申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司

申请日：2020-07-21

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112018041A

主分类号：H01L21/8242(20060101)

分类号：H01L21/8242(20060101);H01L27/108(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法，包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成上电极；使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理，以在所述上电极的外表面形成第一钝化层；在第一钝化层的外表面形成上电极连接层。通过在上电极与上电极连接层之间的界面、上电极连接层与金属导线层之间的界面进行界面处理，即依次在上电极进行处理、第一处理工艺以及第二处理工艺，以及在上电极连接层进行钝化处理，使得上电极与上电极连接层之间界面、上电极连接层与金属导线层之间界面的不完全反应物被去除，大大降低了电容器的漏电。

主权项：1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成上电极；使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理，以在所述上电极的外表面形成第一钝化层；在第一钝化层的外表面形成上电极连接层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 电容器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD