申请/专利权人：夏普株式会社

申请日：2018-10-24

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN109787087B

主分类号：H01S5/20(20060101)

分类号：H01S5/20(20060101)

优先权：["20171114 JP 2017-219451"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.12.01#授权;2019.06.14#实质审查的生效;2019.05.21#公开

摘要：本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。

主权项：1.一种氮化物半导体激光元件，其是在氮化物半导体基板上设有n侧包覆层、活性层、以及p侧包覆层的氮化物半导体激光元件，其特征在于，在所述氮化物半导体基板与所述n侧包覆层之间，自所述氮化物半导体基板侧起顺次包括：含有AlGaN的第一氮化物半导体层；含有Al组分比小于所述第一氮化物半导体层的AlGaN的第二氮化物半导体层；含有GaN的第三氮化物半导体层；含有InGaN的第四氮化物半导体层；以及含有AlGaN的第五氮化物半导体层。

全文数据：氮化物半导体激光元件技术领域本发明涉及一种氮化物半导体激光元件。背景技术半导体激光光源开始应用于以DVD为代表的光碟的高密度记录、图像处理、医疗设备、测量仪器等领域中。在此种激光光源中，例如可应用使用GaN基板的氮化物半导体激光元件。先前，如图2所示，通过有机金属气相沉积法在GaN基板200上沉积缓冲层201、n侧包覆层202、n侧光导层203、活性层发光层204、p侧盖层205、p侧光导层206、p侧包覆层207、以及p侧接触层208等，形成具有n侧及p侧各电极209、210的氮化物半导体激光元件的层叠结构例如参照专利文献1。n侧包覆层202及p侧包覆层207是AlGaN单层膜、或AlGaNGaN超晶格结构。通过此种构成，在氮化物半导体激光元件的活性层204中，产生由于自n侧层注入的电子与自p侧层注入的空穴的再结合所产生的发光。该光被限制在n侧包覆层202及p侧包覆层207之间，在与半导体层叠结构的层叠方向垂直的方向上传播。在该传播方向的两端形成有谐振器端面，在该一对谐振器端面间，一面反复进行受激发射一面使光谐振放大，其一部分作为激光而自谐振器端面射出。现有技术文献专利文件专利文献1：日本专利特开2006-165453号公报。发明内容本发明所要解决的技术问题先前存在如下问题：在振荡波长为460nm以上的波段中，在氮化物半导体激光元件的活性层内，光的限制率降低。该限制光限制率的降低会导致阈值电流密度增大。认为其原因在于：在氮化物半导体激光元件中，随着波长变长，用作包覆材料的AlGaN与用作导光材料的GaN的折射率差变小。而且，GaN基板可将n侧电极与p侧电极载置于激光元件的上下侧，且散热性、劈开性优异，但在所述现有结构中，如果相对于以GaN层的晶格常数相干地coherent沉积的结构，在所述结构内形成晶格常数比GaN小的AlGaN层，则产生拉伸应变。由此存在产生裂缝、未能实现平坦的解理面的问题。尤其是在490nm～530nm的绿色波段的情况下，活性层的In组分比高，因此难以层叠发光效率良好的活性层，由此存在阈值电流或阈值电压上升、寿命降低的问题。另外，在使用所述GaN基板的半导体激光元件中，要求远场图案FFP：farfieldpattern的纹波进一步减低。认为此种纹波是由于向GaN基板自发发射的光渗出引起的，为了减低纹波，期望减低逃逸到GaN基板的光。因此，本发明是鉴于上述问题点而成的，其目的在于提供在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，可以一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波的氮化物半导体激光元件。