜的方法，半导体衬底可使用EUV以图案化，该方法包括：将有机金属前体的蒸气流与逆反应物的蒸气流混合，以形成聚合的有机金属材料；并将类有机金属聚合物材料沉积在半导体衬底的表面上。混合及沉积操作可以通过以下执行：化学气相沉积CVD、原子层沉积ALD工艺、以及具有CVD组分的ALD，例如不连续的类ALD工艺，其中金属前体及逆反应物不论在时间上或空间上均为分离的。

主权项：1.一种用于在衬底的表面上制造EUV可图案化膜的方法，其包括：将有机金属前体的蒸气流与逆反应物的蒸气流混合，以形成聚合的有机金属材料；以及将所述有机金属材料沉积在所述衬底的所述表面上以形成所述EUV可图案化膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 制造EUV可图案化硬掩模的方法

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