申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-08-31

公开（公告）日：2020-12-08

公开（公告）号：CN112052637A

主分类号：G06F30/3308(20200101)

分类号：G06F30/3308(20200101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.25#实质审查的生效;2020.12.08#公开

摘要：本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOIMOSFET模型生成方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：BSIMIMG背沟道器件模型和BSIMIMG正沟道器件模型，BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至BSIMIMG正沟道器件模型；其中，BSIMIMG正沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOIMOSFET器件提取的正沟道器件模型参数生成，BSIMIMG背沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOIMOSFET器件提取的背沟道器件模型参数生成，新的BSIMIMG标准模型是修改BSIMIMG标准模型的Verilog‑a代码所得到。通过本发明提高了背沟道开启情况下的器件模型精度。

主权项：1.一种基于BSIMIMG的FDSOIMOSFET模型生成方法，其特征在于，包括：修改BSIMIMG标准模型的Verilog-a代码，得到新的BSIMIMG标准模型；从FDSOIMOSFET器件提取正沟道器件模型参数和背沟道器件模型参数；基于所述正沟道器件模型参数和所述新的BSIMIMG标准模型生成BSIMIMG正沟道器件模型，以及基于所述背沟道器件模型参数和所述新的BSIMIMG标准模型生成BSIMIMG背沟道器件模型；将所述BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至所述BSIMIMG正沟道器件模型，以得到合成模型；调整所述合成模型的模型参数，得到目标FDSOIMOSFET模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置

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