解决问题的手段用以达成所述目的的本发明的解决手段，是在氮化物半导体基板上设有n侧包覆层、活性层、以及p侧包覆层的氮化物半导体激光元件，其特征在于，在所述氮化物半导体基板与所述n侧包覆层之间，自所述氮化物半导体基板侧起顺次具有：含有AlGaN的第一氮化物半导体层、含有Al组分比小于所述第一氮化物半导体层的AlGaN的第二氮化物半导体层、含有GaN的第三氮化物半导体层、含有InGaN的第四氮化物半导体层、以及含有AlGaN的第五氮化物半导体层。根据该特定事项，第一氮化物半导体层至第五氮化物半导体层的各层有机地关联而对活性层起作用，且可抑制各层产生裂缝、良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。作为所述氮化物半导体激光元件的更具体的构成可列举如下者。亦即，优选所述氮化物半导体基板含有GaN，所述第一氮化物半导体层的Al组分比为10％以上、25％以下的构成。由此，可使氮化物半导体基板与第一氮化物半导体层的界面平坦性提高。因此，可使活性层的发光效率提高，使激光特性提高。而且，优选在所述氮化物半导体激光元件中，所述第一氮化物半导体层含有Si作为n型杂质，Si浓度为1×1019cm3以上、5×1019cm3以下。由此，可维持第一氮化物半导体层的结晶性，可使界面电阻变小，防止氮化物半导体基板与第一氮化物半导体层的界面平坦性恶化。而且，优选在所述氮化物半导体激光元件中，所述第二氮化物半导体层含有Si作为n型杂质，Si浓度为3×1018cm3以上、1×1019cm3以下。由此，可获得高的导电性，且使结晶性提高。而且，优选在所述氮化物半导体激光元件中，所述第二氮化物半导体层的Al组分比为0.5％以上、3％以下，层厚为1μm以上、2μm以下。由此可防止光渗出至氮化物半导体基板中，从而防止远场图案的纹波。而且，优选在所述氮化物半导体激光元件中，所述第四氮化物半导体层的In组分比为1％以上、5％以下。由此可良好地保持第四氮化物半导体层的表面平坦性，防止结晶性恶化，因此可使注入到活性层的电流密度均匀。而且，优选在所述氮化物半导体激光元件中，所述第五氮化物半导体层的Al组分比为10％以上、25％以下。由此也可以保持第四氮化物半导体层的表面平坦性，使活性层的发光效率提高。发明效果在本发明中设为如下的氮化物半导体激光元件的构成，亦即在氮化物半导体基板与所述n侧包覆层之间，自所述氮化物半导体基板侧起顺次具有：含有AlGaN的第一氮化物半导体层、Al组分比小于所述第1氮化物半导体层的含有AlGaN的第二氮化物半导体层、含有GaN的第三氮化物半导体层、含有InGaN的第四氮化物半导体层、以及含有AlGaN的第五氮化物半导体层。由于这些各层的作用，可一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。而且，可通过第一氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、以及第五氮化物半导体层而提高界面平坦性，且可使收率、阈值、斜率效率等激光特性提高。附图说明图1是表示本发明的实施方式的氮化物半导体激光元件的概略构成的截面图。图2是表示现有的氮化物半导体激光元件的概略构成的截面图。具体实施方式以下，参照附图对本发明的实施方式的氮化物半导体激光元件加以说明。图1是表示实施方式的氮化物半导体激光元件的概略结构的截面图。另外，在图1及图2中，为了使附图明确化而省略表示截面的剖面线来进行记载。而且，在各图中，为了使附图明确化而适宜变更长度、宽度、以及厚度等，并不表示实际的尺寸关系。整体结构实施方式的氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11上形成多层的氮化物半导体层作为基底结构层12。在基底结构层12上顺次层叠了n侧包覆层13、n侧光导层14、活性层15、p侧光导层16、p侧载流子阻挡层17、p侧包覆层18、以及p侧接触层19。在说明该氮化物半导体激光元件1中的基底结构层12之前，首先说明除基底结构层12以外的其他层构成。氮化物半导体基板氮化物半导体激光元件1的氮化物半导体基板11优选GaN基板，使用添加了Si作为n型杂质而具有导电性的基板。