申请/专利权人：英利能源(中国)有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院

申请日：2020-07-30

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112011824A

主分类号：C30B15/00(20060101)

分类号：C30B15/00(20060101);C30B29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.01#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体公开一种减少直拉单晶硅内部气孔的方法。所述方法包括如下步骤：在石英坩埚的圆柱周壁内侧涂覆氢氧化钡涂层；装料，抽空至炉内压力为5～15Torr，调节氩气流量为50～60Lmin，将单晶炉的加热器功率调节至熔料功率，直至单晶硅原料全部熔化；将加热器功率调节至引晶功率，稳定化后，调节炉内压力至15～20Torr，调节氩气流量至30～40Lmin，进行引晶、放肩生长、等径生长和收尾生长。本发明提供的方法，能够同时减少石英坩埚表面附着和熔体中的气泡，抑制晶体内部气孔的产生，保证了单晶硅生长的稳定性，使次品率降低25％以上，有利于提升良品率并降低成本。

主权项：1.一种减少直拉单晶硅内部气孔的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：将石英坩埚加热至预设温度后，将氢氧化钡溶液均匀喷涂于所述石英坩埚的圆柱周壁内侧形成氢氧化钡涂层；S2：向所述石英坩埚内装料，抽空至炉内压力为5～15Torr，调节氩气流量为50～60Lmin，将单晶炉的加热器功率调节至熔料功率，所述石英坩埚的转速保持在第一预设转速，直至单晶硅原料全部熔化；S3：将所述石英坩埚逐步上升，使熔硅液面处于单晶炉的导流筒下方的预设位置，将石英坩埚的转速升至第二预设转速，将加热器功率调节至引晶功率，调节炉内压力至15～20Torr，调节氩气流量至30～40Lmin，进行引晶、放肩生长、等径生长和收尾生长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英利能源(中国)有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院 一种减少直拉单晶硅内部气孔的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD