申请/专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司

申请日：2020-07-24

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112018235A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的底电极和顶电极；位于所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底电极和顶电极之间的抓氧层，所述抓氧层位于所述阻变层之上，所述抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线，所述顶电极覆盖所述抓氧层。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的底电极和顶电极；位于所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底电极和顶电极之间的抓氧层，所述抓氧层位于所述阻变层之上，所述抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线，所述顶电极覆盖所述抓氧层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门半导体工业技术研发有限公司 半导体器件和半导体器件的制造方法

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