申请/专利权人:厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日:2020-07-24
公开(公告)日:2020-12-01
公开(公告)号:CN112018235A
主分类号:H01L45/00(20060101)
分类号:H01L45/00(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开
摘要:本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法,该半导体器件包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的底电极和顶电极;位于所述底电极和顶电极之间的阻变层,所述阻变层具有可变电阻;位于所述底电极和顶电极之间的抓氧层,所述抓氧层位于所述阻变层之上,所述抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线,所述顶电极覆盖所述抓氧层。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的底电极和顶电极;位于所述底电极和顶电极之间的阻变层,所述阻变层具有可变电阻;位于所述底电极和顶电极之间的抓氧层,所述抓氧层位于所述阻变层之上,所述抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线,所述顶电极覆盖所述抓氧层。
全文数据:
权利要求:
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