申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2020-09-04

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112018020A

主分类号：H01L21/683(20060101)

分类号：H01L21/683(20060101);H01L21/687(20060101);G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明提供了一种半导体机台改造方法以及半导体机台，其中所述半导体机台改造方法包括：提供一半导体机台，所述半导体机台具有可上下移动的吸盘以及若干个固定设置的顶针，所述吸盘上具有若干个可供所述顶针穿过的顶针孔，所述吸盘用于承载晶圆；以及，根据待承载的晶圆的厚度调整所述吸盘的厚度。即通过调整吸盘的厚度来达到既可以运行正常厚度的晶圆，还可以运行厚度大于1075微米的厚晶圆，解决了半导体机台无法运行厚晶圆的问题。

主权项：1.一种半导体机台改造方法，其特征在于，包括：提供一半导体机台，所述半导体机台具有可上下移动的吸盘以及若干个固定设置的顶针，所述吸盘上具有若干个可供所述顶针穿过的顶针孔，所述吸盘用于承载晶圆；所述半导体机台还具有焦平面，所述晶圆的上表面能够到达所述焦平面，保持所述吸盘的运动行程不变，当待承载的晶圆的厚度大于或等于原始厚度，所述吸盘的厚度减小△H1为：△H1≤W+H3*-H3其中，H3为晶圆的原始厚度，H3*为待承载的晶圆的厚度，W为所述吸盘的运动行程，吸盘的原始厚度为11.7mm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体机台改造方法以及半导体机台

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