通过在氮化物半导体激光元件1中具有含有Si的构成的氮化物半导体基板11，可使电流在各层的层叠方向上移动，从而使串联电阻降低，可使芯片结构简略化。在该氮化物半导体基板11上沉积了后述的基底结构层12。n侧包覆层在基底结构层12上设有多层的n侧包覆层13。与基底结构层12相接的第一n侧包覆层131为AlGaN层。由此可实现发光区域的充分的光限制。第一n侧包覆层131中的Al组分比优选为5％以上。而且，为了防止裂缝，优选该Al组分比为10％以下，层厚为800～1200nm。在第一n侧包覆层131上设有GaN层作为第二n侧包覆层132。优选以100nm～400nm的层厚形成第二n侧包覆层132。由此可使残存应变弛豫，且恢复结晶性。优选这些第一n侧包覆层131及第二n侧包覆层132这两层掺杂了Si。在这种情况下，Si浓度优选为1×1018cm3～3×1018cm3。由此而确保了导电性。此处，所谓掺杂是表示将导电性杂质有目的地添加于半导体结晶中，进行了掺杂的半导体层是表示添加了导电性杂质的半导体层。而且，所谓未掺杂是表示并未有目的地添加导电性杂质的半导体结晶的状态，在结晶沉积时不可避免地混入了C、H、O、Cl等杂质、或对导电性基本不产生影响的程度的导电性控制杂质的半导体结晶也包含于其中。n侧光导层在n侧包覆层13上形成了n侧光导层14。优选该n侧光导层14为InGaN层，其In组分比为1～5％。由构成n侧光导层14的InGaN沉积该层，由此可提高光限制效率。n侧光导层14的层厚优选为150～200nm，为了防止结晶性恶化，优选为未掺杂层。通过该n侧光导层14可使后述的活性层15的阱层的发光效率提高。活性层在n侧光导层14上形成了活性层15。优选该活性层15为阱层与势垒层交替构成的多重量子阱结构。例如，活性层15可设为自势垒层开始，以势垒层结束的势垒层为三层及阱层为两层的双量子阱结构。这些结构中优选势垒层为GaN层、阱层为InGaN层。势垒层具有恢复结晶性的效果。阱层优选由带隙能量小于势垒层的氮化物半导体材料形成，特别优选InGaN。阱层的原子组分比并无特别限定，可根据振荡的波长而任意地选择。活性层15由多层的阱层进行发光，因此为了保持单色性而优选In组分比以及层厚在多层中均相同。势垒层的层厚可在多层中分别变更。p侧光导层在活性层15上形成了p侧光导层16，其是In组分比及层厚与n侧光导层14相同的InGaN层。p侧光导层16以及n侧光导层14的层厚越厚越使光限制率提高。因此，相对地抑制这些层的In组分比且将其设为未掺杂层，防止随着层厚增大所造成的结晶性恶化。p侧载流子阻挡层在p侧光导层16上形成了p侧载流子阻挡层17。优选p侧载流子阻挡层17为AlGaN层，Al组分比为15～30％。而且，为了使p侧载流子阻挡层17进行p型化，优选主要含有Mg作为p型杂质，以1×1018cm3～9×1018cm3的浓度添加Mg。优选p侧载流子阻挡层17的层厚为5～15nm。通过使p侧载流子阻挡层17具有此种条件，可有效地阻挡注入到活性层15的电子，可提高注入效率，且可降低阈值电流。而且，可通过使层厚小而防止电阻上升。p侧包覆层在p侧载流子阻挡层17上形成了p侧包覆层18。优选p侧包覆层18为AlGaN层，Al组分比为3～5％。而且，为了使p侧包覆层18进行p型化，优选主要含有Mg作为p型杂质，以1×1018cm3～9×1018cm3的浓度添加Mg。优选p侧包覆层18的层厚为600nm～800nm。通过使p侧包覆层18具有此种条件，可使折射率比活性层15低，从而限制光，且可通过设为较少的Al组分比而实现防止裂缝及减低电阻。p侧接触层在p侧包覆层18上设置了p侧接触层19。优选该p侧接触层19为GaN层。优选p侧接触层19主要含有Mg作为p型杂质，Mg浓度为2×1019cm3～9×1019cm3。而且，优选p侧接触层19的层厚为50～150nm的程度。由此，p侧接触层19可降低接触电阻及串联电阻。电极可通过光刻法对p侧接触层19与p侧包覆层18的一部分进行蚀刻而形成脊部20。脊部的宽度调整为1.5～2μm。进一步在所露出的脊部20的侧面、通过蚀刻而露出的p侧包覆层18的表面形成由SiO2构成的绝缘膜21。在p侧接触层19的表面，自p侧接触层19侧起顺次形成由Pd、Mo、Au构成的p侧金属电极22。在氮化物半导体基板11的背面，自氮化物半导体基板11侧起顺次形成由Hf、Al构成的n侧金属电极23。第一氮化物半导体层：初始沉积层在氮化物半导体基板11上，在其与n侧包覆层13之间沉积了基底结构层12。在例示的形态中，在氮化物半导体基板11上沉积第一氮化物半导体层121、第二氮化物半导体层122、第三氮化物半导体层123、第四氮化物半导体层124、第五氮化物半导体层125而形成基底结构层12。与氮化物半导体基板11相接形成第一氮化物半导体层121而作为基底结构层12的初始沉积层。第一氮化物半导体层121是AlGaN层，Al组分比为10％以上25％以下。第一氮化物半导体层121也可以掺杂Si，在这种情况下，Si掺杂浓度优选为1×1019cm3以上，更优选为3×1019cm3以上。自维持结晶性的观点考虑，优选Si掺杂浓度的上限值为5×1019cm3以下。通过保持此种Si掺杂浓度，可使界面电阻变小。在氮化物半导体基板11上沉积第一氮化物半导体层121作为初始沉积层的升温过程中，会产生由于氮化物半导体基板11的晶体缺陷而引起的蚀刻或氮缺失，成为第一氮化物半导体层121的结晶性变乱，表面平坦性降低的原因，且在传播至活性层15的情况下，成为发光效率下降、激光特性降低的原因。相对于此，在实施方式的氮化物半导体激光元件1中，在该初始沉积时通过薄膜形成高组分的AlGaN层而作为第一氮化物半导体层121。由此可防止氮化物半导体基板11与第一氮化物半导体层121的界面平坦性恶化。第二氮化物半导体层：纹波对策层在第一氮化物半导体层121上形成了第二氮化物半导体层122。关于该第二氮化物半导体层122，优选与活性层15、夹着其而层叠的n侧光导层14及p侧光导层相比而言，将折射率抑制得较低。其原因在于：通过使折射率变低，可减低向活性层15自发发射的光渗出。因此，第二氮化物半导体层122为AlGaN层。氮化物半导体由于其组分而晶格常数不同，例如InGaN、GaN及AlGaN的晶格常数相互不同。因此，如果层叠此种氮化物半导体，则在界面产生应力。由于该应力，可能会在氮化物半导体激光元件1产生翘曲。如果翘曲大，则变得容易产生裂纹，因此相应于此，收率也变差。而且，AlGaN具有晶格常数比其他组分的氮化物半导体小，且结晶硬的特性。因此，对于与AlGaN结晶晶格匹配而沉积的层，产生较大的应力，存在产生氮化物半导体基板11的翘曲、产生裂缝的可能。因此，优选以比第一氮化物半导体层121低的Al组分比、比第一氮化物半导体层121厚的层厚形成第二氮化物半导体层122。具体而言，优选第二氮化物半导体层122的Al组分比为0.5％以上、3％以下，层厚为1μm以上、2μm以下。而且，为了获得较高的导电性且并不使结晶性降低，优选掺杂Si，在Si浓度为3×1018cm3以上、1×1019cm3以下的范围中形成。因此，第二氮化物半导体层122由折射率低的AlGaN构成，可防止光向氮化物半导体基板11渗出。由此可防止远场图案的纹波，抑制翘曲或裂缝的产生，且可确保激光的单色性。第二氮化物半导体层122可视为纹波对策层。第三氮化物半导体层：应变弛豫层在第二氮化物半导体层122上形成GaN层作为第三氮化物半导体层123。为了使自AlGaN向InGaN施加的应变弛豫而形成该第三氮化物半导体层123。其原因在于：应变成为裂缝或大台阶的原因，裂缝成为使激光的特性、可靠性及生产性等降低的原因。在这种情况下，在第一氮化物半导体层121的AlGaN层与第三氮化物半导体层123的GaN层之间沉积Al组分比第一氮化物半导体层121低的第二氮化物半导体层122的AlGaN层，设为晶格常数阶段性变化的结构。亦即，AlGaN、InGaN、以及GaN的晶格常数相互不同，通过晶格常数位于AlGaN与InGaN之间的GaN形成第三氮化物半导体层123。在第三氮化物半导体层123上沉积后述的第四氮化物半导体层124，由InGaN形成该第四氮化物半导体层124。在该情况下，同样在第二氮化物半导体层AlGaN122与第四氮化物半导体层InGaN124之间沉积GaN作为第三氮化物半导体层123，由此可使晶格常数阶段性变化地层叠AlGaN、GaN、InGaN。而且，GaN是二元混晶，容易获得高品质的结晶，具有恢复结晶性的效果。如上所述，第三氮化物半导体层123是上下的第二及第四氮化物半导体层122、124之间的晶格常数的GaN层，具有使应变弛豫的作用，因此可视为应变弛豫层。第四氮化物半导体层：裂缝防止层在第三氮化物半导体层123上形成了第四氮化物半导体层124。第四氮化物半导体层124是InGaN层。在该形态的氮化物半导体激光元件1中，利用氮化物半导体基板11作为氮化物半导体基板时，通过在氮化物半导体基板11与n侧包覆层13之间插入InGaN层的第四氮化物半导体层124来抑制裂缝的产生。亦即，通过该InGaN以压缩应变来补偿由后述的n侧包覆层13在例示的形态中为AlGaN层对结晶内GaN施加的拉伸应变。因此，结果是即便为更高的Al组分比、层厚，也可以减小裂缝。第四氮化物半导体层124可视为裂缝防止层。优选第四氮化物半导体层124的In组分比为1％以上、5％以下。其原因在于：如果In组分比为该范围，则由于InGaN而使第四氮化物半导体层124的结晶性变得难以降低。如果In组分比超过5％，则表面平坦性变差，产生晶体缺陷，结晶性恶化，因此并不优选。而且，如果失去表面平坦性，则注入到活性层的电流密度变得不均匀，导致发光效率降低。可通过该第四氮化物半导体层124而提高n侧光导层14及p侧光导层16的光限制效应，激光结构的设计自由度变大。而且，第四氮化物半导体层124的InGaN层比第三氮化物半导体层123的GaN层的折射率高，使光向氮化物半导体基板11的进入量增加。因此，第二氮化物半导体层122还具有如下作用：抵消由于第四氮化物半导体层124起作用而造成光向氮化物半导体基板11渗出的现象。第五氮化物半导体层：In蒸发防止层在第四氮化物半导体层124上形成了第五氮化物半导体层125。第五氮化物半导体层125是AlGaN层，为了表面平坦化而优选Al组分比为10～25％。而且，由于将Al组分比设定得较高，因此为了维持结晶性或防止裂缝，优选在1nm～10nm的范围较小地设定层厚。由此防止第四氮化物半导体层124的表面粗糙，良好地保持表面平坦性。此处，构成第四氮化物半导体层124的InGaN在低温下沉积，因此存在如下倾向：晶体沉积时的构成元素的迁移长度小，成为三维沉积模式，有损表面平坦性。假设在第四氮化物半导体层124的表面并不平坦的情况下，活性层15的层厚均匀性恶化，有损单色性，发光效率降低。而且，第四氮化物半导体层124的表面平坦性恶化也成为载流子的不均匀注入的原因。尤其是在波长为490nm～530nm的绿色波段的情况下，活性层15的In组分比高，因此在提高激光特性、可靠性、生产性方面而言，重要的是活性层15是具有陡峭界面的多重量子阱结构。因此，认为作为相对于活性层15的基底结构层12，第四氮化物半导体层124的表面平坦性对激光特性产生较大影响。对此，在实施方式的构成中，作为基底结构层12，在第四氮化物半导体层124与n侧包覆层13之间插入第五氮化物半导体层125，可起到In蒸发防止层的作用，第四氮化物半导体层124的表面平坦性提高。因此，在活性层15中，可提高单色性、发光效率及激光特性等。氮化物半导体激光元件1可通过如下方式而获得：通过MOCVD有机金属化学气相沉积法在氮化物半导体基板11上沉积所述各层而构成用以制造激光元件的晶圆，单独地分割开而形成激光谐振器的端面。如上所示，在实施方式的氮化物半导体激光元件1中，在氮化物半导体基板11与n侧包覆层13之间具有第一氮化物半导体层121至第五氮化物半导体层125的基底结构层12，因此基底结构层12的各作用有机地关联，可一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。实施例1作为实施例1，通过MOCVD有机金属化学气相沉积法制作氮化物半导体激光元件1。首先，将由GaN构成的氮化物半导体基板11设置在可供给前驱物的特定位置上，通过加热器将氮化物半导体基板11的表面升温至900℃。其次，在氮化物半导体基板11上供给TMA三甲基铝、TMG三甲基镓、NH3氨、SiH4硅烷作为前驱物，以3nm的厚度沉积Al组分比为20％、Si浓度为4×1019cm3的n型AlGaN层。由此，形成第一氮化物半导体层121作为基底结构层12的初始沉积层。其次，供给TMA、TMG、NH3、SiH4，以1500nm的厚度、Si浓度为5×1018cm3而沉积Al组分比为1％的AlGaN层。由此，形成第二氮化物半导体层122作为纹波对策层。使氮化物半导体基板11的温度上升至1100℃。其次，停止供给TMA，供给TMG、NH3、SiH4而沉积n型GaN。Si浓度为2×1018cm3且厚度为10nm，基板温度保持为1100℃。由此形成第三氮化物半导体层123作为应变弛豫层。其次，除了TMG、NH3、SiH4以外还供给TMI三甲基铟，沉积n型InGaN层。In组分比为4％，Si浓度为1×1019cm3，层厚为170nm。由此，形成第四氮化物半导体层124作为裂缝防止层。氮化物半导体基板11的温度降低至840℃。其次，停止供给TMI，除了TMG、NH3、SiH4还供给TMA，沉积n型AlGaN层。Al组分比为20％，Si浓度为4×1018cm3，层厚为5nm，基板温度保持为840℃。由此，形成第五氮化物半导体层125作为In蒸发防止层。其后，可在所述实施方式中所示的优选范围内形成n侧包覆层13、n侧光导层14、活性层15、p侧光导层16、p侧载流子阻挡层17、p侧包覆层18、p侧接触层19、绝缘膜21、p侧金属电极22、n侧金属电极23，从而获得氮化物半导体激光元件1。所制作的氮化物半导体激光元件1的特性是振荡波长为504nm、斜率效率为0.7WA、阈值电流为77mA、室温连续振荡、振荡收率为100％。实施例1的氮化物半导体激光元件1在斜率效率、阈值电流、以及振荡收率方面获得良好的特性。产业上的可利用性本发明的氮化物半导体激光元件可适当地用于LED、LD等发光元件或CCD等光接收元件等中。符号说明1氮化物半导体激光元件11氮化物半导体基板12基底结构层121第一氮化物半导体层122第二氮化物半导体层123第三氮化物半导体层124第四氮化物半导体层125第五氮化物半导体层13n侧包覆层131第一n侧包覆层132第二n侧包覆层14n侧光导层15活性层16p侧光导层17p侧载流子阻挡层18p侧包覆层19p侧接触层20脊部21绝缘膜22p侧金属电极23n侧金属电极

权利要求：1.一种氮化物半导体激光元件，其是在氮化物半导体基板上设有n侧包覆层、活性层、以及p侧包覆层的氮化物半导体激光元件，其特征在于，在所述氮化物半导体基板与所述n侧包覆层之间，自所述氮化物半导体基板侧起顺次包括：含有AlGaN的第一氮化物半导体层；含有Al组分比小于所述第一氮化物半导体层的AlGaN的第二氮化物半导体层；含有GaN的第三氮化物半导体层；含有InGaN的第四氮化物半导体层；以及含有AlGaN的第五氮化物半导体层。2.如权利要求1的氮化物半导体激光元件，其特征在于，所述氮化物半导体基板含有GaN，所述第一氮化物半导体层的Al组分比为10％以上、25％以下。3.如权利要求1或2的氮化物半导体激光元件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层含有Si作为n型杂质，Si浓度为1×1019cm3以上、5×1019cm3以下。4.如权利要求1至3中任一项的氮化物半导体激光元件，其特征在于，所述第二氮化物半导体层含有Si作为n型杂质，Si浓度为3×1018cm3以上、1×1019cm3以下。5.如权利要求1至4中任一项的氮化物半导体激光元件，其特征在于，所述第二氮化物半导体层的Al组分比为0.5％以上、3％以下，层厚为1μm以上、2μm以下。6.如权利要求1至5中任一项的氮化物半导体激光元件，其特征在于，所述第四氮化物半导体层的In组分比为1％以上、5％以下。7.如权利要求1至6中任一项的氮化物半导体激光元件，其特征在于，所述第五氮化物半导体层的Al组分比为10％以上、25％以下。

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